一种制备腐蚀箔的发孔腐蚀的处理方法及其应用技术

本发明专利技术提供了一种制备腐蚀箔的发孔腐蚀的处理方法及其应用。所述发孔腐蚀的方法包括以下步骤：S1.将前处理后的铝箔放入发孔溶液中进行第一级发孔，并施加第一衰减式电流；S2.当电流密度衰减至i0的10～20％时，断开电流，将铝箔放入中处理液中进行中处理；S3.将中处理后的铝箔放入发孔溶液中进行第二级发孔，并施加第二衰减式电流，初始电流的电流密度为i0的10～20％；S4.将处理后的铝箔依次重复S1.～S3.，重复次数至少为3次；其中，所述中处理液为含有1wt～5wt％的磷酸和0.005wt～0.06wt％的添加剂的溶液。所述处理方法可以改善后续腐蚀工艺中无效孔洞堵塞，并减少短孔数量，制备得到的腐蚀箔具有较高比容、拉力和折弯性能，同时腐蚀箔孔洞均匀性提高。时腐蚀箔孔洞均匀性提高。时腐蚀箔孔洞均匀性提高。

【技术实现步骤摘要】
一种制备腐蚀箔的发孔腐蚀的处理方法及其应用


[0001]本专利技术属于腐蚀箔发孔腐蚀
，具体涉及一种制备腐蚀箔的发孔腐蚀的处理方法及其应用。

技术介绍

[0002]腐蚀箔是制造铝电解电容器的关键原材料，常规的腐蚀箔制造工艺主要包括前处理、多级发孔腐蚀、扩孔腐蚀、后处理等工序。现有技术中前处理可以有效去除铝箔表面的油污、杂质和自然氧化膜，但是常规的发孔工艺，会存在孔洞没有继续生长或生长不完全导致无效发孔。
[0003]而这些无效孔洞在后续应用中会造成孔洞堵塞，导致腐蚀箔的比容偏低，同时无效孔洞也可能造成短孔的产生，影响腐蚀孔洞的均一性。因此，需要提供一种新的制备腐蚀箔的发孔腐蚀的处理方法，来减少无效发孔，改善腐蚀孔洞的均一性和比容以及拉力、折弯强度等性能。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于克服现有技术不足，提供了一种制备腐蚀箔的发孔腐蚀的处理方法，经过第一级发孔后的铝箔，采用含有磷酸和添加剂的中处理液进行中处理，可以改善后续腐蚀工艺中无效孔洞堵塞，并减少短孔数量，制备得到的腐蚀箔具有较高比容、拉力和折弯性能，同时腐蚀箔孔洞均匀性提高。
[0005]为实现上述目的，本专利技术通过以下技术方案来实现的：
[0006]一种制备腐蚀箔的发孔腐蚀的处理方法，包括如下步骤：
[0007]S1.将前处理后的铝箔放入发孔溶液中进行第一级发孔，并施加第一衰减式电流，初始电流的电流密度为i0；
[0008]S2.当电流密度衰减至i0的10～20％时，断开电流，将铝箔放入中处理液中进行中处理；
[0009]S3.将中处理后的铝箔放入发孔溶液中进行第二级发孔，并施加第二衰减式电流，第二衰减式电流的初始电流的电流密度为i0的10～20％，当电流密度衰减至i0的2～8％时完成发孔；
[0010]S4.将处理后的铝箔依次重复S1.～S3.，重复次数至少为3次；
[0011]其中，所述中处理液为含有1wt～5wt％的磷酸和0.005wt～0.06wt％的添加剂的溶液；所述添加剂为聚乙二醇、十二烷基苯磺酸钠或多聚磷酸中的一种或几种。
[0012]上述方案中，在发孔过程中，当电流密度衰减至初始电流的10～20％时，采用含有磷酸和添加剂的溶液进行中处理，可以使铝箔表面形成一层氧化膜的同时吸附添加剂生成高分子膜，高分子膜可提高发孔所需的能量；在第二级发孔时，施加的电流无法生成新的孔洞，从而减少了无效孔洞的生成，有助于比容的提高，同时第二级发孔时，施加的电流可以用于已形成的孔洞的生长以提高腐蚀孔洞的均一性。
[0013]本专利技术中，可以根据现有技术选用腐蚀箔的发孔腐蚀选用i0。优选地，i0为1.2～1.8A/cm2。
[0014]本专利技术中，所述第一衰减式电流的电流密度在8～16s内衰减至i0的10～20％；所述第二衰减式电流的电流密度在2～10s内衰减至i0的2～8％。
[0015]具体地，所述第一衰减式电流为：初始电流的电流密度为1.2～1.8A/cm2，在8～16s内衰减至0.12～0.36A/cm2。
[0016]所述第二衰减式电流为：初始电流的电流密度为0.12～0.36A/cm2，在2～10s内衰减至0.04～0.1A/cm2。
[0017]优选地，所述发孔溶液为含有35wt～45wt％硫酸、7wt～9wt％盐酸和0.4wt～0.6wt％的铝离子的混合溶液。
[0018]优选地，所述发孔溶液的温度为65～75℃。
[0019]优选地，所述中处理液为含有1wt～5wt％的磷酸和0.03wt～0.05wt％的添加剂的溶液。
[0020]更优选地，所述中处理液为3wt～4wt％的磷酸和0.03wt～0.05wt％的添加剂的溶液。
[0021]优选地，所述中处理的时间为20～60s。
[0022]优选地，所述中处理的温度为60～85℃。
[0023]优选地，步骤S1.中，所述前处理为碱处理、磷酸溶液处理或盐酸溶液处理中的一种。
[0024]本专利技术的另一目的在于提供一种发孔铝箔。
[0025]本专利技术的另一目的在于提供一种腐蚀箔的制备方法。
[0026]一种腐蚀箔的制备方法，包括以下步骤：将上述方法制得的发孔铝箔依次进行扩孔腐蚀、后处理、烘干处理。
[0027]具体地，所述腐蚀箔的制备方法包括以下步骤：
[0028]S11.应用所述发孔腐蚀的处理方法对铝箔进行处理得到发孔铝箔；
[0029]S12.将所述发孔铝箔放入扩孔溶液中加电腐蚀，得到扩孔铝箔；
[0030]S13.将所述扩孔铝箔放入含铝的硝酸溶液处理50～70s，清洗，烘干。
[0031]本专利技术中，可以参考现有技术的腐蚀箔制备方法选用扩孔溶液。优选地，步骤S12.中，所述扩孔溶液为含有6wt～10wt％的硝酸和0.6wt～0.8wt％铝离子的混合溶液。
[0032]本专利技术中，可以参考现有技术的腐蚀箔制备方法选用扩孔溶液的温度范围。优选地，步骤S12.中，所述扩孔溶液温度为65～75℃。
[0033]本专利技术中，可以参考现有技术的腐蚀箔制备方法选用加电腐蚀的电流密度。优选地，步骤S12.中，所述加电腐蚀的电流密度为0.1～0.2A/cm2。
[0034]本专利技术中，可以参考现有技术的腐蚀箔制备方法选用加电腐蚀的时间。优选地，步骤S12.中，所述加电腐蚀的时间为450～650s。
[0035]优选地，步骤S14.中，所述含铝的硝酸溶液为4.5wt～5.5wt％的硝酸和0.3wt～0.5wt％铝离子的混合溶液。
[0036]一种腐蚀箔，采用上述方法制得。
[0037]本专利技术的另一目的在于提供一种阳极箔的制备方法。
[0038]与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：
[0039]本专利技术提供一种腐蚀箔的发孔腐蚀的处理方法，本专利技术在第一级发孔采用衰减式电流，当电流衰减至初始电流的10～20％时，断电后采用含有磷酸和添加剂的溶液进行中处理，中处理后再施加较小电流进行第二级发孔。采用本专利技术发孔腐蚀处理方法后制得的腐蚀箔比容、拉力和折弯性能较好，且可以有效减少短孔的数量，提高腐蚀孔洞的均一性。
附图说明
[0040]图1为实施例1发孔腐蚀处理方法后制备的腐蚀箔截面形貌图；
[0041]图2为对比例1发孔腐蚀处理方法后制备的腐蚀箔截面形貌图。
具体实施方式
[0042]下面结合具体实施例对本专利技术做出进一步地详细阐述，所述实施例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。下述实施例中所使用的试验方法如无特殊说明，均为常规方法；所使用的材料、试剂等，如无特殊说明，为可从商业途径得到的试剂和材料。
[0043]实施例中所用的铝箔：厚度为130μm，型号：L9090503
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03，购自购自东阳光精箔有限公司；所用氢氧化钠、硫酸、硝酸、磷酸、聚乙二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备腐蚀箔的发孔腐蚀的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.将前处理后的铝箔放入发孔溶液中进行第一级发孔，并施加第一衰减式电流，初始电流的电流密度为i0；S2.当电流密度衰减至i0的10～20％时，断开电流，将铝箔放入中处理液中进行中处理；S3.将中处理后的铝箔放入发孔溶液中进行第二级发孔，并施加第二衰减式电流，第二衰减式电流的初始电流的电流密度为i0的10～20％，当电流密度衰减至i0的2～8％时完成发孔；S4.将处理后的铝箔依次重复S1.～S3.，重复次数至少为3次；其中，所述中处理液为含有1wt～5wt％的磷酸和0.005wt～0.06wt％的添加剂的溶液；所述添加剂为聚乙二醇、十二烷基苯磺酸钠或多聚磷酸中的一种或几种。2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述中处理液为含有1wt～5wt％的磷酸和0.03wt～0.05wt％的添...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫小宇，赵龙，谢文娟，何凤荣，陈锦雄，李洪伟，
申请(专利权)人：韶关东阳光科技研发有限公司东莞东阳光科研发有限公司，
类型：发明
国别省市：