本实用新型专利技术公开了基于多谐振荡器原理的TA开路短路分流检测电路，包括被检测CT1、检测CT2、斯密特多谐振荡器、斯密特电路和保护电路；所述被检测CT1与检测CT2连接，所述检测CT2一侧连接斯密特多谐振荡器，所述斯密特多谐振荡器通过保护电路与斯密特电路连接。本实用新型专利技术根据被检测CT1在电路中开路、短路、分流等不同状态所表现出来的等效阻抗不同，再利用斯密特多谐振荡器中的RC电路的R阻抗不同从而产生不同频率的波形的原理，从而把电流互感器的不同状态用不同的频率的方波输出，方便MCU检测。方便MCU检测。方便MCU检测。
【技术实现步骤摘要】
基于多谐振荡器原理的TA开路短路分流检测电路
[0001]本技术涉及电流互感器检测
，具体为基于多谐振荡器原理的TA开路短路分流检测电路。
技术介绍
[0002]用电现场的电流检测靠电流互感器检测的，电流互感器在运行中，当二次线圈断开时，二次电流等于零，一次电流全部成为励磁电流，这将导致铁芯中磁通量Φ急剧上升，这个急剧上升磁通量在二次侧会感应出较高的电压，高电压将对二次仪表和操作人员带来危险。
[0003]当电流互感器的二次侧运行中短路时，二次侧阻抗迅速减小到几乎为零，这时二次回路会产生很大的短路电流，直接导致二次线圈严重发热而烧毁。
[0004]当电流互感器二次绕阻出现分流故障时，使计量电度表、功率因数表等示数为零或降低，计量出现误差，从而带来财产损失，另外也很有可能使其它设备做出错误动作。
[0005]基于上面种种原因，需要设计一种检测电路，线路中的电流互感器能够有效检测电流互感器状态的设备或者电路。
技术实现思路
[0006]本技术就是针对现有技术存在的上述不足，提供基于多谐振荡器原理的TA开路短路分流检测电路，能够安全快速的得知检测互感器故障。
[0007]为实现上述目的，技术提供如下技术方案：
[0008]基于多谐振荡器原理的TA开路短路分流检测电路，包括被检测CT1、检测CT2、斯密特多谐振荡器、斯密特电路和示波器；所述被检测CT1与检测CT2连接，所述检测CT2一侧连接斯密特多谐振荡器，所述斯密特多谐振荡器通过保护电路与斯密特电路连接，所述斯密特电路与示波器连接。
[0009]优选的，所述检测CT2的原边与次边比值为20：1。
[0010]优选的，所述斯密特多谐振荡器包括斯密特多谐振荡器核心组成电路和斯密特触发器，所述斯密特多谐振荡器核心组成电路一侧与检测CT2连接，其另一侧与斯密特触发器连接。
[0011]优选的，所述斯密特多谐振荡器核心组成电路包括电容C1、限流电阻R1和电阻Z，所述电容C1一侧接地，其另一侧分别与电阻Z、限流电阻R1连接，所述限流电阻R1另一侧与斯密特触发器连接。
[0012]优选的，所述斯密特电路包括斯密特波形整形电路和方波输出，所述斯密特波形整形电路一侧接地。
[0013]优选的，还包括保护电路，所述保护电路包括两个保护二极管，其中一个保护二极管D1一侧与供电电源V
CC
和电源去耦电容C2连接，所述电源去耦电容C2另一侧接地；另一个保护二极管D2一侧接地。
[0014]与现有技术相比，技术的有益效果是：
[0015]1、本技术根据被检测CT1在电路中开路、短路、分流等不同状态所表现出来的等效阻抗不同，再利用斯密特多谐振荡器中的RC电路的R阻抗不同从而产生不同频率的波形的原理，从而把电流互感器的不同状态用不同的频率的方波输出，方便MCU检测。
[0016]2、本技术利用被检测CT1的一次侧和二次侧开路短路的阻抗变化变换为频率变化，模拟量转换为数字量，有利于采样。斯密特多谐振荡器使得电路简单有效。
[0017]因为互感器出现故障时阻抗就发生变化，随即斯密特多谐振荡频率就改变，检测速度快；电路通过频率能够分辨出电流互感器的各种阻抗变化，分析精度高。另外，检测电路均在弱电范围内工作，安全性高。
附图说明
[0018]图1为本技术的示意图；
[0019]图2为斯密特多谐振荡器电路的示意图；
[0020]图3为斯密特多谢振荡器波形的示意图；
[0021]图4为检测互感器的示意图。
[0022]图中：2
‑
被检测CT1一次侧、3
‑
被检测CT1二次侧、5
‑
斯密特多谐振荡器核心组成电路、6
‑
斯密特触发器、8
‑
斯密特波形整形电路、9
‑
方波输出。
具体实施方式
[0023]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0024]实施例
[0025]基于多谐振荡器原理的TA开路短路分流检测电路，如图1
‑
图2所示，包括被检测CT1、检测CT2、斯密特多谐振荡器、斯密特电路和保护电路。所述检测CT2的原边和次边比值特殊，其比值为20：1。所述被检测CT1与检测CT2连接，所述检测CT2一侧连接斯密特多谐振荡器。
[0026]所述斯密特多谐振荡器包括斯密特多谐振荡器核心组成电路5和斯密特触发器6，所述斯密特多谐振荡器核心组成电路5一侧与检测CT2连接，其另一侧与斯密特触发器6连接。
[0027]所述斯密特多谐振荡器核心组成电路5包括电容C1、限流电阻R1和电阻Z，检测CT2从斯密特多谐振荡器这侧看过去就等效为一个阻抗Z，所述电容C1一侧接地，其另一侧分别与电阻Z、限流电阻R1连接，所述限流电阻R1另一侧与斯密特触发器连接。
[0028]所述斯密特多谐振荡器通过保护电路与斯密特电路连接。所述斯密特电路包括斯密特波形整形电路8和方波输出9，所述斯密特波形整形电路8一侧接地。所述方波输出9与示波器连接。
[0029]还包括保护电路，所述保护电路包括两个保护二极管，其中一个保护二极管D1一侧与供电电源V
CC
和电源去耦电容C2连接，所述电源去耦电容C2另一侧接地；另一个保护二
极管D2一侧接地。
[0030]根据被检测CT1在电路中开路、短路、分流等不同状态所表现出来的等效阻抗不同，再利用斯密特多谐振荡器中的RC电路的R阻抗不同从而产生不同频率波形的原理，把电流互感器的不同状态用不同的频率的方波输出，方便MCU检测。
[0031]如图3所示，1通道为ν
O1
,2通道为ν
C
，利用施密特触发器构成多谐振荡器,其电路如图2所示。接通电源瞬间，电容C1上的电压为0V，输出ν
O
为高电平。ν
O
通过电阻Z对电容C1充电，当ν
C
达到V
+
时，施密特触发器6翻转，输出为低电平，此后电容C1又开始放电，ν
C
下降，当ν
C
下降到V
‑
时，电路又发生翻转，如此周而复始地形成振荡。其输入、输出波形如图3所示。
[0032]在图2中采用的是CMOS施密特触发器，且V
OH
≈V
CC
,V
OL
≈0，根据图3的电压波形得到振荡周期计算公式为：
[0033][0034]为定值，令则公式
①
可简化为：
[0035]f＝本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.基于多谐振荡器原理的TA开路短路分流检测电路，其特征在于，包括被检测CT1、检测CT2、斯密特多谐振荡器、斯密特电路和示波器；所述被检测CT1与检测CT2连接，所述检测CT2一侧连接斯密特多谐振荡器，所述斯密特多谐振荡器与斯密特电路连接，所述的斯密特电路与示波器连接。2.如权利要求1所述基于多谐振荡器原理的TA开路短路分流检测电路，其特征在于，所述检测CT2的原边与次边比值为20：1。3.如权利要求2所述基于多谐振荡器原理的TA开路短路分流检测电路，其特征在于，所述斯密特多谐振荡器包括斯密特多谐振荡器核心组成电路和斯密特触发器，所述斯密特多谐振荡器核心组成电路一侧与检测CT2连接，其另一侧与斯密特触发器连接。4.如权利要求3所述基于多谐...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄志付，胡文涛，顾佳佳，谢琴，
申请(专利权)人：浙江共同电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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