一种接收端滤光片及制备方法、以及组合滤光器技术

本发明专利技术提供了一种接收端滤光片及制备方法、以及组合滤光器，属于镀膜技术领域。它解决了现有制作的接收端滤光片比较单一的问题。本接收端滤光片包括玻璃基底、窄带通膜系以及增透膜系，窄带通膜系包括逐层交替沉积的氧化硅膜层和氢化硅/氢氧化硅/氮氢化硅膜层，以及作为最外层的氧化硅膜层，增透膜系包括逐层交替沉积的氧化硅膜层和氢化硅/氢氧化硅/氮氢化硅膜层，以为作为最外层的氧化硅膜层。本接收端滤光片具有在入射角为0

【技术实现步骤摘要】
一种接收端滤光片及制备方法、以及组合滤光器


[0001]本专利技术属于镀膜
，涉及一种接收端滤光片及制备方法、以及组合滤光器。

技术介绍

[0002]随着人们对手机等电子产品的需求越来越多样化且要求越来越高，现有手机等电子产品的摄像头接收端滤光片存在着以下问题：接收端滤光片的高透带在1100nm
‑
1800nm的波长范围时，1、入射角为0
°‑
60
°
的角度范围内，重叠高透谱段范围透过率低；2、入射角为0
°‑
60
°
的角度范围内，在需求截止谱段无法抑制光信号通过；从而无法满足人们对电子产品更高的使用要求，如满足大角度透过波段高透过的特性，使得产品具备成像以及物体识别等功能。
[0003]在先专利技术申请CN201910165758.3公开了滤光片及其制备方法，并具体公开了滤光片包括透明基底以及分别设置在所述透明基底两侧的第一长波通膜系和第二长波通膜系；所述第一长波通膜系和所述第二长波通膜系均包括交替叠加的高折射率膜层和低折射率膜层。该专利技术仅得到830
‑
950nm透过近红外滤光片，且是单一的滤光片。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是为了解决上述技术问题，提出了一种接收端滤光片及制备方法，可以达到接收端滤光片的高透带在1100nm
‑
1800nm的波长范围时，入射角为0
°‑
60
°
的角度范围内，具有重叠高透过率，且入射角为0
°‑
60
°
的角度范围内，需求截止谱段具有抑制光信号通过的作用。
[0005]本专利技术的目的可通过下列技术方案来实现：一种接收端滤光片，包括玻璃基底、设于玻璃基底一侧的窄带通膜系以及设于玻璃基底另一侧的增透膜系，所述窄带通膜系包括逐层交替沉积的氧化硅膜层和氢化硅/氢氧化硅/氮氢化硅膜层，以及作为最外层的氧化硅膜层，所述增透膜系包括逐层交替沉积的氧化硅膜层和氢化硅/氢氧化硅/氮氢化硅膜层，以为作为最外层的氧化硅膜层。
[0006]在上述的一种接收端滤光片中，所述的氢化硅/氢氧化硅/氮氢化硅膜层为高折射率膜层，所述氧化硅膜层为低折射率膜层。
[0007]在上述的一种接收端滤光片中，所述的窄带通膜系的结构为(HL)^n，H层为氢化硅/氢氧化硅/氮氢化硅层，L为氧化硅层，n为基本膜堆(HL)的个数。
[0008]在上述的一种接收端滤光片中，所述的增透膜系的结构为L(HL)^n，H层为氢化硅/氢氧化硅/氮氢化硅层，L为氧化硅层，n为基本膜堆(HL)的周期数。
[0009]在上述的一种接收端滤光片中，所述的玻璃基底厚度≤3mm。
[0010]一种接收端滤光片制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
[0011]步骤S01，将玻璃基底放入低真空腔室中并抽真空；
[0012]步骤S02，将玻璃基底放入高真空腔室中并抽真空；
[0013]步骤S03，用射频源发出的等离子体轰击玻璃基底表面；
[0014]步骤S04，采用磁控溅射方法在玻璃基底一侧沉积窄带通膜系，所述窄带通膜系包括逐层交替沉积的氧化硅膜层和氢化硅/氢氧化硅/氮氢化硅膜层，以及作为最外层的氧化硅膜层；
[0015]步骤S05，采用磁控溅射方法在玻璃基底另一侧沉积增透膜系，所述增透膜系包括逐层交替沉积的氧化硅膜层和氢化硅/氢氧化硅/氮氢化硅膜层，以及作为最外层的氧化硅膜层；
[0016]步骤S06，将玻璃基底自然冷却至室温，得到接收端滤光片。
[0017]在上述的接收端滤光片制备方法中，所述步骤S04具体包括：
[0018]步骤S041，进行氧化硅膜层沉积，第二射频氧化源工作，工作气体Ar流量为50
‑
500sccm，O2流量为100
‑
500sccm,溅射源功率为5kw
‑
12kw，氧化源功率为2kw
‑
4kw，膜层沉积速率为0.2
‑
1.2nm/s；
[0019]步骤S042，进行氢化硅/氢氧化硅/氮氢化硅膜层沉积，第一射频氧化源工作，工作气体Ar流量为50
‑
500sccm，H2流量为10
‑
100sccm,O2流量为0
‑
50sccm，N2流量为0
‑
50sccm，溅射源功率为5kw
‑
12kw，氧化源功率为1kw
‑
4kw，膜层沉积速率为0.2
‑
0.7nm/s；
[0020]步骤S043，按此方式循环步骤S101
‑
S102直到最后第二层；
[0021]步骤S044，最后一层按照步骤S041进行氧化硅膜层沉积。
[0022]在上述的接收端滤光片制备方法中，所述的步骤S05具体包括：
[0023]步骤S051，进行氧化硅膜层沉积，第二射频氧化源工作，工作气体Ar流量为50
‑
500sccm，O2流量为100
‑
500sccm,溅射源功率为5kw
‑
12kw，氧化源功率为2kw
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4kw，膜层沉积速率为0.2
‑
1.2nm/s；
[0024]步骤S052，进行氢化硅/氢氧化硅/氮氢化硅膜层沉积，第一射频氧化源工作，工作气体Ar流量为50
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500sccm，H2流量为10
‑
100sccm,O2流量为0
‑
50sccm，N2流量为0
‑
50sccm，溅射源功率为5kw
‑
12kw，氧化源功率为1kw
‑
4kw，膜层沉积速率为0.2
‑
0.7nm/s；
[0025]步骤S053，按此方式循环步骤S051
‑
S052直到最后第二层；
[0026]步骤S054，最后一层按照步骤S051进行氧化硅膜层沉积。
[0027]在上述的接收端滤光片制备方法中，制备的接收端滤光片具有入射角为0
°‑
60
°
的角度范围内，具有重叠高透过率；在不需要高透的波段具有抑制光信号通过的作用；所述的接收端滤光片的高透带在1100nm
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1800nm的波长范围内。
[0028]一种组合滤光器，其特征在于，包括发射端滤光片和上述的接收端滤光片。
[0029]在上述的一种组合滤光器中，所述的发射端滤光片包括玻璃基底、设于玻璃基底一侧的窄带通膜系以及设于玻璃基底另一侧的增透膜系，所述窄带通膜系包括逐层交替沉积的氢化硅/氢氧化硅/氮氢化硅膜层和氧化硅膜层，所述增透膜系包括逐层交替沉积的氧化硅膜层和氢化硅/氢氧化硅/氮氢化硅膜层，以为作为最外层的氧化硅膜层。
[0030]在上述的一种组本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种接收端滤光片，包括玻璃基底、设于玻璃基底一侧的窄带通膜系以及设于玻璃基底另一侧的增透膜系，所述窄带通膜系包括逐层交替沉积的氧化硅膜层和氢化硅/氢氧化硅/氮氢化硅膜层，以及作为最外层的氧化硅膜层，所述增透膜系包括逐层交替沉积的氧化硅膜层和氢化硅/氢氧化硅/氮氢化硅膜层，以为作为最外层的氧化硅膜层。2.根据权利要求1所述的一种接收端滤光片，其特征在于，所述的窄带通膜系的结构为(HL)^n，，H层为氢化硅/氢氧化硅/氮氢化硅层，L为氧化硅层，n为基本膜堆(HL)的个数。3.据权利要求1所述的一种接收端滤光片，其特征在于，所述的增透膜系的结构为L(HL)^n，H层为氢化硅/氢氧化硅/氮氢化硅层，L为氧化硅层，n为基本膜堆(HL)的周期数。4.根据权利要求1所述的一种接收端滤光片，其特征在于，所述的玻璃基底厚度≤3mm。5.一种接收端滤光片制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S01，将玻璃基底放入低真空腔室中并抽真空；步骤S02，将玻璃基底放入高真空腔室中并抽真空；步骤S03，用射频源发出的等离子体轰击玻璃基底表面；步骤S04，采用磁控溅射方法在玻璃基底一侧沉积窄带通膜系，所述窄带通膜系包括逐层交替沉积的氧化硅膜层和氢化硅/氢氧化硅/氮氢化硅膜层，以及作为最外层的氧化硅膜层；步骤S05，采用磁控溅射方法在玻璃基底另一侧沉积增透膜系，所述增透膜系包括逐层交替沉积的氧化硅膜层和氢化硅/氢氧化硅/氮氢化硅膜层，以及作为最外层的氧化硅膜层；步骤S06，将玻璃基底自然冷却至室温，得到接收端滤光片。6.根据权利要求5所述的一种接收端滤光片制备方法，其特征在于，所述的步骤S04具体包括：步骤S041，进行氧化硅膜层沉积，第二射频氧化源工作，工作气体Ar流量为50
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500sccm，O2流量为100
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500sccm,溅射源功率为5kw
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12kw，氧化源功率为2kw
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4kw，膜层沉积速率为0.2
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1.2nm/s；步骤S042，进行氢化硅/氢氧化硅/氮氢化硅膜层沉积，第一射频氧化源工作，工作气体Ar流量为50
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500sccm，H2流量为10
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100sccm,O2流量为0
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50sccm，N2流量为0
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50sccm，溅射源功率为5kw
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【专利技术属性】
技术研发人员：陆张武，柴建龙，李恭剑，王迎，
申请(专利权)人：浙江晶驰光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：