一种电磁屏蔽复合材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及磁性屏蔽材料技术领域，具体涉及一种电磁屏蔽复合材料及其制备方法，包括：由下至上依次层叠的磁体层、铁硅铝屏蔽层、非晶层和金属层；所述磁体层为经过热处理的高Bs纳米晶材料；所述非晶层为非晶软磁材料。本发明专利技术的有益效果在于：通过在电磁屏蔽复合材料中添加经过热处理的高Bs纳米晶材料作为磁体层，并添加未经过热处理的非晶软磁材料作为非晶层，避免了现有技术中基于单一类型软磁材料其屏蔽范围较窄的问题，同时，通过在磁体层和非晶层之间设置铁硅铝屏蔽层，在具有较好的导电性的同时，实现了对相对较宽的频率范围中的电磁波的有效吸收，提高了电磁屏蔽复合材料的屏蔽范围。蔽范围。蔽范围。

【技术实现步骤摘要】
一种电磁屏蔽复合材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及磁性屏蔽材料
，具体涉及一种电磁屏蔽复合材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着科技的进步，网络技术不断发展尤其是进入5G时代，高密度记录技术、大数据传输速率、冷冻技术等领域的发展，尤其是高精密设备防电磁干扰，高速数据传输线缆的的电磁屏蔽和饱和电流的要求。对部件具备高性能、质量高、厚度薄、低成本，这就要求制备屏蔽的软磁合金等金属功能材料不断提高性能和降低成本。高Bs亚纳米晶软磁合金作为新一代的功能材料，比常规的非晶纳米晶具有优良的软磁性能，如高饱和磁感应强度，饱和电流强度大等特点。高低频率EMI吸波材料具有高磁导率，恒导特性。
[0003]现有技术中，已存在有基于软磁合金制备得到的屏蔽材料，比如，中国专利CN201911346710.9公开了一种软磁材料和金属复合叠层的宽频高效率电磁屏蔽材料，该材料是通过将金属层和软磁材料进行叠层放置，从而实现电磁屏蔽效果。
[0004]但是，在实际实施过程中，专利技术人发现，现有技术中的电磁屏蔽材料，其通常是将金属和软磁材料进行简单叠加来得到电磁屏蔽材料，其电磁屏蔽性能实际仅能够覆盖较窄的屏蔽频率范围，不能很好地满足复杂电磁环境下对各类电磁波的屏蔽需求。

技术实现思路

[0005]针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种电磁屏蔽复合材料；另一方面，还提供该电磁屏蔽复合材料的制备方法。
[0006]具体技术方案如下：
[0007]一种电磁屏蔽复合材料，包括：
>[0008]由下至上依次层叠的磁体层、铁硅铝屏蔽层、非晶层和金属层；
[0009]所述磁体层为经过热处理的高Bs纳米晶材料；
[0010]所述非晶层为非晶软磁材料。
[0011]优选地，所述铁硅铝屏蔽层由83％～95％质量分数的铁、4％～10％质量分数的硅和1％～7％质量分数的铝组成。
[0012]优选地，所述磁体层与所述铁硅铝屏蔽层之间、所述非晶层与所述铁硅铝屏蔽层之间、金属层与所述非晶层之间分别设置有胶层。
[0013]优选地，所述金属层包括铝箔、铜箔。
[0014]一种电磁屏蔽复合材料的制备方法，用于制备上述的电磁屏蔽复合材料，包括：
[0015]步骤S1：对磁体带材进行预处理形成预处理带材；
[0016]步骤S2：在所述预处理带材上形成铁硅铝屏蔽层；
[0017]步骤S3：在所述铁硅铝屏蔽层上方形成非晶层；
[0018]步骤S4：在所述非晶层上方形成金属层。
[0019]优选地，所述步骤S1包括：
[0020]步骤S11：将亚纳米晶软磁合金绕制成磁环并热处理形成热处理磁环；
[0021]步骤S12：将所述热处理磁环展平形成热处理带材；
[0022]步骤S13：对所述热处理带材进行辊压，形成所述预处理带材。
[0023]优选地，所述步骤S13中，采用超声波辊压设备对热处理带材进行辊压，并在所述热处理带材的表面形成辊压花纹。
[0024]优选地，所述辊压花纹的形状包括正方形、长方形、正六边形。
[0025]优选地，于所述步骤S2之前，还包括一屏蔽层制备过程，所述屏蔽层制备过程包括：
[0026]步骤A1：称量特定比例的铁粉、硅粉和铝粉进行球磨混合，形成合金粉体；
[0027]步骤A2：将所述合金分体与铁粉、三元乙丙橡胶混合形成浆料；
[0028]步骤A3：对所述浆料进行涂布并烘干形成金属膜；
[0029]步骤A4：对所述金属膜进行热压得到所述铁硅铝屏蔽层。
[0030]优选地，所述步骤A1中，所述球磨混合的过程包括：
[0031]将所述铁粉、所述硅粉和所述铝粉添加至盛放有氧化锆球的球磨罐中进行球磨，所述氧化锆球的质量和粉末总质量的比例为21∶1，球磨时长大于80小时。
[0032]上述技术方案具有如下优点或有益效果：通过在电磁屏蔽复合材料中添加经过热处理的高Bs纳米晶材料作为磁体层，并添加未经过热处理的非晶软磁材料作为非晶层，避免了现有技术中基于单一类型软磁材料其屏蔽范围较窄的问题，同时，通过在磁体层和非晶层之间设置铁硅铝屏蔽层，在具有较好的导电性的同时，实现了对相对较宽的频率范围中的电磁波的有效吸收，提高了电磁屏蔽复合材料的屏蔽范围。
附图说明
[0033]参考所附附图，以更加充分的描述本专利技术的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本专利技术范围的限制。
[0034]图1为本专利技术实施例的整体示意图；
[0035]图2为本专利技术另一实施例的整体示意图；
[0036]图3为本专利技术实施例中制备方法示意图；
[0037]图4为本专利技术实施例中步骤S1示意图；
[0038]图5为本专利技术实施例中超声波辊压设备示意图；
[0039]图6为本专利技术实施例中屏蔽层制备过程示意图。
具体实施方式
[0040]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0041]需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0042]下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为本专利技术的限定。
[0043]本专利技术包括：
[0044]一种电磁屏蔽复合材料，包括：磁体层A1、铁硅铝屏蔽层A2、非晶层A3和金属层A4；
[0045]磁体层A1为经过热处理的高Bs纳米晶材料；
[0046]非晶层A3为非晶软磁材料。
[0047]具体地，针对现有技术中的软磁电磁屏蔽材料，其屏蔽频率范围较窄的问题，本实施例中，通过选择将热处理后的高Bs纳米晶材料作为磁体层A1，并将未经过热处理的非晶软磁材料作为非晶层A3，相对于单一软磁材料实现了较宽的屏蔽频率范围，同时，通过在磁体层A1和非晶层A3之间添加铁硅铝屏蔽层A2，实现了对高频电磁波和低频电磁波较好的吸收效果，进而使得最终制备形成的电磁屏蔽复合材料具有了较宽的屏蔽频率范围。
[0048]在一种较优的实施例中，如图2所示，磁体层B1与铁硅铝屏蔽层B2之间、非晶层B3与铁硅铝屏蔽层B2之间、金属层B4与非晶层B2之间设置有胶层B5。
[0049]具体地，为实现电磁屏蔽复合材料较宽的屏蔽频率范围，本实施例中，通过在选用特定材质的磁体层B1、铁硅铝屏蔽层B2、非晶层B3与金属层B4后，通过胶层B5对各层进行粘贴，从而实现较好的粘合效果，进而使得最终形成的电磁屏蔽复合材料可通过多种不同的材料实现较宽的屏蔽频率范围。
[0050]在实施过程中，根据实际工艺需要，胶层B5可设置为双面胶、粘结剂等，在此并不加以限制。
[0051]在一种较优的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电磁屏蔽复合材料，其特征在于，包括由下至上依次层叠的磁体层、铁硅铝屏蔽层、非晶层和金属层；所述磁体层为经过热处理的高Bs纳米晶材料；所述非晶层为非晶软磁材料。2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽复合材料，其特征在于，所述铁硅铝屏蔽层由83％～95％质量分数的铁、4％～10％质量分数的硅和1％～7％质量分数的铝组成。3.根据权利要求1所述的电磁屏蔽复合材料，其特征在于，所述磁体层与所述铁硅铝屏蔽层之间、所述非晶层与所述铁硅铝屏蔽层之间、金属层与所述非晶层之间分别设置有胶层。4.根据权利要求1所述的电磁屏蔽复合材料，其特征在于，所述金属层包括铝箔、铜箔。5.根据权利要求1所述的电磁屏蔽复合材料，其特征在于，磁体层表面设置有辊压花纹，所述辊压花纹的形状包括正方形、长方形、正六边形。6.一种电磁屏蔽复合材料的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1
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5任意一项所述的电磁屏蔽复合材料，包括：步骤S1：对高Bs纳米晶材料进行预处理形成预处理带材；步骤S2：在所述预处理带材上形成铁硅铝屏蔽层；步骤S3：在所述铁硅铝屏蔽层上方形成非晶层；步骤S4：在...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐可心，
申请(专利权)人：宁波中益赛威材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：