用于单晶生长的原料供应设备制造技术

一种用于单晶生长的原料供应设备，根据本发明专利技术的实施例，该原料供应设备包括：进料单元，该进料单元存储多晶原料并且以预定量供应多晶原料；除尘单元，该除尘单元包括一端布置在进料单元下方的坡道，并且该坡道具有用于过滤从进料单元供应的多晶原料中的粉尘的吸尘口；以及传送单元，该传送单元布置在坡道的另一端下方，以将已穿过坡道的多晶原料自动传送到装料料斗。料料斗。料料斗。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于单晶生长的原料供应设备


[0001]本专利技术涉及一种用于单晶生长的原料供应设备，该原料供应设备可在自动输入多晶原料的过程中有效地去除粉尘。

技术介绍

[0002]根据柴可拉斯基法，可通过将多晶硅多晶供应到坩埚，加热坩埚以熔化(熔化)多晶硅，然后在浸入到熔体中的同时逐渐升高单晶晶种(晶种)来生长单晶锭。
[0003]最近，为了提高硅单晶的生产率，需要增加装料(装料)量。
[0004]目前，已经执行了由于初始装料(初始装料)量有限而不断装入一定量的初始多晶硅，熔化多晶硅，然后通过装料料斗重新装料(重新装料)多晶硅的方法。
[0005]多晶硅以具有一定尺寸或更小尺寸的多晶形式被供应到装料料斗，并且通过连续的输送带传送和供应，以便将多晶原料供应到装料料斗。
[0006]由于在传送和供应这种多晶原料的同时会产生粉尘，并且多晶原料不均匀地传送和偏心，因此多晶原料会落下并且分离到外面，使得不仅可能造成多晶原料的损失，而且可能严重污染工作环境。
[0007]此外，在单晶生长的过程中，多晶原料的粉尘可不会熔化或可能会氧化，从而对单晶生长产生负面影响并且降低生产率。
[0008]因此，通过箱或圆柱形筛子去除多晶原料的粉尘，并且操作者手动去除粉尘的多晶原料被传送到装料料斗。
[0009]然而，当使用根据现有技术的筛子去除多晶原料的粉尘时，随着使用次数的增加，筛子的孔被堵塞，因此除尘效率降低，除尘能力有限，并且存在多晶原料不仅可能因与筛子的孔碰撞而损坏，而且可能被筛子的磨损件进一步污染的问题。
[0010]此外，由于操作者通过手段操作移动多晶原料，因此存在工作量增加和事故风险增加的问题。

技术实现思路

[0011]技术问题
[0012]本专利技术旨在解决相关技术中的上述问题，并且提供一种用于单晶生长的原料供应设备，该原料供应设备能够在自动供给多晶原料的同时有效地去除粉尘。
[0013]技术方案
[0014]本实施例的用于单晶生长的原料供应设备包括：进料单元，该进料单元被配置成存储多晶原料并且供应预定量的多晶原料；除尘单元，该除尘单元包括坡道，该坡道具有设置在进料单元的下侧的一端，并且该坡道设置有用于过滤从进料单元供应的多晶原料的粉尘的吸尘口；以及传送单元，该传送单元设置在坡道的另一端的下侧，并且将已经穿过坡道的多晶原料自动传送到装料料斗。
[0015]进料单元可包括其中存储有多晶原料的存储料斗，以及门，该门被配置成自动打
开和关闭料斗的下部分。
[0016]存储料斗和门可由聚乙烯材料制成。
[0017]坡道可位于进料单元的下侧和传送单元的上侧之间，并且安装成从进料单元的下侧朝向传送单元的上侧向下倾斜。
[0018]坡道可安装成从进料单元的下侧朝向传送单元的下侧向下倾斜35
°
至45
°
。
[0019]坡道还可包括在两端向上突出的一对引导壁，该一对引导壁高于多晶原料的高度。
[0020]坡道还包括筛选突起，该筛选突起向上突出以穿过引导壁，该筛选突起高于预定粉尘的高度，并且低于多晶原料的高度，吸尘口能够设置成与筛选突起相邻，使得由筛选突起过滤的粉尘被吸入。
[0021]吸尘口可设置成具有与筛选突起相同形状的狭缝孔形状，以穿过坡道的两端。
[0022]筛选突起可设置成从坡道的中心朝向两端向下的越南帽形状。
[0023]筛选突起和吸尘口可沿坡道的倾斜方向以预定距离设置有至少两个。
[0024]坡道可由聚乙烯材料制成。
[0025]本实施例还可包括第一排尘单元，该第一排尘单元设置在坡道的下侧并且被配置成收集通过吸尘口过滤的粉尘。
[0026]第一排尘单元可包括设置在坡道下方的第一排气罩、被配置成与第一排气罩的下侧连通的第一排气通道、安装在第一排气通道上的第一排气过滤器，以及安装在第一排气通道上的第一排气泵。
[0027]传送单元可包括：传送箱，该传送箱被配置成容纳由坡道引导的多晶原料；以及输送带，传送箱位于该输送带上，并且该输送带被配置成沿正/反方向传送该传送箱。
[0028]传送箱可由聚乙烯材料制成。
[0029]输送带可包括：上升路径，该上升路径被配置成从坡道的另一端的下侧沿向上倾斜方向引导传送箱；以及下降路径，该下降路径被配置成沿向下倾斜方向将传送箱引导到装料料斗。
[0030]本实施例还可包括第二排尘单元，该第二排尘单元设置在输送带的下侧并且被配置成收集传送箱和输送带周围的粉尘。
[0031]第二排尘单元可包括设置在输送带的下侧并且大于输送带的第二防尘罩、被配置成与第二防尘罩的下侧连通的第二排气通道、安装在第二排气通道上的第二排气过滤器，以及安装在第二排气通道上的第二排气泵。
[0032]本实施例还可包括：腔室，进料单元、除尘单元和传送单元构建在腔室中；以及吹风机，该吹风机设置在腔室上方，并且被配置成使腔室内的空气流向下流动。
[0033]有益效果
[0034]根据本实施例，在多晶原料穿过除尘单元的坡道的同时除尘，并且由传送单元自动将除尘后的多晶原料供应到装料料斗，从而在多晶原料传送的过程中有效地除尘，不仅可以减少由多晶原料的传送造成的工作量，而且可以防止操作者的污染。
[0035]此外，通过第一排尘单元排出残留在除尘单元的吸尘口中的粉尘，或通过第二排尘单元排出传送单元周围的粉尘，即使在重复使用后，也可以提高多晶原料的除尘效率。此外，可以为单晶生长过程提供去除粉尘的干净的多晶原料，并且防止单晶生长的产量和质
量因粉尘而劣化。
[0036]此外，即使当在多晶原料的传送过程中去除粉尘时，吹风机也会在腔室中形成向下流动的空气流，从而将由于粉尘的散布或扩散造成周围污染的风险降至最低。
附图说明
[0037]图1是示出了实施例的用于单晶生长的原料供应设备的侧视截面图。
[0038]图2至图4是示出了包括在实施例中的坡道的各种实施例的平面图。
[0039]图5是示出了包括在实施例中的传送单元的实施例的平面图。
[0040]图6是示出了实施例的用于单晶生长的原料供应设备的运行状态的侧视截面图。
[0041]图7是示出了包括在实施例中的坡道的运行状态的平面图。
具体实施方式
[0042]在下文中，将参照附图详细说明实施例。
[0043]图1是示出了实施例的用于单晶生长的原料供应设备的侧视截面图，图2至图4是示出了包括在实施例中的坡道的各种实施例的平面图，以及图5是示出了包括在实施例中的传送单元的实施例的平面图。
[0044]如图1至图5所示，实施例的用于单晶生长的原料供应设备包括进料单元110、除尘单元120、第一排尘单元130、传送单元140、第二排尘单元150、装料料斗160、腔室170和吹风机180。
[0045]进料单元110可被配置成不仅存储多晶原料，而且供应预定量的多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于单晶生长的原料供应设备，所述原料供应设备包括：进料单元，所述进料单元被配置成存储多晶原料并且供应预定量的多晶原料；除尘单元，所述除尘单元包括坡道，所述坡道具有设置在进料单元的下侧的一端，并且所述坡道设置有用于过滤从进料单元供应的多晶原料的粉尘的吸尘口；以及传送单元，所述传送单元设置在坡道的另一端的下侧，并且将已经穿过坡道的多晶原料自动传送到装料料斗。2.根据权利要求1所述的用于单晶生长的原料供应设备，其中，所述进料单元包括：存储料斗，多晶原料存储在所述存储料斗中；以及门，所述门被配置成自动打开和关闭料斗的下部分。3.根据权利要求2所述的用于单晶生长的原料供应设备，其中，所述存储料斗和所述门由聚乙烯材料制成。4.根据权利要求1所述的用于单晶生长的原料供应设备，其中，所述坡道位于所述进料单元的下侧和所述传送单元的上侧之间，并且安装成从所述进料单元的下侧朝向所述传送单元的上侧向下倾斜。5.根据权利要求4所述的用于单晶生长的原料供应设备，其中，所述坡道安装成从所述进料单元的下侧朝向所述传送单元的下侧向下倾斜35
°
至45
°
。6.根据权利要求4所述的用于单晶生长的原料供应设备，其中，所述坡道还包括在两端向上突出的一对引导壁，所述一对引导壁高于所述多晶原料的高度。7.根据权利要求6所述的用于单晶生长的原料供应设备，其中，所述坡道还包括筛选突起，所述筛选突起向上突出以穿过所述引导壁，所述筛选突起高于预定粉尘的高度，并且低于所述多晶原料的高度，以及所述吸尘口能够设置成与所述筛选突起相邻，使得由所述筛选突起过滤的粉尘被吸入。8.根据权利要求7所述的用于单晶生长的原料供应设备，其中，所述吸尘口设置成具有与所述筛选突起相同形状的狭缝孔形状，以穿过所述坡道的两端。9.根据权利要求7所述的用于单晶生长的原料供应设备，其中，所述筛选突起设置成从所述坡道的中心朝向两端向下的越南帽形状。10.根据权利要求7所述的用于单晶生长的原料供应设备，其中，所述筛选突起和所述吸尘口沿所述坡道的倾斜方向以预定距离设置有至少两个。11.根据权利要求7所述的用于单晶生长的原料供应设备，其中，所述坡...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴炳祐，白盛喆，李相宪，
申请(专利权)人：爱思开矽得荣株式会社，
类型：发明
国别省市：