晶片的加工方法技术

本发明专利技术提供晶片的加工方法，提出了用于在粘片层的探出部断裂时可靠地防止断裂的部分附着于器件上的新技术。晶片的加工方法包含如下的步骤：粘贴步骤，借助直径比晶片的直径大的粘片层而将该晶片粘贴于片上，由此在该晶片的外周形成该粘片层的探出部；以及探出部去除步骤，使去除部件与该探出部接触，由此将该探出部从该片上去除。出部从该片上去除。出部从该片上去除。

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法


[0001]本专利技术涉及晶片的加工方法。

技术介绍

[0002]以往，在器件芯片向安装基板的安装中，广泛利用粘片膜，还广泛利用如下的被称为二合一(2in1)的带：该带在对晶片进行保持并且之后进行扩展的带上形成有基于粘片膜的粘片层。
[0003]并且，考虑在形成于带上的粘片层上粘贴晶片时产生的晶片的位置偏移，使粘片层的直径形成得比晶片的直径大。因此，在将晶片粘贴于带的状态下，在晶片的外周形成有粘片层的探出部。
[0004]在晶片中例如通过激光加工装置而形成有作为分割起点的改质层，通过对带进行扩展，改质层断裂而单片化成芯片，此时形成有粘片层的粘片膜也与芯片一起断裂。
[0005]这里，在粘片膜断裂时，担心粘片膜的探出部从带剥离而附着于分割得到的芯片的正面上。当粘片膜附着于芯片的器件正面时，会使器件损伤、或在之后的安装工序中成为安装不良的主要因素，因此成为问题。
[0006]鉴于以上的方面，例如在专利文献1中，提出了将粘片膜的探出部压住而防止飞散的扩展装置。
[0007]专利文献1：日本特开2009
‑
272502号公报
[0008]在专利文献1的结构中，担心粘贴于压固部件的粘片膜在扩展装置内漂浮而附着于器件上等，可以说难以完全防止粘片膜的碎片的分散。
[0009]另外，当粘片膜的探出部断裂而附着于扩展装置内时，之后有可能在意料之外的时机落下而在扩展装置内漂浮并附着于器件，因此迫切希望得到改善。

技术实现思路

[0010]由此，本专利技术的目的在于提供晶片的加工方法，在粘片层的探出部断裂时，能够可靠地防止断裂的部分附着于器件上。
[0011]根据本专利技术，提供晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：粘贴步骤，借助直径比晶片的直径大的粘片层而将该晶片粘贴于片，由此在该晶片的外周形成该粘片层的探出部；以及探出部去除步骤，使去除部件与该探出部接触，由此将该探出部从该片上去除。
[0012]优选该去除部件由在基材上层叠有粘接层的带构成。
[0013]优选晶片的加工方法还具有准备去除单元的去除单元准备步骤，该去除单元具有：第1环状框架，其在中央形成有开口；所述去除部件，其覆盖该开口；以及保护层，其在该开口的内侧与该晶片对应而形成于该去除部件，在该探出部去除步骤中，使该去除单元的该保护层与该晶片面对并使该去除部件的该粘接层与该探出部接触，由此将该探出部去除。
[0014]优选晶片的加工方法还具有如下的步骤：分割起点形成步骤，在该粘贴步骤之前或之后，在该晶片上形成用于分割该粘片层的分割起点；以及扩展步骤，在该晶片中形成有该分割起点并且该探出部从该片去除的状态下，对该片进行扩展而形成层叠有该粘片层的多个芯片。
[0015]优选将粘贴有该晶片的片固定于晶片保持用的第2环状框架，在晶片保持用的环状框架和该去除单元的环状框架上分别形成有定位部，在该探出部去除步骤中，使该第1环状框架的定位部与该第2环状框架的定位部对齐，由此使保护层的位置与晶片的位置一致。
[0016]根据本专利技术，在进行晶片的扩展之前，将粘片层的探出部从片上去除，因此能够防止产生扩展时断裂的探出部从片剥离而附着于分割得到的芯片的正面这样的不良情况。
附图说明
[0017]图1的(A)是作为被加工物的一例的晶片的立体图，图1的(B)是晶片单元的立体图。
[0018]图2是利用了本专利技术的加工方法的流程图。
[0019]图3的(A)是示出探出部去除步骤的剖视图，图3的(B)是去除了探出部的状态的剖视图。
[0020]图4的(A)是去除单元的正面侧的立体图，图4的(B)是去除单元的背面侧的立体图，图4的(C)是使晶片单元与去除单元对置的状态的立体图，图4的(D)是使晶片单元与去除单元重叠的状态的立体图。
[0021]图5的(A)是示出扩展步骤的剖视图，图5的(B)是将晶片分割成芯片的状态的剖视图。
[0022]图6的(A)是示出粘贴步骤的剖视图，图6的(B)是示出探出部的去除的情形的剖视图，图6的(C)是通过扩展将晶片分割成芯片的状态的剖视图。
[0023]图7的(A)是示出环状框架的粘贴的情形的剖视图，图7的(B)是示出通过切割装置将片的外周部分去除的情形的剖视图。
[0024]标号说明
[0025]10：晶片；10a：正面；10b：背面；11：器件；13：分割预定线；20：粘片层；22：探出部；30：去除部件；32：臂；33：去除部件；33a：正面；33b：背面；33n：粘接层；34：去除单元；35：环状框架；37：保护层；38：环状保护层；39：辊；C：芯片；F：环状框架；1S：片；U：晶片单元。
具体实施方式
[0026]以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。图1的(A)示出作为被加工物的一例的晶片10。在晶片10的正面10a上隔开间隔而形成有多个器件11，在各器件11之间呈格子状设定有分割预定线13、13。
[0027]以下，按照图2所示的流程图，说明利用了本专利技术的加工方法。
[0028]<粘贴步骤>
[0029]如图1的(B)所示，该步骤中，借助直径比晶片10的直径大的粘片层20而将晶片10的背面10b粘贴于片S，由此在晶片10的外周形成有粘片层20的探出部22。
[0030]更具体而言，如图1的(B)所示，在片S的正面上形成有粘片层20，在粘片层20的正
面上粘贴有晶片10的背面10b。在片S的正面上按照围绕晶片10的方式粘贴有环状框架F，构成使晶片10与环状框架F成为一体的晶片单元U。
[0031]粘片层20按照将晶片10可靠地收纳于内侧的方式形成为直径比晶片10大的直径，在晶片10的外周探出的探出部22按照围绕晶片10的外周的方式构成为圆环状。
[0032]另外，在片S构成为所谓的2in1带的情况下，粘片层20一体地层叠于片S的表层。另外，也可以将分体的粘片膜粘贴于片S而形成粘片层或将液态的粘片剂涂布于片S而形成粘片层。
[0033]<分割起点形成步骤>
[0034]该步骤在粘贴步骤之前或之后在晶片上形成用于分割粘片层20的分割起点。该分割起点沿着分割预定线13(图1的(A))形成。
[0035]例如在通过激光加工在晶片10的内部形成沿着分割预定线13的改质层的情况下，该改质层作为晶片10的分割起点。并且，在该晶片10的分割起点处，晶片10分割成芯片，在分割成该芯片时，粘片层20也同时断裂。因此，晶片10的分割起点也成为粘片层20的分割起点。
[0036]另外，也可以将通过DBG加工(Dicing Before Grinding，磨削前切割)或SDBG加工(Stealth Dicing Before Grinding，磨削前隐形切割)而已经分割成芯片的晶片转移至片S上的粘片层20，由此成为与图1的(B)同本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：粘贴步骤，借助直径比晶片的直径大的粘片层而将该晶片粘贴于片，由此在该晶片的外周形成该粘片层的探出部；以及探出部去除步骤，使去除部件与该探出部接触，由此将该探出部从该片上去除。2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，该去除部件由在基材上层叠有粘接层的带构成。3.根据权利要求2所述的晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法还具有准备去除单元的去除单元准备步骤，该去除单元具有：第1环状框架，其在中央形成有开口；所述去除部件，其覆盖该开口；以及保护层，其在该开口的内侧与该晶片对应而形成于该去除部件，在该探出部去除步骤中，使该去除单元的该保护层与该晶片面对并使该去除部件...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵金艳，原田成规，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：