一种化合物及其应用制造技术

本发明专利技术提供一种式1所示的化合物及其应用：A

【技术实现步骤摘要】
一种化合物及其应用


[0001]本专利技术涉及有机电致发光
，尤其涉及一种化合物及其应用。

技术介绍

[0002]近年来，基于有机材料的光电子器件已经越来越受欢迎。有机材料固有的柔性令其十分适合用于在柔性基板上制造，可根据需求设计、生产出美观而炫酷的光电子产品，获得相对于无机材料无以比拟的优势。此类有机光电子器件的示例包括有机发光二极管(OLED)，有机场效应管，有机光伏打电池，有机传感器等。其中OLED发展尤其迅速，已经在信息显示领域取得商业上的成功。
[0003]OLED器件核心为含有多种有机功能材料的薄膜结构。常见的功能化有机材料有：空穴注入材料、空穴传输材料、空穴阻挡材料、电子注入材料、电子传输材料，电子阻挡材料以及发光主体材料和发光客体(染料)等。通电时，电子和空穴被分别注入、传输到发光区域并在此复合，从而产生激子并发光。
[0004]人们已经开发出多种有机材料，结合不断发展的器件结构，可以提升载流子迁移率、调控载流子平衡、突破电致发光效率、延缓器件衰减。出于量子力学的原因，常见的荧光发光体主要利用电子和空穴结合时产生的单线态激子发光，现在仍然广泛地应用于各种OLED产品中。有些金属络合物如铱络合物，可以同时利用三线态激子和单线态激子进行发光，被称为磷光发光体，其能量转换效率可以比传统的荧光发光体提升高达四倍。热活化延迟荧光(TADF)技术通过促进三线态激子朝单线态激子的转变，在不采用金属配合物的情况下，仍然可以有效地利用三线态激子而实现较高的发光效率。热活化敏化荧光(TASF)技术则采用具TADF性质的材料，通过能量转移的方式来敏化发光体，同样可以实现较高的发光效率。
[0005]随着OLED产品逐步进入市场，人们对这类产品的性能有越来越高的要求。当前使用的OLED材料和器件结构无法完全解决OLED产品效率、寿命、成本等各方面的问题。

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本领域亟待开发能够提高器件发光效率、降低驱动电压、延长使用寿命的有机电致发光材料。电子阻挡材料作为重要的发光辅助材料，能有效的改善空穴的注入传输和激子阻挡性能，从而直接影响器件性能，因此被人们重点关注。
[0008]本专利技术的目的之一在于提供一种化合物，所述化合物应用于有机电致发光器件能够有效降低驱动电压，提升器件发光效率。
[0009]解决问题的方案
[0010]专利技术人经过潜心研究，结果发现，通过在如下式(A)所示的结构中的三个*位之一引入如下式(B)所示的二芳基氨基，所得的化合物能够提高使用了该化合物的有机电致发光器件的发光效率，降低驱动电压。
[0011]具体而言，本专利技术提供一种化合物，其特征在于，所述化合物具有式1所示的结构：
[0012]A
‑
B(式1)
[0013]式1中，A和B分别为如下结构：
[0014][0015]*为连接位点；
[0016]式(A)中：
[0017]a和b各自独立地为0到4的整数，例如1,2,3,4，c为0到3的整数，例如1,2,3；
[0018]R1～R3各自独立的为取代或未取代的C1～C30的链状烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、卤素、氰基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C3～C60的杂芳基或其组合，相邻的R1、R2、R3不互相连接成环；
[0019]R4和R5各自独立的为C1～C10的链状烷基或C1～C10的烷氧基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C3～C60的杂芳基，R4和R5任选连接成环；
[0020]当式(A)中的取代或未取代的基团存在取代基时，所述取代基选自C1～C20的链状烷基、C3～C20的环烷基、C1～C10的烷氧基、C1～C10的硫代烷氧基、C6～C30的芳基、C3～C30的杂芳基中的一种或者至少两种的组合；
[0021]式(B)中：
[0022]L为单键，取代或未取代的C6～C60亚芳基、或者取代或未取代的C3～C60的亚杂芳基；
[0023]Ar1和Ar2各自独立的为取代或未取代的C6～C60的芳基、或者取代或未取代的C3～C60的杂芳基；
[0024]当式(B)中的取代或未取代的基团存在取代基时，所述取代基选自C1～C20的链状烷基、C3～C20的环烷基、C1～C10的烷氧基、C1～C10的硫代烷氧基、C6～C30芳基氨基、C3～C30杂芳基氨基、C6～C30的芳基、C3～C30的杂芳基。
[0025]通过在式(A)所示的结构中的三个*位之一引入式(B)所示的二芳基氨基，所得的三芳胺化合物能够提高使用了该化合物的有机电致发光器件的发光效率，降低驱动电压。
[0026]本专利技术化合物性能优异的具体原因尚不明确，推测可能是以下的原因：首先，三芳胺化合物具备良好的空穴传输能力，而在式(A)的母核(吖啶衍生物)的三个*位(吖啶衍生物的1、4、5位)中的任意一个连接二芳基氨基，可以在得到三芳胺结构的同时，利用二芳基氨基的体积使式(A)中母核的共轭平面出现些许扭曲，从而得到合适的带隙，提高发光效率。与此相对，若二芳基氨基连接于母核中咔唑部分的2、3、6和7位由于没有位阻效应，分子
构象趋向平面，不能实现本专利技术化合物的技术效果。另一方面，式(A)中母核的共轭平面的适当扭曲还有利于提高分子的堆积致密度，容易形成稳定的薄膜结构。需要说明的是，为了实现本专利技术的目的，得到适用于有机电致发光器件的、能够有效降低驱动电压、提升器件发光效率的化合物，专利技术人结合理论与经验对分子结构进行设计，从而得到本专利技术的化合物，其中，式(A)中的母核构成与二芳基氨基的取代位置缺一不可，因此母核上虽然可以连接部分基团，但这些取代基不能与母核稠合，即，不能改变母核的构成。
[0027]在本说明书中，Ca～Cb的表达方式代表该基团具有的碳原子数为a～b，除非特殊说明，一般而言该碳原子数不包括取代基的碳原子数。
[0028]在本说明书中，“—”划过的环结构的表达方式，表示连接位点为该环结构上任意能够成键的位置。
[0029]在本说明书中，“各自独立地”表示其主语具有多个时，彼此之间可以相同也可以不同。
[0030]本专利技术中，对于化学元素的表述，若无特别说明，通常包含其同位素的概念，例如“氢(H)”的表述，则包括其同位素1H(氕或者H)、2H(氘或者D)的概念；碳(C)则包括
12
C、
13
C等，不再赘述。
[0031]本专利技术中杂芳基中的杂原子，通常指选自N、O、S、P、Si和Se中的原子或原子团，优选选自N、O、S。
[0032]在本说明书中，作为卤素的例子可举出：氟、氯、溴、碘等。
[0033]上述C1～C30链状烷基优选C1～C20链状烷基，更优选C1～C10链状烷基，可举出例如：甲基、乙基、正丙基、正丁基、正己基、正辛基、正戊基、正庚基、正壬基、正癸基等。
[0034]上述C3～C本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有式1所示的结构：A
‑
B (式1)式1中，A和B分别为如下结构：*为连接位点；式(A)中：a和b各自独立地为0到4的整数，c为0到3的整数；R1～R3各自独立的为取代或未取代的C1～C30的链状烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、卤素、氰基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C3～C60的杂芳基或其组合，相邻的R1、R2、R3不互相连接成环；R4和R5各自独立的为C1～C10的链状烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C3～C60的杂芳基，R4和R5任选连接成环；当式(A)中的取代或未取代的基团存在取代基时，所述取代基选自C1～C20的链状烷基、C3～C20的环烷基、C1～C10的烷氧基、C1～C10的硫代烷氧基、C6～C30的芳基、C3～C30的杂芳基中的一种或者至少两种的组合；式(B)中：L为单键，取代或未取代的C6～C60亚芳基、或者取代或未取代的C3～C60的亚杂芳基；Ar1和Ar2各自独立的为取代或未取代的C6～C60的芳基、或者取代或未取代的C3～C60的杂芳基；当式(B)中的取代或未取代的基团存在取代基时，所述取代基选自C1～C20的链状烷基、C3～C20的环烷基、C1～C10的烷氧基、C1～C10的硫代烷氧基、C6～C30芳基氨基、C3～C30杂芳基氨基、C6～C30的芳基、C3～C30的杂芳基中的一种或者至少两种的组合。2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述式1由以下结构式表示：
式中，除了c为0～2的整数之外，其他各基团的定义与在式1中的定义相同；优选c为0，其他各基团的定义与在式1中的定义相同。3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述式1由以下结构式表示：式中，除了b为0～3的整数之外，其他各基团的定义与在式1中的定义相同；优选b为0，其他各基团的定义与在式1中的定义相同。4.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述式1由以下结构式表示：式中，除了b为0～3的整数之外，其他各基团的定义与在式1中的定义相同；优选b为0，其他各基团的定义与在式1中的定义相同。5.根据权利要求1～4中任一项所述的化合物，其中Ar1和Ar2各自独立地选自以下取代或未取代的基团：
其中，波浪线为连接位点，M为C6
‑
C30的芳基，A1～A3为取代或未取代的C1～C30的链状烷基、C3～C20环烷基、C6～C20芳基、C5～C20杂芳基，或其组合；Ar1和Ar2各...

【专利技术属性】
技术研发人员：高文正，刘叔尧，王志鹏，李之洋，孙恩涛，
申请(专利权)人：北京鼎材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：