发光器件及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种发光器件及其制作方法。该发光器件包括层叠设置的基板、第一电极层、发光层、第二电极层以及水氧阻隔牺牲层，所述水氧阻隔牺牲层包括金属基体以及掺杂在所述金属基体中的第一掺杂元素，所述第一掺杂元素选自铬、镍、铂、钯、钌、铜中的至少一种。上述发光器件及其制作方法在外层设置水氧阻隔牺牲层，金属基体具有一定的水氧阻隔能力，金属基体中含有第一掺杂元素，铬、镍等元素的掺杂能够进一步提高水氧阻隔牺牲层提供的抗水氧能力，保护发光器件中各功能层，有效减缓发光器件的寿命衰减速率。命衰减速率。命衰减速率。

【技术实现步骤摘要】
发光器件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种发光器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]目前，有机电致发光二极管(OLED)以及量子点发光二极管(QLED)是两种显示技术的研究热点。有机电致发光二极管(OLED)具有自发光、结构简单、超轻薄、相应速度快、宽视角、低功耗、可柔性显示等优异的性能。量子点发光二极管(QLED)具有出射光颜色饱和、波长可调以及光致、电致发光量子产率高等优点。上述发光器件的器件结构是典型的夹层式结构。最简单的发光器件是由阴极层、阳极层及夹在两电极侧层之间的发光层的单层器件。单层器件的结构简单，但由于有机发光层材料一般具有单载流子传输特性，即有机发光层材料对空穴和电子的传输特性是不同的，所以很容易导致载流子注入不平衡，进而导致器件的发光效率较低。在实际的器件结构设计中，为了获得更佳的器件性能，通常会在发光器件基础结构上引入不同作用的功能层以平衡载流子。图1示出了一种传统的发光器件30的结构，其由基板31、阳极层32、空穴传输层33、发光层34、电子传输层35以及阴极层36构成。
[0003]目前，发光器件中的功能层大多数对水氧敏感，水氧的渗透会极大地降低发光器件的寿命。传统的封装方案中，一般采用低水氧透过率的封装胶对发光器件进行封装，水氧透过率越低则可以使发光器件所处的水氧氛围越低，从而延长发光器件实际使用寿命。然而，封装胶对水氧的阻挡能力有限，随着实际使用时间的延长，封装胶的水氧透过率会不断升高，最终失效，导致发光器件寿命随着封装胶的老化逐渐降低。r/>
技术实现思路

[0004]基于此，有必要提供一种发光器件及其制作方法，以提高发光器件的抗水氧能力。
[0005]本专利技术的其中一个目的是提供一种发光器件，方案如下：
[0006]一种发光器件，包括层叠设置的基板、第一电极层、发光层、第二电极层以及水氧阻隔牺牲层，所述水氧阻隔牺牲层包括金属基体以及掺杂在所述金属基体中的第一掺杂元素，所述第一掺杂元素选自铬、镍、铂、钯、钌、铜中的至少一种。
[0007]在其中一个实施例中，所述金属基体的材料选自银、铜、铝、铁、镁、铂、金、锌、钼中的至少一种，且所述金属基体的材料与所述第一掺杂元素不同。
[0008]在其中一个实施例中，所述水氧阻隔牺牲层还包括掺杂在所述金属基体中的第二掺杂元素，所述第二掺杂元素选自钼、钛、碳、氮、钒、磷中的至少一种，且所述金属基体的材料与所述第二掺杂元素不同。
[0009]在其中一个实施例中，在所述水氧阻隔牺牲层中，所述第一掺杂元素的质量分数不大于10％。在其中一个实施例中，水氧阻隔牺牲层中第一掺杂元素的质量分数为0.01％～10％。
[0010]在其中一个实施例中，所述水氧阻隔牺牲层的厚度为5nm～100nm。在其中一个实施例中，水氧阻隔牺牲层的厚度为15nm～50nm。
[0011]在其中一个实施例中，所述发光器件还包括高分子薄膜层，所述高分子薄膜层设置在所述水氧阻隔牺牲层远离所述第二电极层的一侧。
[0012]在其中一个实施例中，所述高分子薄膜层包括高分子基体以及掺杂在所述高分子基体中的无机纳米颗粒。
[0013]在其中一个实施例中，所述高分子基体的材料选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚硅烷以及环氧树脂中的至少一种。
[0014]在其中一个实施例中，所述无机纳米颗粒选自氧化锌、氧化钙、氧化镁以及氯化锌中的至少一种。
[0015]在其中一个实施例中，在所述高分子薄膜层中，所述无机纳米颗粒的质量分数不大于5％。在其中一个实施例中，高分子薄膜层中无机纳米颗粒的质量分数为0.1％～1％。
[0016]在其中一个实施例中，所述高分子薄膜层的厚度为10nm～300nm。在其中一个实施例中，高分子薄膜层的厚度为50nm～150nm。
[0017]在其中一个实施例中，所述发光器件还包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层以及电子注入层中的至少一层。
[0018]在其中一个实施例中，发光器件包括依次层叠设置的基板、第一电极层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、第二电极层、水氧阻隔牺牲层以及高分子薄膜层。
[0019]本专利技术的另一个目的是提供一种发光器件的制作方法，方案如下：
[0020]一种发光器件的制作方法，包括以下步骤：
[0021]提供器件主体，所述器件主体包括层叠设置的基板、第一电极层、发光层以及第二电极层；
[0022]在所述第二电极层上制作水氧阻隔牺牲层，所述水氧阻隔牺牲层包括金属基体以及掺杂在所述金属基体中的第一掺杂元素，所述第一掺杂元素选自铬、镍、铂、钯、钌、铜中的至少一种。
[0023]与现有方案相比，上述发光器件及其制作方法具有以下有益效果：
[0024]上述发光器件及其制作方法在外层设置水氧阻隔牺牲层，金属基体具有一定的水氧阻隔能力，金属基体中含有第一掺杂元素，第一掺杂元素选自铬、镍、铂、钯、钌、铜中的至少一种，铬、镍、铂、钯、钌、铜等元素的掺杂能够进一步提高水氧阻隔牺牲层提供的抗水氧能力，保护发光器件中各功能层，有效减缓发光器件的寿命衰减速率。
附图说明
[0025]图1为一种传统的发光器件的结构示意图；
[0026]图2为一实施例的发光器件的结构示意图。
[0027]附图标记说明：
[0028]10、发光器件；110、基板；120、第一电极层；130、发光层；140、第二电极层；150、水氧阻隔牺牲层；160、高分子薄膜层；170、电子注入层；180、电子传输层；190、空穴传输层；200、空穴注入层。
具体实施方式
[0029]为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的较佳实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容的理解更加透彻全面。
[0030]需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
[0031]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
[0032]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0033]请参考图2所示，本专利技术一实施例的发光器件10包括层叠设置的基板110、第一电极层120、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括层叠设置的基板、第一电极层、发光层、第二电极层以及水氧阻隔牺牲层，所述水氧阻隔牺牲层包括金属基体以及掺杂在所述金属基体中的第一掺杂元素，所述第一掺杂元素选自铬、镍、铂、钯、钌、铜中的至少一种。2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述金属基体的材料选自银、铜、铝、铁、镁、铂、金、锌、钼中的至少一种，且所述金属基体的材料与所述第一掺杂元素不同。3.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，在所述水氧阻隔牺牲层中，所述第一掺杂元素的质量分数不大于1％。4.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述水氧阻隔牺牲层的厚度为5nm～100nm。5.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述水氧阻隔牺牲层还包括掺杂在所述金属基体中的第二掺杂元素，所述第二掺杂元素选自钼、钛、碳、氮、钒、磷中的至少一种，且所述金属基体的材料与所述第二掺杂元素不同。6.如权利要求1～5中任一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括高分子薄膜层，所述高分子薄膜层设置在所述水氧阻隔牺牲层远离所述第二电极层的一侧。7.如权利要求6所述的发光器件，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张节，庄锦勇，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：