一种带状线威尔金森功率分配合成器制造技术

本实用新型专利技术公开了功分器领域的一种带状线威尔金森功率分配合成器，包括腔体，所述腔体内上下分别布置有第一绝缘介质层与第二绝缘介质层；第一绝缘介质层与第二绝缘介质层之间布置有两个对称的分节导带，两个分节导带的其中一端分别作为功分器的第一端口，另一端相连接作为功分器的第二端口。本实用新型专利技术采用上下两个绝缘介质层将导体层固定在中间，提高了导体层与绝缘介质层接触的稳定性，从而使产品能够稳定达到低互调的效果。同时，导体层采用两个分支导带实现，能够实现功率的合成。能够实现功率的合成。能够实现功率的合成。

【技术实现步骤摘要】
一种带状线威尔金森功率分配合成器


[0001]本技术涉及功分器领域，具体是一种带状线威尔金森功率分配合成器。

技术介绍

[0002]功率分配器一般用于功率分配，功率合成器则可同时用与功率合成和分配，二者区别在于前者输出端口无隔离，后者输出端口有隔离。其基本工作原理均基于λ/4阻抗变换器，其中在宽带应用中，根据其带通响应函数可分为二项式响应和切比雪夫响应多节阻抗变换器。功率合成器根据分配原理，目前常用的有Wilkinson结构和Gysel结构。根据其采用微波传输线类型不同，可分为微带结构、带状线结构、同轴线结构、波导结构等。
[0003]在上述多种功率分配器和合成器中，功率分配器因不需要输出端口隔离且多工作在高功率情况下，多采用同轴线结构；功率合成器因需要输出端口隔离，多采用微带线结构，但同时由于微带线本身原因，很难实现高功率应用；而带状线则因为实现困难，在微带线出现后，带状线结构的功率合成器逐渐被微带线结构的代替。
[0004]随着微波通迅技术的发展，功率分配合成类器件的性能要求越来越高，如高功率、宽带特性、低互调等。而现有技术中，同轴型功率分配器具有高功率、低互调的优点，但因为结构原因一般不用于功率合成；微带型功率分配合成器采用平面结构，微带线路覆盖在介质层上，具有易实现输出端口隔离的优点，但由于材料和结构原因，介质层与微带线路的接触不够稳定，导致微带型功率分配合成器的产品互调不能稳定保持在150dBc以上，高功率低互调仍是其难以迈越之坎。
[0005]如何综合同轴型、微带型功分器的优点，使产品既能实现功率合成，具有高功率、低互调的技术效果，成为亟待解决的问题，申请人对此提出改进方案。

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于提供一种带状线威尔金森功率分配合成器，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0007]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0008]一种带状线威尔金森功率分配合成器，包括腔体，所述腔体内上下分别布置有第一绝缘介质层与第二绝缘介质层；第一绝缘介质层与第二绝缘介质层之间布置有两个对称的分节导带，两个分节导带的其中一端分别作为功分器的第一端口，另一端相连接作为功分器的第二端口。
[0009]作为进一步的改进方案，所述分节导带呈蛇形往复折叠弯折，且其宽度从第二端口到第一端口逐渐增大。
[0010]作为进一步的改进方案，所述分节导带为阶梯型结构。
[0011]作为进一步的改进方案，所述分节导带的水平横截面积为方形。
[0012]作为进一步的改进方案，两个分节导带之间连接有电阻。
[0013]作为进一步的改进方案，所述第一绝缘介质层的表面设有开槽。
[0014]作为进一步的改进方案，所述腔体内还紧配合有内盖板，所述内盖板与所述第一绝缘介质层紧密贴合。
[0015]作为进一步的改进方案，所述第一绝缘介质层和/或第二绝缘介质层为四周侧壁与腔体内壁完全贴合接触的整板结构。
[0016]作为进一步的改进方案，所述第一绝缘介质层和/或第二绝缘介质层为不完全与腔体内壁贴合接触的条形板状结构。
[0017]有益效果：本技术采用上下两个绝缘介质层将导体层固定在中间，提高了导体层与绝缘介质层接触的稳定性，从而使产品能够稳定达到低互调的效果。同时，导体层采用两个分支导带实现，能够实现功率的合成。
附图说明
[0018]图1为本技术的一个实施例不包含第一绝缘介质层与内盖板时的俯视示意图；
[0019]图2为本技术的一个实施例不包含内盖板时的俯视示意图；
[0020]图3为本技术的侧面剖视图；
[0021]图4为本技术的另一个实施例不包含第一绝缘介质层与内盖板时的俯视示意图。
[0022]图中：1
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腔体；2
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连接器；3
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第二绝缘介质层；4
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分节导带；5
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电阻；6
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第一绝缘介质层；7
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内盖板。
具体实施方式
[0023]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0024]实施例1，参见图1
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3，一种带状线威尔金森功率分配合成器，包括腔体1，腔体1内上下分别布置有第一绝缘介质层6与第二绝缘介质层3；第一绝缘介质层6与第二绝缘介质层3之间布置有两个分节导带4，两个分节导带4可以是对称或非对称结构。上下两个绝缘介质层用于固定中间的分支导带4，两个分节导带4的其中一端分别作为功分器的第一端口，另一端连接作为功分器的第二端口；腔体的外侧在第一端口、第二端口分别通过螺栓连接有连接器2。
[0025]区别于现有技术中微带线路单一覆盖在介质层的表现，本实施例中分节导带4布置在第一、第二绝缘介质层之间，分节导带4通过两个绝缘介质层固定，因此分节导带4与绝缘介质层能够维持稳定的贴合接触，使产品的互调稳定保持在160dBc及以上，达到低互调的效果。同时，由于分节导带4的结构形式类似于微带型功率分配合成器，两个第一端口可以作为功分器的输入端，第二端口可以作为功分器的输出端，从而实现产品的功率合成。相反的，两个第一端口作为输出端，第二端口作为输入端，可以实现产品的功率分配。
[0026]现有技术的微带功分器作为功率分配器使用时承受功率50W，作为合成器使用时承受功率5W。本实施例提供的功率分配合成器在作为分配器使用时可承受功率100W，作为
合成器使用时可承受功率5W，因此本实施例的功率分配合成器还能够实现高功率的效果。
[0027]区别于带状线结构的功率合成器中带状线导体被上中下介质全包裹。一般标准带状线导带厚度在0.018～0.1mm之间，上下覆盖介质。单层介质厚度在1.5～3mm之间，固导带较薄，可视作导带被介质完全覆盖。但是当导带厚度较厚如0.5mm以上时，标准带状线一般采用完全介质才能视作介质完全覆盖，其他介质将难以实现。
[0028]在导带较厚，如0.5mm以上其上下覆盖介质时，导带两侧无介质覆盖。此时带状线为非标准带状线，其传输性能与标准带状线有所区别，可以不完全按标准带状线设计。
[0029]采用本实施例的上下介质层固定中间导体层的结构，较容易实现导带被介质全覆盖，可按介质层
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导体层
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介质层直接放置即可。第一绝缘介质层6和/或第二绝缘介质层3可以为四周侧壁与腔体1内壁完全贴合接触的整板结构。又或者，第一绝缘介质层6和/或第二绝缘介质层3为不完全与腔体1内壁贴合接触的条形结构，仅覆盖导体层即可。
[0030]本实施例中的第一绝缘介质层6、第二绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带状线威尔金森功率分配合成器，其特征在于，包括腔体(1)，所述腔体(1)内上下分别布置有第一绝缘介质层(6)与第二绝缘介质层(3)；第一绝缘介质层(6)与第二绝缘介质层(3)之间布置有多个分节导带(4)，多个分节导带(4)的其中一端分别作为功分器的第一端口，另一端相连接作为功分器的第二端口。2.根据权利要求1所述的一种带状线威尔金森功率分配合成器，其特征在于，所述分节导带(4)呈蛇形往复折叠弯折。3.根据权利要求1所述的一种带状线威尔金森功率分配合成器，其特征在于，所述分节导带(4)为阶梯型结构。4.根据权利要求1或2所述的一种带状线威尔金森功率分配合成器，其特征在于，所述分节导带(4)的水平横截面积为方形。5.根据权利要求1或2所述的一种带状线威尔金森功率分配...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐伟，李嘉国，
申请(专利权)人：合肥威科电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：