本发明专利技术的课题是提供在器件制造的高温工艺中,可以抑制叠层于树脂膜的膜的剥落、褶皱的产生,并且可以适合用于需要透明性的用途的树脂膜。一种树脂膜,是包含具有化学式(1)所示的重复单元的树脂的树脂膜,其波长400nm下的光透射率为68%以上,玻璃化转变温度为370℃以上,重量减少开始温度为440℃以上。(在化学式(1)中,A表示碳原子数2以上的4价的四羧酸残基,B表示碳原子数2以上的2价的二胺残基。)))
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】树脂膜、其制造方法、树脂组合物、显示器及其制造方法
[0001]本专利技术涉及树脂膜、其制造方法、树脂组合物、显示器及其制造方法。
技术介绍
[0002]聚酰亚胺通过其优异的电绝缘性、耐热性、机械特性而作为半导体、显示器用途这样的、各种电子器件的材料而被使用。最近,通过在有机EL显示器、电子纸、滤色器等显示器的基板使用聚酰亚胺膜,从而可以制造耐冲击,柔性的显示器。
[0003]电子器件所使用的材料要求可耐受器件制造中的高温工艺的高耐热性。特别是在需要透明性的用途中,要求能够兼有耐热性与透明性的材料。
[0004]例如,在专利文献1中公开了使用具有高耐热性的聚酰亚胺作为基板,制造有机EL显示器的例子。此外,在专利文献2中公开了使用具有高透明性的聚酰亚胺作为基板,制造滤色器、有机EL显示器、触摸面板等电子器件的例子。此外,在专利文献3中报导了使用烷氧基硅烷改性聚酰亚胺前体制造聚酰亚胺膜,用于透明基板用途等的例子。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:国际公开第2017/099183号
[0008]专利文献2:国际公开第2017/221776号
[0009]专利文献3:日本特开2016
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188367号公报
技术实现思路
[0010]专利技术所要解决的课题
[0011]对于专利文献1所记载的聚酰亚胺树脂膜,树脂膜的光透射率不足,因此具有不能应用于需要透明性的用途这样的课题。对于专利文献2、专利文献3所记载的聚酰亚胺树脂膜,具有在电子器件制造时的高温工艺中,叠层在聚酰亚胺树脂膜上的膜剥落,或叠层了的膜产生褶皱的课题。因此本专利技术的目的是提供具有透明性的树脂膜,其在高温工艺中,可以抑制叠层在该树脂膜上的膜的剥落、褶皱的产生。
[0012]用于解决课题的方法
[0013]本专利技术是一种树脂膜,是包含具有化学式(1)所示的重复单元的树脂的树脂膜,其波长400nm下的光透射率为68%以上,玻璃化转变温度(以下,适当称为Tg)为370℃以上,重量减少开始温度(以下,适当称为Td0)为440℃以上。
[0014][0015]在化学式(1)中,A表示碳原子数2以上的4价的四羧酸残基,B表示碳原子数2以上的2价的二胺残基。
[0016]此外,本专利技术是一种树脂组合物,是包含具有化学式(4)所示的重复单元的树脂、和溶剂的树脂组合物,对于涂布该树脂组合物并在410℃烧成而获得的厚度10μm的树脂膜而言,其波长400nm下的光透射率为68%以上,Tg为370℃以上,Td0为440℃以上。
[0017][0018]在化学式(4)中,A表示碳原子数2以上的4价的四羧酸残基,B表示碳原子数2以上的2价的二胺残基。R1和R2各自独立地表示氢原子、碳原子数1~10的烃基、碳原子数1~10的烷基甲硅烷基、碱金属离子、铵离子、咪唑离子或吡啶离子。
[0019]专利技术的效果
[0020]本专利技术涉及的树脂膜在电子器件制造中的高温工艺中,可以抑制叠层在树脂膜上的膜剥落,或在叠层了的膜产生褶皱的现象,并且可以适合用于需要透明性的用途。
具体实施方式
[0021]以下,详细地说明本具体实施方式。然而,本专利技术不限定于以下实施方式,可以根据目的、用途进行各种变更而实施。
[0022]<树脂膜>
[0023]本专利技术的实施方式涉及的树脂膜是下述树脂膜,是包含具有下述化学式(1)所示的重复单元的树脂的树脂膜,其波长400nm下的光透射率为68%以上,玻璃化转变温度为370℃以上,重量减少开始温度为440℃以上。
[0024][0025]在化学式(1)中,A表示碳原子数2以上的4价的四羧酸残基,B表示碳原子数2以上的2价的二胺残基。
[0026]作为具有化学式(1)所示的重复单元的树脂,可举出聚酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂等。
[0027]本专利技术的实施方式涉及的树脂膜由于波长400nm下的光透射率为68%以上,因此可以适合用于需要透明性的用途。此时的树脂膜的膜厚只要是上述光透射率为68%以上那样的范围,就没有特别限制,但从树脂膜的机械特性的观点考虑,优选为4μm以上,更优选为5μm以上,进一步优选为6μm以上。此外,该树脂膜的膜厚优选为40μm以下,更优选为30μm以下,进一步优选为25μm以下。如果该树脂膜的膜厚为4μm以上且40μm以下,则树脂膜的机械
特性变得良好。此外,从使该树脂膜的光透射率进一步提高这样的观点考虑,膜厚也优选为0.5μm以上且4μm以下,也更优选为1μm以上且3μm以下。
[0028]另外,本专利技术的实施方式涉及的树脂膜特别优选将膜厚换算为10μm时的、波长400nm下的光透射率为68%以上。所谓将膜厚换算为10μm时的光透射率,吸光度设为与膜厚成比例,由测定某膜厚的树脂膜而求出的光透射率的值,算出膜厚为10μm的情况下的光透射率。
[0029]本专利技术的实施方式涉及的树脂膜由于玻璃化转变温度Tg为370℃以上,因此在电子器件的制造中的高温工艺中,可以抑制树脂膜变形导致的在树脂膜上形成的膜产生的褶皱。树脂膜的Tg越为高温,则越可以将电子器件制造的工艺温度高温化,因此是优选的。例如Tg更优选为380℃以上。
[0030]本专利技术中的Tg使用热机械分析装置测定。此时,是在第1阶段中,以5℃/分钟这样的升温速率将试样升温直到150℃,在第2阶段中,以5℃/分钟这样的降温速率将试样进行空气冷却直到室温,在第3阶段中,以5℃/分钟这样的升温速率将试样升温而求出的值。
[0031]本专利技术的实施方式涉及的树脂膜由于重量减少开始温度Td0为440℃以上,因此在电子器件的制造中的高温工艺中,可以抑制:起因于从树脂膜的气体产生,形成在树脂膜上的膜剥落的膜浮起现象的发生。树脂膜的Td0越为高温,则越可以将电子器件制造的工艺温度高温化,因此是优选的。例如,Td0更优选为450℃以上。
[0032]本专利技术中的Td0使用热重量测定装置测定。此时,是在第1阶段中,以10℃/分钟这样的升温速率将试样升温直到150℃,在第2阶段中,以10℃/分钟这样的降温速率将试样进行空气冷却直到室温,在第3阶段中,以10℃/分钟这样的升温速率将试样升温而求出的值。
[0033]在化学式(1)中,A表示碳原子数2以上的4价的四羧酸残基,但这样的四羧酸残基优选为碳原子数2~80的4价的烃基。此外,A可以为以氢和碳作为必需成分,并包含选自硼、氧、硫、氮、磷、硅和卤素中的1以上原子的碳原子数2~80的4价的有机基。该有机基所包含的硼、氧、硫、氮、磷、硅和卤素的各原子的数各自独立地优选为20以下的范围,更优选为10以下的范围。
[0034]作为获得A的四羧酸,没有特别限制,可以使用公知物质。可举出例如,均苯四甲酸、具有化学式(32)所示的结构的3,3
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,4,4
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联苯四甲酸、2,3,3
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种树脂膜,是包含具有化学式(1)所示的重复单元的树脂的树脂膜,其波长400nm下的光透射率为68%以上,玻璃化转变温度为370℃以上,重量减少开始温度为440℃以上,在化学式(1)中,A表示碳原子数2以上的4价的四羧酸残基,B表示碳原子数2以上的2价的二胺残基。2.根据权利要求1所述的树脂膜,所述树脂具有化学式(2)所示的结构,在化学式(2)中,A表示碳原子数2以上的4价的四羧酸残基,B表示碳原子数2以上的2价的二胺残基;Z表示碳原子数1~10的氨基硅烷残基;R3表示碳原子数1~20的烃基;n表示2或3;X表示化学式(3)所示的结构,化学式(3)中的氧原子与化学式(2)中的Si原子结合;3.根据权利要求2所述的树脂膜,将所述树脂所包含的氨基硅烷残基的摩尔数除以四羧酸残基的摩尔数而得的值为0.2~1.2。4.根据权利要求1~3中任一项所述的树脂膜,将所述树脂膜所包含的二胺残基的摩尔数除以四羧酸残基的摩尔数而得的值为0.4~0.9。5.根据权利要求2~4中任一项所述的树脂膜,在所述化学式(2)中,Z为碳原子数6~10的芳香族烃基。6.根据权利要求1~5中任一项所述的树脂膜,其特征在于,在所述化学式(1)中,A和B不包含氟原子。7.根据权利要求1~6中任一项所述的树脂膜,在所述化学式(1)中,B具有化学式(31)所示的结构,A具有化学式(32)所示的结构、化学式(33)所示的结构、或化学式(34)所示的结构,
在化学式(31)中,C表示醚基、酯基、酰胺基、或磺酰基;在化学式(33)中,p表示0~3的整数;在化学式(34)中,q表示1~4的整数。8.根据权利要求1~7中任一项所述的树脂膜,在所述化学式(1)中,A具有3,3
’
,4,4
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联苯四甲酸残基,B具有3,3
’‑
二氨基二苯基砜残基或4,4
...
【专利技术属性】
技术研发人员:芦部友树,宫崎大地,诹访充史,
申请(专利权)人:东丽株式会社,
类型:发明
国别省市:
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