电子设备制造技术

一种电子设备包括：基底层；以及显示元件层，包括像素限定层、发光元件和光接收元件，像素限定层具有穿过像素限定层限定的开口。发光元件和光接收元件中的每一个包括第一电极、设置在第一电极上的空穴传输区、设置在空穴传输区上的电子传输区和设置在电子传输区上的第二电极。发光元件包括设置在空穴传输区与电子传输区之间的发光层。光接收元件包括设置在空穴传输区与电子传输区之间的光接收层以及设置在光接收层与电子传输区之间的、包括n型掺杂剂材料的电子提取层。光接收元件将入射到光接收元件的光转换为电信号。接收元件的光转换为电信号。接收元件的光转换为电信号。

【技术实现步骤摘要】
电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本专利申请要求2021年5月7日在韩国专利局提交的韩国专利申请第10
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2021
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0058996号的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用整体并入本文。


[0003]本公开涉及一种电子设备，并且更具体地，涉及一种在其有效区域中包括发光元件和光接收元件的电子设备。

技术介绍

[0004]各种电子设备合并显示器以便向用户提供图像信息。通常，这些显示器是触敏的，以便感测由用户例如通过用户手指的按压或触摸笔的施加提供的外部输入。
[0005]用于识别外部输入的方法包括感测在电极之间形成的电容变化的电容方法、使用光学传感器感测入射光的光学方法以及使用压电材料感测由触摸引起的振动的超声波方法。在使用光学传感器的情况下，可以通过将接收到的光有效地转换为电信号来提高光接收元件的灵敏度。

技术实现思路

[0006]一种电子设备包括基底层以及设置在基底层上的显示元件层。显示元件层包括像素限定层、发光元件和通过像素限定层与发光元件区分开的光接收元件，像素限定层提供有穿过像素限定层限定的开口。发光元件和光接收元件中的每一个包括第一电极、设置在第一电极上的空穴传输区、设置在空穴传输区上的电子传输区和设置在电子传输区上的第二电极。发光元件进一步包括设置在空穴传输区与电子传输区之间的发光层，并且光接收元件进一步包括：光接收层，设置在空穴传输区与电子传输区之间以将入射到光接收层的光转换为电信号；和电子提取层，设置在光接收层和电子传输区之间并且包括n型掺杂剂材料。
[0007]n型掺杂剂材料可以包括具有等于或小于大约3.0eV的功函数的金属。
[0008]n型掺杂剂材料可以包括具有等于或大于大约
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3.0eV的最高占据分子轨道(HOMO)能级的有机化合物。
[0009]n型掺杂剂材料可以包括Ca、Yb、K、Cs、Rb或Li。
[0010]发光元件可以不包括电子提取层。
[0011]电子传输区可以包括电子传输层以及设置在电子传输层与第二电极之间的电子注入层，并且电子传输层可以不包括n型掺杂剂材料。
[0012]光接收层可以包括供体化合物和受体化合物，并且受体化合物可以包括富勒烯衍生物或苝四羧酸二酰亚胺(PTCDI)衍生物。
[0013]电子提取层可以包括n型掺杂剂材料和受体化合物。
[0014]电子提取层可以是包括n型掺杂剂材料的单一材料的层或包括n型掺杂剂材料和
受体化合物的复合材料的层。
[0015]供体化合物可以包括酞菁类化合物或苝类化合物。
[0016]显示元件层可以进一步包括设置在发光层与电子传输区之间以及电子提取层与电子传输区之间的缓冲层。
[0017]缓冲层可以不包括n型掺杂剂材料。
[0018]设置在光接收层之下的空穴传输区可以包括与设置在发光层之下的空穴传输区的材料相同的材料。
[0019]设置在光接收层上的电子传输区可以包括与设置在发光层上的电子传输区的材料相同的材料。
[0020]一种电子设备包括显示模块，显示模块包括彼此间隔开的红色发光区域、绿色发光区域、蓝色发光区域和光接收区域。显示模块包括基底层、设置在基底层上并且包括发光元件和光接收元件的显示元件层以及设置在显示元件层上的输入感测层。发光元件和光接收元件中的每一个包括第一电极、设置在第一电极上的空穴传输区、设置在空穴传输区上的电子传输区和设置在电子传输区上的第二电极。发光元件进一步包括设置在空穴传输区与电子传输区之间的发光层，并且光接收元件进一步包括设置在空穴传输区与电子传输区之间的光接收层和设置在光接收层上并且不与发光层重叠的电子提取层。
[0021]电子提取层可以包括n型掺杂剂材料。
[0022]电子提取层可以包括：具有等于或小于大约3.0eV的功函数的金属、包括具有等于或小于3.0eV的功函数的金属的金属化合物、具有等于或大于大约
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3.0eV的最高占据分子轨道(HOMO)能级的有机化合物或者包括具有等于或大于大约
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3.0eV的HOMO能级的有机材料的复合化合物。
[0023]电子传输区可以包括电子传输层以及设置在电子传输层与第二电极之间的电子注入层，并且电子传输层可以不包括n型掺杂剂材料。
[0024]光接收层可以包括供体化合物和受体化合物，并且受体化合物可以包括富勒烯衍生物或苝四羧酸二酰亚胺(PTCDI)衍生物。
[0025]电子提取层可以仅包括n型掺杂剂材料，或者可以包括n型掺杂剂材料和受体化合物。
[0026]发光元件可以包括与红色发光区域相对应的红色发光元件、与蓝色发光区域相对应的蓝色发光元件以及与绿色发光区域相对应的绿色发光元件。
[0027]一种电子设备包括：基底层；第一电极，设置在基底层上并且包括发光电极和与发光电极间隔开的光接收电极；像素限定层，设置在基底层上并且提供有第一开口和第二开口，发光电极和光接收电极分别通过第一开口和第二开口被暴露；发光层，在第一开口中设置在发光电极上；光接收层，在第二开口中设置在光接收电极上；电子提取层，在第二开口中设置在光接收层上；空穴传输区，设置在发光电极与发光层之间以及光接收电极与光接收层之间；电子传输区，与像素限定层、发光层和光接收层完全重叠；第二电极，设置在电子传输区上；以及封装层，设置在第二电极上。
[0028]电子提取层可以包括n型掺杂剂材料。
[0029]n型掺杂剂材料可以包括具有等于或小于大约3.0eV的功函数的金属或者具有等于或大于大约
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3.0eV的最高占据分子轨道(HOMO)能级的有机化合物。
[0030]电子传输区可以包括电子传输层以及设置在电子传输层上的电子注入层，并且电子传输层可以不包括n型掺杂剂材料。
[0031]电子设备可以进一步包括设置在电子传输区与发光层之间以及电子传输区和电子提取层之间的缓冲层，并且缓冲层可以不包括n型掺杂剂材料。
[0032]空穴传输区可以与像素限定层、发光层和光接收层完全重叠。
附图说明
[0033]当结合附图考虑时，通过参考以下详细描述，本公开的上述和其他方面将变得显而易见，附图中：
[0034]图1是示出根据本公开的实施例的电子设备的透视图；
[0035]图2是示出根据本公开的实施例的电子设备的分解透视图；
[0036]图3是示出根据本公开的实施例的电子设备的截面图；
[0037]图4是示出根据本公开的实施例的显示模块的一部分的平面图；
[0038]图5是示出根据本公开的实施例的显示模块的一部分的截面图；
[0039]图6是示出根据本公开的实施例的电子设备的截面图；
[0040]图7A是示出根据本公开的实施例的发光元件的截面图；
[0041]图7B是示出根据本公开的实施例的光接收元件的截面图；
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子设备，包括：基底层；以及显示元件层，设置在所述基底层上并且包括像素限定层、发光元件和通过所述像素限定层与所述发光元件区分开的光接收元件，所述像素限定层包括穿过所述像素限定层的开口，所述发光元件和所述光接收元件中的每一个包括：第一电极；空穴传输区，设置在所述第一电极上；电子传输区，设置在所述空穴传输区上；和第二电极，设置在所述电子传输区上，其中，所述发光元件进一步包括设置在所述空穴传输区与所述电子传输区之间的发光层，并且其中，所述光接收元件进一步包括：光接收层，设置在所述空穴传输区与所述电子传输区之间，所述光接收层被配置为将入射到所述光接收层的光转换为电信号；和电子提取层，设置在所述光接收层与所述电子传输区之间，所述电子提取层包括n型掺杂剂材料。2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述n型掺杂剂材料包括具有等于或小于3.0eV的功函数的金属。3.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述n型掺杂剂材料包括具有等于或大于
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3.0eV的最高占据分子轨道能级的有机化合物。4.根据权利要求2所述的电子设备，其中，所述n型掺杂剂材料包括Ca、Yb、K、Cs、Rb或Li。5.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述电子提取层不设置在所述发光元件内。6.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述电子传输区包括：电子传输层；以及电子注入层，设置在所述电子传输层与所述第二电极之间，其中，所述n型掺杂剂材料不存在于所述电子传输层内。7.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述光接收层包括供体化合物和受体化合物，并且所述受体化合物包括富勒烯衍生物或苝四羧酸二酰亚胺衍生物。8.根据权利要求7所述的电子设备，其中，所述电子提取层包括所述n型掺杂剂材料和所述受体化合物。9.根据权利要求7所述的电子设备，其中，所述电子提取层是包括所述n型掺杂剂材料的单一材料的层或包括所述n型掺杂剂材料和所述受体化合物的复合材料的层。10.根据权利要求7所述的电子设备，其中，所述供体化合物包括酞菁类化合物或苝类化合物。11.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述显示元件层进一步包括设置在所述发光层与所述电子传输区之间以及所述电子提取层与所述电子传输区之间的缓冲层。12.根据权利要求11所述的电子设备，其中，所述n型掺杂剂材料不存在于所述缓冲层内。
13.根据权利要求1
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12中任一项所述的电子设备，其中，设置在所述光接收层之下的所述空穴传输区包括与设置在所述发光层之下的所述空穴传输区的材料相同的材料。14.根据权利要求1
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12中任一项所述的电子设备，其中，设置在所述光接收层上的所述电子传输区包括与设置在所述发光层上的所述电子传输区的材料相同的材料。15.一种电子设备，包括：显示模块，包括彼此间隔开的红色发光区域、绿色发光区域、蓝色发光区域和光接收区域，所述显示模块进一步包括：基底层；显示元件层，设置在所述基底层上并且包括发光元件和光接收元件；以及输入感测层，设置在所述显示元件层上，其中，所述发光元件和所述光接收元件中的每一个包括：第一电极；空穴传输区，设置在所述第一电极上；电子传输区，设置在所述空穴传输区上；和第二电极，设置在所述电子传输区上，其中，所述发光元...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔珉洙，尹锡奎，俞炳旭，秋昌雄，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：