一种氩弧焊电子高频高压的放电电路制造技术

本发明专利技术涉及氩弧焊技术领域，具体地说是一种氩弧焊电子高频高压的放电电路。一种氩弧焊电子高频高压的放电电路，包括芯片二，其特征在于：所述的芯片二的COMP引脚分别连接电阻九的一端、电阻十的一端、三极管五的集电极、电容七的一端，电阻九的另一端连接电容二十二的一端，电容二十二的另一端接地，电阻十的另一端分别连接电容七的另一端、电阻十一的一端、电阻十二的一端、电阻十三的一端、芯片二的VFB引脚，电阻十一的另一端接地，电阻十二的另一端分别连接电阻十三的一端、电容八的一端、二极管十的阴极，电容八的另一端接地，芯片二的VREF引脚分别连接电容十的一端。同现有技术相比，高频高压输出且高频干扰小、放电快。放电快。放电快。

【技术实现步骤摘要】
一种氩弧焊电子高频高压的放电电路


[0001]本专利技术涉及氩弧焊
，具体地说是一种氩弧焊电子高频高压的放电电路。

技术介绍

[0002]在现阶段的焊接电源市场中，融化及气体保护焊（氩弧焊）的起弧方式通常都是采用高频高压的起弧方式。目前国内市场中所用到的起弧方式多为火花气隙放电高频，高压变压器产生高压，通过谐振电容释放高频高压。该种高频电路所释放的电压足够大，能够达到10kV以上，能够达到很好的起弧效果。因此绝大部分氩弧焊电源都是采用的该种高频起弧电路。然而，上述火花气隙高频，存在以下问题：(1) 因为输出电压高，并且频率也很高，会导致相应的高频干扰难以控制。这种高频方式使用在带MCU控制的机器上容易造成单片机死机等现象。(2)高频产生的电压没有有效的放电电路，因此使用过后如果人为触碰会出现电击现象，安全性不是很好。(3)高频谐振电容是高压瓷片电容，长时间工作的话会出现爆裂的现象，造成焊机无高频输出。

技术实现思路

[0003]本专利技术为克服现有技术的不足。提供一种氩弧焊电子高频高压的放电电路，高频高压输出且高频干扰小、放电快。
[0004]为实现上述目的，设计一种氩弧焊电子高频高压的放电电路，包括芯片二，其特征在于：所述的芯片二的COMP引脚分别连接电阻九的一端、电阻十的一端、三极管五的集电极、电容七的一端，电阻九的另一端连接电容二十二的一端，电容二十二的另一端接地，电阻十的另一端分别连接电容七的另一端、电阻十一的一端、电阻十二的一端、电阻十三的一端、芯片二的VFB引脚，电阻十一的另一端接地，电阻十二的另一端分别连接电阻十三的一端、电容八的一端、二极管十的阴极，电容八的另一端接地，芯片二的VREF引脚分别连接电容十的一端、电阻八的一端，电容十的另一端接地，电阻八的另一端分别连接电容九的一端、芯片二的RT/CT引脚，电容九的另一端接地，芯片二的VCC引脚连接VCC电源端，芯片二的GND引脚接地，芯片二的ISENSE引脚分别连接电容十一的一端、电阻七的一端，电容十一的另一端接地，电阻七的另一端分别连接电阻一的一端、电阻二的一端、电阻三的一端、电阻四的一端、电阻五的一端、电阻六的一端、场效应管二的源极，电阻一的另一端、电阻二的另一端、电阻三的另一端、电阻四的另一端、电阻五的另一端、电阻六的另一端合并后接地，芯片二的OUT引脚分别连接二极管四的阴极、电阻十四的一端，二极管四的阳极接地，电阻十四的另一端分别连接电阻三十的一端、场效应管二的栅极，电阻三十的另一端接地，场效应管二的漏极分别连接二极管五的阳极、变压器的10号端口，二极管五的阴极分别连接电阻十五的一端、电容十二的一端，电阻十五的另一端、电容十二的另一端合并后共同连接电容十三的一端、电容十四的一顿及24V电压，电容十三及电容十四的另一端合并后共同接地，变压器的1号端口连接24V电压、变压器的3号端口分别连接电阻十七的一端、电阻十六的一端，电阻十七的另一端分别连接电容十五的一端、二极管十的阳极，电容十五的另
一端接地，电阻十六的另一端接地，变压器的5号端口接地，变压器的6号端口连接二极管八的阳极，二极管八的阴极连接二极管七的阳极，二极管七的阴极分别连接电容十六的一端、电阻一百七十二的一端、接线端子九的1号端口，电容十六的另一端接地，电阻一百七十二的另一端连接电阻一百七十三的一端，电阻一百七十三的另一端接地，接线端子九的2号端口分别连接可控硅的阳极、压敏电阻的一端、二极管三十一的阴极，可控硅的阴极、压敏电阻的另一端、二极管三十一的阳极合并后共同接地，可控硅的控制极分别连接电阻二十八的一端、电阻二十九的一端，电阻二十九的另一端接地，电阻二十八的另一端连接电容十七的一端，电容十七的另一端分别连接三极管六的发射极、三极管七的发射极，三极管六的集电极连接VCC电源端，三极管七的集电极接地，三极管六的基极与三极管七的基极合并后共同连接芯片三的OUT引脚、二极管十三阳极、电阻二十六的一端，芯片三的THRES引脚与TRIG引脚合并后共同连接电阻二十六的另一端、电容二十三的一端、二极管三的阴极，电容二十三的另一端接地，二极管三的阳极分别连接二极管二的阳极、电阻二十四的一端、电容二十的一端、电阻二十三的一端、接线端子四的一号端口、二极管四十二的阳极、三极管八的集电极，二极管二的阴极分别连接二极管十三的阴极、电阻二十七的一端、电阻二十五的一端，电阻二十七的另一端连接三极管五的基极，三极管五的发射极接地，电阻二十五的另一端接地，电阻二十四的另一端连接发光二极管的阴极，发光二极管的阳极连接24V电压，电容二十的另一端接地，电阻二十三的另一端连接VCC电源端，芯片三的CONT引脚分别连接电容二十一的一端、电容二十四的一端，电容二十一的另一端与电容二十四的另一端合并后共同接地，芯片三的GND引脚接地，芯片三的VCC引脚分别连接VCC电源端、芯片三的RST引脚、电容十八的一端，电容十八的另一端接地，接线端子四的三号端口分别连接24V电压、二极管四十二的阴极、电阻一百四十四的一端，电阻一百四十四的另一端连接光耦的4号端口，光耦的1号端口连接电阻一百四十三的一端，电阻一百四十三的另一端连接接线端子三十一的一号端口，接线端子三十一的二号端口连接光耦的二号端口，光耦的三号端口分别连接电阻一百七十一的一端、三极管八的基极，电阻一百七十一的另一端与三极管八的发射极合并后共同接地，接线端子四的2号端口接地。
[0005]所述的芯片二的型号为UC3845。
[0006]所述的场效应管二的型号为IRF640N。
[0007]所述的变压器的初次级匝比为350:9:6。
[0008]所述的变压器的型号为T125079。
[0009]所述的可控硅的型号为VS
‑
40TPS16。
[0010]所述的压敏电阻的型号为112KD14。
[0011]所述的二极管三十一的型号为MUR15120。
[0012]所述的芯片三的型号为NE555TR。
[0013]本专利技术同现有技术相比，高频高压输出且高频干扰小、放电快。
附图说明
[0014]图1为本专利技术的电路图。
具体实施方式
[0015]下面根据附图对本专利技术做进一步的说明。
[0016]如图1所示，芯片二U2的COMP引脚分别连接电阻九R9的一端、电阻十R10的一端、三极管五Q5的集电极、电容七C7的一端，电阻九R9的另一端连接电容二十二C22的一端，电容二十二C22的另一端接地，电阻十R10的另一端分别连接电容七C7的另一端、电阻十一R11的一端、电阻十二R12的一端、电阻十三R13的一端、芯片二U2的VFB引脚，电阻十一R11的另一端接地，电阻十二R12的另一端分别连接电阻十三R13的一端、电容八C8的一端、二极管十D10的阴极，电容八C8的另一端接地，芯片二U2的VREF引脚分别连接电容十C10的一端、电阻八R8的一端，电容十C10的另一端接地，电阻八R8的另一端分别连接电容九C9的一端、芯片二U2的RT/CT引脚，电容九C9的另一端接地，芯片二U2的V本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氩弧焊电子高频高压的放电电路，包括芯片二，其特征在于：所述的芯片二（U2）的COMP引脚分别连接电阻九（R9）的一端、电阻十（R10）的一端、三极管五（Q5）的集电极、电容七（C7）的一端，电阻九（R9）的另一端连接电容二十二（C22）的一端，电容二十二（C22）的另一端接地，电阻十（R10）的另一端分别连接电容七（C7）的另一端、电阻十一（R11）的一端、电阻十二（R12）的一端、电阻十三（R13）的一端、芯片二（U2）的VFB引脚，电阻十一（R11）的另一端接地，电阻十二（R12）的另一端分别连接电阻十三（R13）的一端、电容八（C8）的一端、二极管十（D10）的阴极，电容八（C8）的另一端接地，芯片二（U2）的VREF引脚分别连接电容十（C10）的一端、电阻八（R8）的一端，电容十（C10）的另一端接地，电阻八（R8）的另一端分别连接电容九（C9）的一端、芯片二（U2）的RT/CT引脚，电容九（C9）的另一端接地，芯片二（U2）的VCC引脚连接VCC电源端，芯片二（U2）的GND引脚接地，芯片二（U2）的ISENSE引脚分别连接电容十一（C11）的一端、电阻七（R7）的一端，电容十一（C11）的另一端接地，电阻七（R7）的另一端分别连接电阻一（R1）的一端、电阻二（R2）的一端、电阻三（R3）的一端、电阻四（R4）的一端、电阻五（R5）的一端、电阻六（R6）的一端、场效应管二（T2）的源极，电阻一（R1）的另一端、电阻二（R2）的另一端、电阻三（R3）的另一端、电阻四（R4）的另一端、电阻五（R5）的另一端、电阻六（R6）的另一端合并后接地，芯片二（U2）的OUT引脚分别连接二极管四（D4）的阴极、电阻十四（R14）的一端，二极管四（D4）的阳极接地，电阻十四（R14）的另一端分别连接电阻三十（R30）的一端、场效应管二（T2）的栅极，电阻三十（R30）的另一端接地，场效应管二（T2）的漏极分别连接二极管五（D5）的阳极、变压器（T3）的10号端口，二极管五（D5）的阴极分别连接电阻十五（R15）的一端、电容十二（C12）的一端，电阻十五（R15）的另一端、电容十二（C12）的另一端合并后共同连接电容十三（C13）的一端、电容十四（C14）的一顿及24V电压，电容十三（C13）及电容十四（C14）的另一端合并后共同接地，变压器（T3）的1号端口连接24V电压、变压器（T3）的3号端口分别连接电阻十七（R17）的一端、电阻十六（R16）的一端，电阻十七（R17）的另一端分别连接电容十五（C15）的一端、二极管十（D10）的阳极，电容十五（C15）的另一端接地，电阻十六（R16）的另一端接地，变压器（T3）的5号端口接地，变压器（T3）的6号端口连接二极管八（D8）的阳极，二极管八（D8）的阴极连接二极管七（D7）的阳极，二极管七（D7）的阴极分别连接电容十六（C16）的一端、电阻一百七十二（R172）的一端、接线端子九（J9）的1号端口，电容十六（C16）的另一端接地，电阻一百七十二（R172）的另一端连接电阻一百七十三（R173）的一端，电阻一百七十三（R173）的另一端接地，接线端子九（J9）的2号端口分别连接可控硅（T9）的阳极、压敏电阻（R100）的一端、二极管三十一（D31）的阴极，可控硅（T9）的阴极、压敏电阻（R100）的另一端、二极管三十一（D31）的阳极合并后共同接地，可控硅（T9）的控制极分别连接电阻二十八（R28）的一端、电阻二十九（R29）的一端，电阻二十九（R29）的另一端接地，电阻二十八（R28）的另一端连接电容十七（C17）的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁涵，
申请(专利权)人：上海和宗焊接设备制造有限公司，
类型：发明
国别省市：