半导体器件及半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术的一个方面提供的半导体器件包括：焊盘部；支承所述焊盘部的绝缘层；第一配线层，其形成于所述焊盘部的下层并且在所述焊盘部的下方在第一方向上延伸；和导电性部件，其与所述焊盘部的表面接合并且在相对于所述第一方向形成

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件及半导体器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]例如，专利文献1公开了一种半导体器件，其具有：裸片焊盘；搭载于裸片焊盘上的SiC芯片；将裸片焊盘与SiC芯片接合的多孔质的第一烧结Ag层；覆盖第一烧结Ag层的表面且形成为圆角状的增强树脂部；与SiC芯片的源极电极电连接的源极引线；与栅极电极电连接的栅极引线；与漏极电极电连接的漏极引线；覆盖SiC芯片、第一烧结Ag层和裸片焊盘的一部分的密封体。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2014
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179541号公报。

技术实现思路

[0006]用于解决问题的技术手段
[0007]本专利技术的一个实施方式的半导体器件包括：焊盘部；支承所述焊盘部的绝缘层；形成于所述焊盘部的下层并且在所述焊盘部的下方在第一方向上延伸的第一配线层；和与所述焊盘部的表面接合并且在相对于所述第一方向形成
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的角度的方向上延伸的导电性部件。
附图说明
[0008]图1是本专利技术的一个实施方式的半导体器件的平面图。
[0009]图2是本专利技术的一个实施方式的半导体器件的主视图。
[0010]图3是本专利技术的一个实施方式的半导体器件的侧视图。
[0011]图4是在图1的平面图中省略了密封树脂的图。
[0012]图5是沿图4的V―V线的截面图。
[0013]图6是沿图4的VI―VI线的截面图。
[0014]图7A是用于说明第一半导体元件的分解立体图。
[0015]图7B是图7A的第一通孔部的主要部分放大平面图。
[0016]图7C是图7A的第二通孔部的主要部分放大平面图。
[0017]图8是图4的一部分的主要部分放大图。
[0018]图9是沿图8的IX―1X线的截面图。
[0019]图10是沿图8的X―X线的截面图。
[0020]图11是沿图8的XI―XI线的截面图。
[0021]图12A～图12C是表示所述半导体器件的制造工序的一部分的图。
[0022]图13是用于说明超声波的施加方向的图。
[0023]图14是用于说明超声波的施加方向的图。
[0024]图15是表示超声波的施加方向相对于第二板状部件的长度方向为0度的方向(平行方向)的情况下的裂纹发生率的评价的图。
[0025]图16是表示超声波的施加方向相对于第二板状部件的长度方向为90度的方向(正交方向)的情况下的裂纹发生率的评价的图。
[0026]图17是用于说明焊盘部的材料的变形例的图。
[0027]图18是用于说明焊盘部的材料的变形例的图。
[0028]图19是用于说明第二板状部件的形状的变形例的图。
[0029]图20是用于说明第二板状部件的形状的变形例的图。
具体实施方式
[0030]<本专利技术的实施方式>
[0031]首先，列举说明本专利技术的实施方式。
[0032]本专利技术的一个实施方式的半导体器件包括：焊盘部；支承所述焊盘部的绝缘层；第一配线层，其形成于所述焊盘部的下层，并且在所述焊盘部的下方在第一方向上延伸；和导电性部件，其与所述焊盘部的表面接合，并且在相对于所述第一方向形成
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的角度的方向上延伸。
[0033]本专利技术的一个实施方式的半导体器件也可以包括：焊盘部；支承所述焊盘部的绝缘层；第一配线层，其形成于所述焊盘部的下层，并且在所述焊盘部的下方在第一方向上延伸；和导电性部件，其与所述焊盘部的表面接合，并且具有俯视时在一个方向上较长的接合部，所述接合部的长度方向相对于所述第一方向的角度为
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。
[0034]本专利技术的一个实施方式的半导体器件例如可以通过本专利技术的一个实施方式的半导体器件的制造方法来制造，该制造方法包括：准备半导体衬底的工序，其中，所述半导体衬底包括焊盘部、支承所述焊盘部的绝缘层和形成于所述焊盘部的下层并且在所述焊盘部的下方在所述在第一方向上延伸的第一配线层；和通过沿相对于所述第一方向形成
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的角度的方向施加的超声波振动，在所述焊盘部的表面接合导电性部件的工序。
[0035]根据该方法，超声波的振动方向是相对于第一方向形成
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的角度的方向。由此，能够抑制在绝缘层中产生裂纹。另外，在所述焊盘部的下方在第一方向上延伸的第一配线层例如也可以包括以俯视时与所述焊盘部重叠的方式在第一方向延伸的第一配线层。另外，既可以是在焊盘部的下方区域一个第一配线层在第一方向上延伸，也可以是在焊盘部的下方区域相互分开的多个第一配线层在第一方向上延伸。
[0036]在本专利技术的一个实施方式的半导体器件中，所述导电性部件的与所述焊盘部接合的接合部也可以包括俯视时在一个方向上较长的接合部。
[0037]在本专利技术的一个实施方式的半导体器件中，所述焊盘部也可以包含以铝为主要成分的材料。
[0038]在本专利技术的一个实施方式的半导体器件中，所述导电性部件也可以包含以铝和铜中的任意者为主要成分的材料。
[0039]在本专利技术的一个实施方式的半导体器件中，所述导电性部件的所述接合部也可以形成两个以上。
[0040]在本专利技术的一个实施方式的半导体器件中，所述导电性部件也可以包括具有粗细为100μm～600μm的线状部件。
[0041]根据该结构，由于线状的导电性部件的粗细为100μm～600μm，因此，能够利用该线状部件流通较大的电流。
[0042]在本专利技术的一个实施方式的半导体器件中，所述焊盘部的厚度也可以为1.6μm～6.0μm。
[0043]根据该结构，由于焊盘部的厚度为1.6μm～6.0μm，因此，能够使在导电性部件的接合时施加在焊盘部上的力难以传递到绝缘层。其结果，能够抑制在绝缘层中产生裂纹。
[0044]本专利技术的一个实施方式的半导体器件也可以包括：具有衬底主面的半导体衬底；第一元件电极，其形成于所述衬底主面，并且与所述第一配线层导通；第二元件电极，其在所述衬底主面上与所述第一元件电极隔开间隔地形成，并且与所述第一元件电极之间经由所述半导体衬底流通沟道电流；和第二配线层，其与所述第一配线层隔开间隔地形成在与所述第一配线层同一层，并且与所述第二元件电极导通。
[0045]如此，在沿衬底主面的横向流通沟道电流的元件结构形成于半导体衬底上的情况下，因半导体衬底上的空间的制约，有时在第一配线层的周围形成第二配线层。在这种情况下，如前所述如果能够抑制绝缘层中的裂纹的产本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件，其特征在于，包括：焊盘部；支承所述焊盘部的绝缘层；第一配线层，其形成于所述焊盘部的下层，并且在所述焊盘部的下方在第一方向上延伸；和导电性部件，其与所述焊盘部的表面接合，并且在相对于所述第一方向形成
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的角度的方向上延伸。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电性部件的与所述焊盘部接合的接合部包括俯视时在一个方向上较长的接合部。3.一种半导体器件，其特征在于，包括：焊盘部；支承所述焊盘部的绝缘层；第一配线层，其形成于所述焊盘部的下层，并且在所述焊盘部的下方在第一方向上延伸；和导电性部件，其与所述焊盘部的表面接合，并且具有俯视时在一个方向上较长的接合部，所述接合部的长度方向相对于所述第一方向的角度为
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。4.如权利要求1～3中任一项所述半导体器件，其特征在于，所述焊盘部包含以铝为主要成分的材料。5.如权利要求1～4中任一项所述半导体器件，其特征在于，所述导电性部件包含以铝和铜中的任意者为主要成分的材料。6.如权利要求1～5中任一项所述半导体器件，其特征在于，所述导电性部件的所述接合部形成有两个以上。7.如权利要求1～6中任一项所述半导体器件，其特征在于，所述导电性部件包括具有粗细为100μm～600μm的线状部件。8.如权利要求1～7中任一项所述半导体器件，其特征在于，所述焊盘部的厚度为1.6μm～6.0μm。9.如权利要求1～8中...

【专利技术属性】
技术研发人员：白井克宗，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：