一种具有晶体管保护功能的单相逆变器拓扑结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有晶体管保护功能的单相逆变器拓扑结构，包括H6拓扑结构或HERIC拓扑结构，所述H6拓扑结构或HERIC拓扑结构的交流输出端设有电流互感器(HCT)，电流互感器(HCT)的输出端通过电压比较器(7)后分两路，其中一路直接连接至DSP芯片的第一中断信号引脚(TZ1),另一路通过延时电路(8)连接至DSP芯片的第二中断信号引脚(TZ2)；所述延时电路(8)是为RC延时电路。本实用新型专利技术具有能对晶体管进行有效保护的优点。体管进行有效保护的优点。体管进行有效保护的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种具有晶体管保护功能的单相逆变器拓扑结构


[0001]本技术属于单相光伏逆变器领域，尤其涉及一种具有晶体管保护功能的单相逆变器拓扑结构。

技术介绍

[0002]目前单相的光伏逆变器，大多采用了H6或者HERIC拓扑。在出现过流或者市电相位异常时，会触发功率晶体管过流保护，功率晶体管在保护关断过程中，因为V＝L*di/dt,di/dt对寄生电感参数的影响，会让拓扑的中间续流管(如图1中的Q5、Q6晶体管)在关断时VCE产生一个很大的电压应力SPIKE，叠加上BUS电压后会超过晶体管的最大VCE规格，可能会导致晶体管过压损坏。
[0003]一般功率晶体管都是由DSP芯片控制，DSP芯片有中断信号引脚,当电路拓扑中出现电流过大的异常情况时，电路拓扑中的电流互感器HCT触发过电流，中断信号引脚中断响应，DSP芯片同时关断所有晶体管Q1～Q6，Q是晶体管的英文符号缩写。但在使用过程中发现，中间续流管Q5、Q6的VCE最大电压容易过大，从而导致晶体管Q5、Q6容易过压损坏。因此，需要一种具有晶体管保护功能的单相逆变器拓扑结构。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于，提供一种具有晶体管保护功能的单相逆变器拓扑结构。本技术具有能对晶体管进行有效保护的优点。
[0005]本技术的技术方案：一种具有晶体管保护功能的单相逆变器拓扑结构，包括H6拓扑结构或HERIC拓扑结构，其特征在于：所述H6拓扑结构或HERIC拓扑结构的交流输出端设有电流互感器，电流互感器的输出端通过电压比较器后分两路，其中一路直接连接至DSP芯片的第一中断信号引脚,另一路通过延时电路连接至DSP芯片的第二中断信号引脚。
[0006]前述的具有晶体管保护功能的单向逆变器拓扑结构中，所述延时电路是为RC延时电路。
[0007]与现有技术相比，本技术在现有H6拓扑结构或者HERIC拓扑结构的基础上，设置了两个均与电流互感器HCT连接的中断信号引脚，即具有了两个电流的保护点，其中，第二中断信号引脚通过延时电路实现延时触发。当HCT触发过电流时，因为第二中断信号引脚经延时电路做了一个RC时间常数的硬件延时，第一中断信号引脚会先被触发，DSP芯片可先关闭Q1、Q2、Q3、Q4四个晶体管，直至第二中断信号引脚触发，再关闭Q5、Q6两个晶体管。因为Q5、Q6的晶体管晚了一段时间关断，对电路中的di/dt进行了续流缓解，降低了V＝L*di/dt,di/dt对寄生电感参数的影响，从而达到降低Q5、Q6两端电压应力SPIKE的目的，Q5、Q6的VCE最大电压应力降低，保护晶体管Q5、Q6不会出现VCE超过最大规格导致损坏。因此，本技术具有能对晶体管进行有效保护的优点。
附图说明
[0008]图1是本技术的电路结构图。
[0009]图2是电流互感器与DSP芯片之间的电路结构图。
[0010]的电路结构图。
具体实施方式
[0011]下面结合附图和实施例对本技术作进一步的说明，但并不作为对本技术限制的依据。
[0012]实施例。一种具有晶体管保护功能的单相逆变器拓扑结构，如图1和图2所示，以HERIC拓扑结构为例(采用H6拓扑结构时原理相同)，所述HERIC拓扑结构的交流输出端设有电流互感器HCT，电流互感器HCT的输出端通过电压比较器7后分两路，其中一路直接连接至DSP芯片的第一中断信号引脚TZ1,另一路通过延时电路8连接至DSP芯片的第二中断信号引脚TZ2。所述延时电路8是为RC延时电路
[0013]工作原理：当HCT触发过电流时，信号会传送给第一中断信号引脚TZ1和第二中断信号引脚TZ2，但是因为第二中断信号引脚TZ2经RC延时电路做了一个RC时间常数的硬件延时(如延时1us)，第一中断信号引脚TZ1会先被触发，DSP芯片按软件逻辑关闭Q1、Q2、Q3、Q4四个晶体管，第二中断信号引脚TZ2晚1us后触发，DSP芯片按软件逻辑关闭Q5、Q6两个晶体管。因为Q5、Q6晚了一段时间关断，对线路中的di/dt进行了续流缓解，降低了V＝L*di/dt,di/dt对寄生电感参数的影响，从而达到降低Q5、Q6两端电压应力SPIKE的目的，有效的保护了晶体管。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有晶体管保护功能的单相逆变器拓扑结构，包括H6拓扑结构或HERIC拓扑结构，其特征在于：所述H6拓扑结构或HERIC拓扑结构的交流输出端设有电流互感器(HCT)，电流互感器(HCT)的输出端通过电压比较器(7)后分两路，其中一路直接...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨力俊，
申请(专利权)人：浙江艾罗网络能源技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：