存储器件、半导体结构及其形成方法技术

本公开提供一种存储器件、半导体结构及其形成方法，涉及半导体技术领域。该形成方法包括：提供衬底，衬底具有阵列区；在阵列区上形成多个间隔分布的位线结构，每个位线结构上均形成有覆盖层，覆盖层的侧壁依次形成有第一绝缘层和第二绝缘层，相邻两个位线结构的第二绝缘层之间填充有导电接触层；对导电接触层及第二绝缘层进行蚀刻处理，以使导电接触层及第二绝缘层的顶部均低于覆盖层的表面并高于位线结构的表面；对第一绝缘层进行选择性蚀刻，以使第一绝缘层的顶部与导电接触层及第二绝缘层的顶部齐平；对导电接触层进行回蚀刻处理，以在相邻两个位线结构的覆盖层之间形成电容接触孔。本公开的形成方法可降低短路风险，提高产品良率。产品良率。产品良率。

【技术实现步骤摘要】
存储器件、半导体结构及其形成方法


[0001]本公开涉及半导体
，具体而言，涉及一种存储器件、半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)因具有体积小、集成化程度高及传输速度快等优点，被广泛应用于手机、平板电脑等移动设备中。
[0003]现有动态随机存储器包括位元线及与位元线交替设置的电容接触窗口，但是在形成位元线及电容接触窗口时，受制备工艺影响，易出现结构异常，器件良率较低。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本申请的目的在于克服上述现有技术中的不足，提供一种存储器件、半导体结构及其形成方法，可降低短路风险，提高产品良率。
[0006]根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构的形成方法，包括：
[0007]提供衬底，所述衬底具有阵列区；
[0008]在所述阵列区上形成多个间隔分布的位线结构，每个所述位线结构上均形成有覆盖层，所述覆盖层的侧壁依次形成有第一绝缘层和第二绝缘层，相邻两个所述位线结构的第二绝缘层之间填充有导电接触层；
[0009]对所述导电接触层及所述第二绝缘层进行蚀刻处理，以使所述导电接触层及所述第二绝缘层的顶部均低于所述覆盖层的表面并高于所述位线结构的表面；
[0010]对所述第一绝缘层进行选择性蚀刻，以使所述第一绝缘层的顶部与所述导电接触层及所述第二绝缘层的顶部齐平；
[0011]对所述导电接触层进行回蚀刻处理，以在相邻两个所述位线结构的覆盖层之间形成电容接触孔。
[0012]在本公开的一种示例性实施例中，所述衬底还包括伪图案区，所述伪图案区形成有伪位线结构，所述伪位线结构上形成有所述覆盖层，所述覆盖层的侧壁依次形成有所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，相邻两个所述伪位线结构的第二绝缘层之间填充有绝缘介质层；
[0013]对所述导电接触层及所述第二绝缘层进行蚀刻处理，以使所述导电接触层及所述第二绝缘层的顶部均低于所述覆盖层的表面并高于所述位线结构的表面，包括：
[0014]对所述导电接触层进行选择性蚀刻，以使所述导电接触层的顶部低于所述覆盖层的表面并高于所述位线结构的表面；
[0015]对所述第二绝缘层进行选择性蚀刻，以使所述第二绝缘层的顶部与所述导电接触层的顶部齐平，所述导电接触层和所述第二绝缘层的蚀刻速率均大于所述绝缘介质层的蚀
刻速率。
[0016]在本公开的一种示例性实施例中，对所述导电接触层进行回蚀刻处理后，所述第一绝缘层及所述第二绝缘层的顶部比所述位线结构的表面高出第一预设距离，所述导电接触层的顶部比所述位线结构的表面高出第二预设距离，所述第一预设距离大于所述第二预设距离。
[0017]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一预设距离为5nm～25nm，所述第二预设距离为0nm～15nm。
[0018]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一绝缘层与所述绝缘介质层的材料相同。
[0019]在本公开的一种示例性实施例中，所述对所述第一绝缘层进行选择性蚀刻，以使所述第一绝缘层的顶部与所述导电接触层及所述第二绝缘层的顶部齐平，包括：
[0020]采用酸性溶液对位于所述阵列区的所述第一绝缘层进行湿法蚀刻。
[0021]在本公开的一种示例性实施例中，所述酸性溶液为稀释的氢氟酸，所述湿法蚀刻的蚀刻时间小于2min。
[0022]在本公开的一种示例性实施例中，对所述导电接触层、所述第一绝缘层及所述第二绝缘层进行蚀刻处理之后，所述形成方法还包括：
[0023]在所述导电接触层、所述第一绝缘层及所述第二绝缘层共同构成的结构的顶部形成封闭层；
[0024]所述对所述导电接触层进行回蚀刻处理，以在相邻两个所述位线结构的第二绝缘层之间形成电容接触孔，包括：
[0025]蚀刻位于所述导电接触层表面的所述封闭层，以形成露出所述导电接触层的开口；
[0026]在所述开口处对所述导电接触层进行回蚀刻。
[0027]在本公开的一种示例性实施例中，所述形成方法还包括：
[0028]在所述电容接触孔内填充导电材料，以形成导电接触结构。
[0029]根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构，包括：
[0030]衬底，所述衬底具有阵列区；
[0031]多个位线结构，间隔分布于所述阵列区，每个所述位线结构上均形成有覆盖层，所述覆盖层的侧壁依次形成有第一绝缘层和第二绝缘层；
[0032]导电接触层，填充于相邻两个所述位线结构的第二绝缘层之间；所述导电接触层、所述第一绝缘层及所述第二绝缘层的顶部均低于所述覆盖层的表面并高于所述位线结构的表面，相邻两个所述位线结构的覆盖层之间形成有电容接触孔。
[0033]在本公开的一种示例性实施例中，所述衬底还包括伪图案区，所述伪图案区形成有伪位线结构，所述伪位线结构上形成有所述覆盖层，所述覆盖层的侧壁依次形成有所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，相邻两个所述伪位线结构的第二绝缘层之间填充有绝缘介质层。
[0034]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一绝缘层及所述第二绝缘层的顶部比所述位线结构的表面高出第一预设距离，所述导电接触层的顶部比所述位线结构的表面高出第二预设距离，所述第一预设距离大于所述第二预设距离。
[0035]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一预设距离为5nm～25nm，所述第二预设距离为0nm～15nm。
[0036]在本公开的一种示例性实施例中，所述半导体结构还包括：
[0037]封闭层，位于所述第一绝缘层及所述第二绝缘层共同构成的结构的顶部。
[0038]在本公开的一种示例性实施例中，所述半导体结构还包括：
[0039]导电接触结构，形成于所述导电接触孔内。
[0040]根据本公开的一个方面，提供一种存储器件，包括上述任一项所述半导体结构。
[0041]本公开的存储器件、半导体结构及其形成方法，可通过覆盖层、第一绝缘层及第二绝缘层对位线结构及导电接触层的两侧进行绝缘保护，可防止位线结构与导电接触层之间发生短路，降低器件的短路风险。且在结构形成过程中，先对导电接触层及第二绝缘层进行蚀刻处理，再对第一绝缘层进行选择性蚀刻，从而避免在蚀刻第一绝缘层的过程中对覆盖层的侧壁造成损伤，以免导电接触层通过覆盖层的损伤界面与位线结构发生短路，提高产品良率。同时，通过对导电接触层进行回蚀刻，使得第一绝缘层和第二绝缘层的顶部同时高于导电接触层的顶部及位线结构的顶部，进而在导电接触层及位线结构之间形成较高的隔绝屏障，可增强绝缘效果，进一步降低导电接触层及位线结构的短路风险。
[0042]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有阵列区；在所述阵列区上形成多个间隔分布的位线结构，每个所述位线结构上均形成有覆盖层，所述覆盖层的侧壁依次形成有第一绝缘层和第二绝缘层，相邻两个所述位线结构的第二绝缘层之间填充有导电接触层；对所述导电接触层及所述第二绝缘层进行蚀刻处理，以使所述导电接触层及所述第二绝缘层的顶部均低于所述覆盖层的表面并高于所述位线结构的表面；对所述第一绝缘层进行选择性蚀刻，以使所述第一绝缘层的顶部与所述导电接触层及所述第二绝缘层的顶部齐平；对所述导电接触层进行回蚀刻处理，以在相邻两个所述位线结构的覆盖层之间形成电容接触孔。2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述衬底还包括伪图案区，所述伪图案区形成有伪位线结构，所述伪位线结构上形成有所述覆盖层，所述覆盖层的侧壁依次形成有所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，相邻两个所述伪位线结构的第二绝缘层之间填充有绝缘介质层；对所述导电接触层及所述第二绝缘层进行蚀刻处理，以使所述导电接触层及所述第二绝缘层的顶部均低于所述覆盖层的表面并高于所述位线结构的表面，包括：对所述导电接触层进行选择性蚀刻，以使所述导电接触层的顶部低于所述覆盖层的表面并高于所述位线结构的表面；对所述第二绝缘层进行选择性蚀刻，以使所述第二绝缘层的顶部与所述导电接触层的顶部齐平，所述导电接触层和所述第二绝缘层的蚀刻速率均大于所述绝缘介质层的蚀刻速率。3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，对所述导电接触层进行回蚀刻处理后，所述第一绝缘层及所述第二绝缘层的顶部比所述位线结构的表面高出第一预设距离，所述导电接触层的顶部比所述位线结构的表面高出第二预设距离，所述第一预设距离大于所述第二预设距离。4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述第一预设距离为5nm～25nm，所述第二预设距离为0nm～15nm。5.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述第一绝缘层与所述绝缘介质层的材料相同。6.根据权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述对所述第一绝缘层进行选择性蚀刻，以使所述第一绝缘层的顶部与所述导电接触层及所述第二绝缘层的顶部齐平，包括：采用酸性溶液对位于所述阵列区的所述第一绝缘层进行湿法蚀刻。7.根据权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述酸性溶液为稀释的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈龙阳，刘忠明，武宏发，吴公一，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：