硅晶圆的DIC缺陷的形状测量方法及研磨方法技术

本发明专利技术是一种DIC缺陷的形状测量方法，其测量硅晶圆的DIC缺陷的形状，包含以下工序：使用粒子计数器，检测所述硅晶圆的主面上的DIC缺陷；特定该检测到的DIC缺陷的位置坐标；以及使用该特定的位置坐标，通过相位偏移干涉法，测量所述检测到的DIC缺陷的至少包含高度或深度的形状。由此，提供简单且高精度地测量在硅晶圆的主面产生的DIC缺陷的包含尺寸的形状的DIC缺陷的形状测量方法。DIC缺陷的形状测量方法。DIC缺陷的形状测量方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】硅晶圆的DIC缺陷的形状测量方法及研磨方法


[0001]本专利技术涉及在硅晶圆中产生的DIC缺陷的形状测量方法及研磨方法。

技术介绍

[0002]如果在硅晶圆的表面产生DIC缺陷，则在器件制作中，对CMP中的不良或失焦的产生造成影响。因而，为了减少或抑制DIC缺陷，在专利文献1至3中，分别记载了进行研磨剂、研磨头、研磨布的改良的内容。此外，在专利文献4及5中，针对DIC缺陷的测量法进行了介绍。
[0003]在此，针对DIC缺陷进行说明。DIC，为Differential Interference Contrast的单词首字，是表示微分干涉对比度、差分干涉对比度。DIC缺陷在专利文献3至5中也有描述，主要为使用KLA
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Tencor公司制的粒子计数器即SurfScan系列的例如SP2或SP3等评价装置，进一步以使用了明视野观察的DIC模式检测到的缺陷。DIC缺陷的特征在于，是较浅且平缓的缺陷，在硅晶圆表面存在隆起的凸型形状或凹陷的凹型形状这两者。具体而言，作为常见的形状，其特征在于，高度或深度为数纳米至数十纳米，宽度为数十微米至数百微米，高度或深度与宽度之比(纵横比)为数千倍。现有技术文献专利文献
[0004]专利文献1：日本特开2019
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021719号公报专利文献2：日本特开2019
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058955号公报专利文献3：日本特开2019
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125722号公报专利文献4：日本特开2018
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101698号公报专利文献5：日本特开2010
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021242号公报专利文献6：日本特开2016
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027407号公报

技术实现思路

(一)要解决的技术问题
[0005]就DIC缺陷的检测方法而言，通常使用如上所述的粒子计数器进行检测。但是，在该检测方法中，存在以下问题：仅能够特定存在于硅晶圆表面的DIC缺陷的位置坐标，无法求出DIC缺陷的包含尺寸的形状。在专利文献5中，描述了通过使用一般干涉的显微镜测量DIC缺陷的方法，但并未公开具体的数值。这样，到目前为止，尚未有正确提及DIC缺陷的高度、宽度的文献。
[0006]本专利技术是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够简单且高精度地测量在硅晶圆的主面产生的DIC缺陷的包含尺寸的形状的方法。(二)技术方案
[0007]本专利技术是为了达到上述目的而完成的，提供一种DIC缺陷的形状测量方法，其测量硅晶圆的DIC缺陷的形状，包含以下工序：使用粒子计数器，检测所述硅晶圆的主面上的DIC
缺陷；特定该检测到的DIC缺陷的位置坐标；以及使用该特定的位置坐标，通过相位偏移干涉法，测量所述检测到的DIC缺陷的至少包含高度或深度的形状。
[0008]根据这样的DIC缺陷的形状测量方法，能够简单且高精度地测量在硅晶圆的主面产生的DIC缺陷的包含高度方向尺寸的形状。
[0009]此时，可以设为，在DIC缺陷的形状测量方法中，所述硅晶圆的主面是器件制作面。
[0010]由此，可正确并简单地评价对器件制作工序造成影响的DIC缺陷。
[0011]此时，可以设为，在硅晶圆的研磨方法中，基于通过上述DIC缺陷的形状测量方法所测量出的所述DIC缺陷的形状来设定研磨加工余量，进行所述硅晶圆的研磨。
[0012]由此，能够高效、低成本且高生产率地制作DIC缺陷等级降低的硅晶圆。(三)有益效果
[0013]如上所述，根据本专利技术的DIC缺陷的形状测量方法，能够简单且高精度地测量在硅晶圆的主面产生的DIC缺陷的包含高度方向尺寸的形状。此外，通过使用测量出的DIC缺陷的包含高度方向尺寸的形状，而能够正确地进行用于减少DIC缺陷的研磨加工余量设定，能够缩短研磨时间并降低研磨的成本。
附图说明
[0014]图1是表示本专利技术的DIC缺陷的形状测量方法的流程图。图2表示在本专利技术的实施例中，以粒子计数器评价出的DIC缺陷图的一例。图3表示在本专利技术的实施例中取得的相位偏移干涉图像的一例。图4表示本实施例所示的进行了DIC缺陷的相位解析的分布图的一例。
具体实施方式
[0015]以下对本专利技术进行详细说明，但本专利技术并不限定于此。
[0016]如上所述，要求一种DIC缺陷的形状测量方法，其能够简单且高精度地测量硅晶圆的主面产生的DIC缺陷的包含尺寸的形状。
[0017]本案专利技术人针对上述问题经过反复深入研究，结果发现一种硅晶圆的DIC缺陷的形状测量方法，而完成了本专利技术，通过该方法，能够简单且高精度地测量在硅晶圆的主面产生的DIC缺陷的包含高度方向尺寸的形状，该方法包含以下工序：使用粒子计数器，检测所述硅晶圆的主面上的DIC缺陷；特定该检测到的DIC缺陷的位置坐标；以及使用该特定的位置坐标，通过相位偏移干涉法，测量所述检测到的DIC缺陷的至少包含高度或深度的形状。
[0018]以下，针对本专利技术的一实施方式的形状测量方法及硅晶圆的研磨方法，参考附图予以说明。
[0019]图1是表示本专利技术的DIC缺陷的形状测量方法及硅晶圆的研磨方法的流程图。在图1所记载的流程的前段(S1之前)，例如可以进行单晶硅锭的制作、锭切片、蚀刻、研磨、热处理等工序。在此，作为产生DIC缺陷的工序，最具代表性的是研磨工序。在该研磨工序中，使用称作浆料的悬浊液。DIC缺陷被认为是由于在研磨后无法适当地进行该浆料的处理而产生的。但是，关于DIC缺陷的产生，不明点较多，当前不能仅将上述的研磨工序特定为产生工序。
[0020]在本专利技术的DIC缺陷的形状测量方法中，进行图1的S1所示的使用粒子计数器检测
硅晶圆的主面上的DIC缺陷的工序、及S2所示的特定检测到的DIC缺陷的位置坐标的工序，进而对该坐标进行S3记载的形状测量。作为在DIC缺陷的检测中使用的粒子计数器，如同前述，一般为KLA
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Tencor公司制的SurfScan系列，但即使是其他装置，只要能够检测DIC缺陷即可。进一步，如果是能够输出检测到的DIC缺陷的位置坐标的装置，则为优选。在该情况下，可将S1的工序、与S2所示的特定检测到的DIC缺陷的位置坐标的工序大致同时进行，与如后述那样通过手动作业特定坐标位置的情况相比，能够迅速且高精度地特定坐标位置。如此，在本专利技术的DIC缺陷的形状测量方法中，包含将S1与S2的工序大致同时实施的情况。
[0021]在此，针对坐标的特定方法进行说明。如果是所述SurfScan系列，则可输出坐标，但在为除此以外的无法通过粒子计数器输出坐标的评价装置、方法的情况下，也能够输出示出检测到的DIC缺陷的硅晶圆整面的图、观察像，并通过手工作业来特定、取得坐标。此时的坐标系没有限定，无论是X
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Y坐标，还是被称为极坐标的r
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θ坐标，只要能够确定DIC缺陷的位置，则可以是任意的坐标系。
[0022]接着，如图1的S3所示，进行如下工序：使用特定的DIC缺陷的位置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种DIC缺陷的形状测量方法，其测量硅晶圆的DIC缺陷的形状，其特征在于，包含以下工序：使用粒子计数器，检测所述硅晶圆的主面上的DIC缺陷；特定该检测到的DIC缺陷的位置坐标；以及使用该特定的位置坐标，通过相位偏移干涉法，测量所述检测到的DIC缺陷的至少包含高度或深度的...

【专利技术属性】
技术研发人员：富井和弥，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：