集成组合件以及形成集成组合件的方法技术

本申请涉及集成组合件和形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种具有彼此横向偏移的第一和第二源极/漏极区的集成组合件。金属硅化物邻近于所述源极/漏极区的横向表面。金属邻近于所述金属硅化物。容器形的第一和第二电容器电极经由所述金属硅化物和所述金属耦合到所述源极/漏极区。电容器电介质材料为所述容器形的第一和第二电容器电极的内表面加衬。共享电容器电极在所述第一和第二电容器电极之间竖直延伸，且延伸到加衬的第一和第二电容器电极中。一些实施例包含形成集成组合件的方法。方法。方法。

【技术实现步骤摘要】
集成组合件以及形成集成组合件的方法


[0001]集成组合件(例如，集成存储器)。形成集成组合件的方法。

技术介绍

[0002]集成组合件可包含存储器。实例存储器配置1200在图1中展示。晶体管(存取装置)1206包含半导体材料1204的水平延伸片段，其中此些片段包含源极/漏极区1238和1240并且包含沟道区1242。电容器1208经由导电互连件1244与晶体管1206耦合。在一些应用中，导电互连件可被视为电容器的部分，并且可例如被视为此些电容器的存储节点的部分。
[0003]存储器单元1210包括晶体管1206和电容器1208。存储器单元布置在存储器配置(存储器阵列)1200内，其中此阵列具有沿着示出的z轴方向延伸的行1224，且具有沿着示出的x轴方向延伸的列1246。数字线1212沿着列1246延伸，且与晶体管1206的源极/漏极区1238耦合。字线1214沿着存储器阵列的行1224延伸，且邻近于晶体管1206的沟道区1242。在所示出的实施例中，字线中的每一个包括两个片段，其中此些片段处于沟道区1242的相对侧上。在其它实施例中，字线可包括其它合适的配置，且可例如仅在沟道区的一侧上包括单个组件，可包括全环绕栅极配置等。
[0004]字线1214通常通过栅极电介质材料(例如，二氧化硅)与沟道区1242间隔开，但此栅极电介质材料未在图1中展示以便简化图式。
[0005]晶体管1206的主体区(沟道区)1242与导电板1248耦合。此板可用于在存储器单元1210的一些操作模式期间使得过量载流子(例如，空穴)能够从主体区1242排出。
[0006]图2展示图1的组合件1200沿着y轴方向的横截面侧视图，并且以图解方式示出上文参考图1所描述的结构中的一些结构。晶体管1206展示为沿着y轴方向水平地延伸。字线1214展示为沿着z轴方向竖直延伸，且数字线1212展示为相对于图2的横截面图水平地延伸进出页面。图2中并未展示导电板1248(图1)，以便简化图式。
[0007]横向相邻的存储器单元1210的电容器1208展示为共享图2的存储器配置1200中的板电极1250。
[0008]基底1216支撑存储器配置1200的组件。此基底可包括半导体材料；且可例如包括单晶硅、基本上由单晶硅组成，或由单晶硅组成。基底1216可被称为半导体衬底。术语“半导体衬底”意指包括半导电材料的任何构造，包含(但不限于)块状半导电材料，例如(单独或在包括其它材料的组合件中的)半导电晶片，和(单独或在包括其它材料的组合件中的)半导电材料层。术语“衬底”指代任何支撑结构，包含(但不限于)上文描述的半导体衬底。在一些应用中，基底1216可对应于含有与集成电路制造相关联的一或多种材料的半导体衬底。此些材料可包含例如耐火金属材料、阻隔材料、扩散材料、绝缘体材料等中的一或多种。
[0009]图3中展示存储器配置1300的另一实例。晶体管(存取装置)1306包含半导体材料1304的水平延伸片段，其中此些片段包含源极/漏极区1338和1340，且包含沟道区1342。电容器1308经由导电互连件1344与晶体管1306耦合。在一些应用中，导电互连件可被视为电容器的部分，并且可例如被视为此些电容器的存储节点的部分。
[0010]存储器单元1310包括晶体管1306和电容器1308。存储器单元布置在存储器配置(存储器阵列)1300内。数字线1312沿着存储器阵列的列延伸，且与晶体管1306的源极/漏极区1338耦合。数字线沿着z轴方向竖直延伸。
[0011]字线1314沿着存储器阵列的行延伸，且邻近于晶体管1306的沟道区1342。字线1314通过栅极电介质材料1305与沟道区1342间隔开。
[0012]晶体管1306的主体区(沟道区)1342与导电板1348耦合。此板可用于在存储器单元1310的一些操作模式期间使得过量载流子(例如，空穴)能够从主体区1342排出。
[0013]图4展示图3的组合件1300沿着x轴方向的横截面侧视图，并且以图解方式示出上文参考图3所描述的结构中的一些结构。晶体管1306展示为沿着x轴方向水平地延伸。数字线1312展示为沿着z轴方向竖直延伸，且字线1314展示为相对于图4的横截面图水平地延伸进出页面。
[0014]横向相邻的存储器单元1310的电容器1308展示为共享板电极1350。
[0015]存储器配置1300的所示出组件展示为由基底1316支撑。此基底可为半导体衬底。
[0016]图1
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4中展示的存储器利用与存取装置的源极/漏极区耦合的横向延伸的电容器。可能难以实现横向延伸的电容器和存取装置的源极/漏极区之间的高导电性耦合。因此，需要开发具有源极/漏极区和横向延伸的电容器之间的良好电耦合的新架构，且需要开发形成新架构的方法。

技术实现思路

[0017]描述一种集成组合件。所述集成组合件可包括：第一源极/漏极区，以及相对于所述第一源极/漏极区横向偏移的第二源极/漏极，其中所述第一和第二源极/漏极区包括导电掺杂硅；金属硅化物材料，其紧邻所述第一和第二源极/漏极区的横向表面；含金属区，其紧邻所述金属硅化物材料，其中所述含金属区中的一个是第一含金属区且与所述第一源极/漏极区相关联，且所述含金属区中的另一个是第二含金属区且与所述第二源极/漏极区相关联；横向延伸的容器形第一电容器电极，其与所述第一含金属区耦合，其中所述第一电容器电极的所述容器形状沿着第一横向方向打开；横向延伸的容器形第二电容器电极，其与所述第二含金属区耦合，其中所述第二电容器电极的所述容器形状沿着与所述第一横向方向相对的第二横向方向打开；电容器电介质材料，其为所述容器形的第一和第二电容器电极的内表面加衬；以及共享电容器电极，其在所述第一和第二电容器电极之间竖直延伸，且延伸到加衬的第一和第二电容器电极中；所述共享电容器电极、所述电容器电介质材料和所述第一电容器电极一起并入到第一横向延伸的电容器中；且所述共享电容器电极、所述电容器电介质材料和所述第二电容器电极一起并入到第二横向延伸的电容器中，其中所述第二横向延伸的电容器相对于所述第一横向延伸的电容器横向偏移。
[0018]描述一种集成组合件。所述集成组合件可包括：竖直延伸穿过交替的第一和第二层级的堆叠的共享电容器电极材料的柱。所述第一层级是含电容器层级且包括配对的横向延伸的电容器，且每一组所述配对电容器包含第一电容器和第二电容器，其中所述第二电容器沿着竖直延伸穿过所述共享电极材料的所述柱的中心的平面大体上为所述第一电容器的镜像。所述电容器包含与同存取装置相关联的源极/漏极区耦合的容器形电极。穿过包含含金属区和含金属硅化物区的导电桥发生到所述源极/漏极区的所述耦合。所述含金属
区直接抵靠所述容器形电极，且所述含金属硅化物区直接抵靠所述源极/漏极区。所述第二层级是包括一或多个绝缘材料的绝缘层级。
[0019]描述一种方法。所述形成集成组合件的方法可包括：形成交替的第一和第二层级的堆叠；所述第一层级本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成组合件，其包括：第一源极/漏极区，以及相对于所述第一源极/漏极区横向偏移的第二源极/漏极；所述第一和第二源极/漏极区包括导电掺杂硅；金属硅化物材料，其紧邻所述第一和第二源极/漏极区的横向表面；含金属区，其紧邻所述金属硅化物材料；所述含金属区中的一个是第一含金属区且与所述第一源极/漏极区相关联，且所述含金属区中的另一个是第二含金属区且与所述第二源极/漏极区相关联；横向延伸的容器形第一电容器电极，其与所述第一含金属区耦合，其中所述第一电容器电极的所述容器形状沿着第一横向方向打开；横向延伸的容器形第二电容器电极，其与所述第二含金属区耦合，其中所述第二电容器电极的所述容器形状沿着与所述第一横向方向相对的第二横向方向打开；电容器电介质材料，其为所述容器形的第一和第二电容器电极的内表面加衬；以及共享电容器电极，其在所述第一和第二电容器电极之间竖直延伸，且延伸到加衬的第一和第二电容器电极中；所述共享电容器电极、所述电容器电介质材料和所述第一电容器电极一起并入到第一横向延伸的电容器中；且所述共享电容器电极、所述电容器电介质材料和所述第二电容器电极一起并入到第二横向延伸的电容器中，其中所述第二横向延伸的电容器相对于所述第一横向延伸的电容器横向偏移。2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一和第二电容器电极包括金属氮化物。3.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一和第二电容器电极包括氮化钛。4.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述含金属区包括钨。5.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述金属硅化物包括硅化钨。6.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述含金属区包括钛。7.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述金属硅化物包括硅化钛。8.根据权利要求1所述的集成组合件，其包括存储器阵列，且其中所述第一和第二电容器在所述存储器阵列的第一和第二存储器单元内。9.根据权利要求8所述的集成组合件，其中所述存储器阵列包括竖直延伸的字线。10.根据权利要求8所述的集成组合件，其中所述存储器阵列包括竖直延伸的数字线。11.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一和第二电容器一起为电容器组合件，其中所述电容器组合件是许多大体上相同的电容器组合件中的一个；其中所述电容器组合件沿着电容器组合件层级；其中所述电容器组合件层级与绝缘层级竖直交替；且其中存在所述电容器组合件层级中的至少8个。12.一种集成组合件，其包括：竖直延伸穿过交替的第一和第二层级的堆叠的共享电容器电极材料的柱；所述第一层级是含电容器层级且包括配对的横向延伸的电容器；每一组所述配对电容器包含第一电容器和第二电容器，其中所述第二电容器沿着竖直延伸穿过所述共享电极材料的所述柱的中心的平面大体上为所述第一电容器的镜像；所述电容器包含与同存取装置相关联的源极/漏极区耦合的容器形电极；穿过包含含金属区和含金属硅化物区的导电桥发生到所述源极/漏极区的所述耦合；所述含金属区直接抵靠所述容器形电极，且所述含金
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【专利技术属性】
技术研发人员：李哲奇，T，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：