用于晶体生长设备的导流导热组件和晶体生长设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于晶体生长设备的导流导热组件和晶体生长设备，导流导热组件包括导流筒和导热筒，导热筒设在导流筒的径向内侧，且导热筒的下端与导流筒的下端相连，导热筒的上端适于与晶体生长设备的冷却套连接，以将导流筒的内部空间分割为底部不连通的第一空间和第二空间，第一空间位于导热筒的径向内侧，第二空间位于导热筒和导流筒之间，在导热筒的纵截面上，导热筒的外周壁形成为曲线段。根据本实用新型专利技术的用于晶体生长设备的导流导热组件，可以提升晶体的纵向温度梯度，有利于晶体中缺陷的湮灭，以便于形成高质量晶体。以便于形成高质量晶体。以便于形成高质量晶体。

【技术实现步骤摘要】
用于晶体生长设备的导流导热组件和晶体生长设备


[0001]本技术涉及晶体生长
，尤其是涉及一种用于晶体生长设备的导流导热组件和晶体生长设备。

技术介绍

[0002]相关技术中，用于集成电路的半导体晶体质量的要求较高，对于晶体中缺陷颗粒的大小和缺陷密度等均有严格规定。因此，半导体晶体对于晶体生长设备的热场布置以及长晶工艺等要求较高，则对长晶过程中长晶界面的形状、长晶界面处的温度梯度、长晶界面处的V/G值、以及晶体中的温度分布等均提出了较高要求。

技术实现思路

[0003]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种用于晶体生长设备的导流导热组件，所述导流导热组件可以提升晶体的纵向温度梯度，有利于晶体中缺陷的湮灭，以便于形成高质量晶体。
[0004]本技术还提出一种具有上述导流导热组件的晶体生长设备。
[0005]根据本技术第一方面实施例的用于晶体生长设备的导流导热组件，包括：导流筒；导热筒，所述导热筒设在所述导流筒的径向内侧，且所述导热筒的下端与所述导流筒的下端相连，所述导热筒的上端适于与所述晶体生长设备的冷却套连接，以将所述导流筒的内部空间分割为底部不连通的第一空间和第二空间，所述第一空间位于所述导热筒的径向内侧，所述第二空间位于所述导热筒和所述导流筒之间，在所述导热筒的纵截面上，所述导热筒的外周壁形成为曲线段。
[0006]根据本技术实施例的用于晶体生长设备的导流导热组件，通过在导流筒的径向内侧设置导热筒，并使得导热筒的下端与导流筒的下端相连、导热筒的上端适于与冷却套连接，则导流导热组件可以将晶体的热量通过热传导和热辐射两种方式快速散发出去，增大晶体的纵向温度梯度，加快了晶体的散热速率，同时增大了晶体中等温线的分布密度，即同样温度范围内、本申请对应的晶体的长度较短，有利于晶体中缺陷的湮灭，便于形成完美晶体，以便于满足集成电路对晶体质量的较高要求。
[0007]在一些实施例中，所述导热筒的外周壁形成有多个沿所述导热筒的轴向间隔设置的凹槽，所述凹槽的数量大于等于3。
[0008]在一些实施例中，所述导热筒的上端面形成有插配槽，以使所述导热筒适于与所述冷却套插接配合。
[0009]在一些实施例中，所述插配槽的深度为h，20mm≤h≤50mm。
[0010]在一些实施例中，所述插配槽与所述导热筒的所述上端面的外周沿的径向间隔x小于所述插配槽与所述导热筒的所述上端面的内周沿的径向间隔y，10mm≤x≤15mm。
[0011]在一些实施例中，所述导流筒包括上导流筒部和下导流筒部，所述上导流筒部环绕所述导热筒设置，所述下导流筒部沿所述导流筒的径向延伸，所述下导流筒部的径向外
端与所述上导流筒部的下端连接，所述下导流筒部的径向内端与所述导热筒的下端连接，所述导热筒的上端与所述上导流筒部的上端齐平。
[0012]在一些实施例中，所述导流筒包括内导热层、外导热层和保温层，所述内导热层和外导热层共同限定出环形容纳腔，所述保温层设于所述容纳腔内，所述内导热层和所述导热筒为一体件。
[0013]在一些实施例中，所述导流筒的轴向长度为L1，所述导热筒的轴向长度为L2，L2/L1≥1/4。
[0014]根据本技术第二方面实施例的晶体生长设备，包括：冷却套，所述冷却套用于对晶体进行冷却；导流导热组件，所述导流导热组件为根据本技术上述第一方面实施例的用于晶体生长设备的导流导热组件，所述导热筒的上端与所述冷却套连接；坩埚，所述导流导热组件的下部伸入所述坩埚内。
[0015]根据本技术实施例的晶体生长设备，通过采用上述的导流导热组件，便于在不改变晶体生长设备其他结构的条件下，改善晶体生长设备内的热场分布，提升晶体生长稳定性，减小断线率、加快晶体中缺陷的湮灭速度，便于生产完美晶体。
[0016]在一些实施例中，所述导热筒的内径与所述晶体的外径的差值为Δ，10mm≤Δ≤15mm；和/或，所述导流筒的伸入所述坩埚内的部分的外周壁与所述坩埚的内周壁之间的径向间隔为z，5mm≤z≤10mm。
[0017]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0018]本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0019]图1是根据本技术一个实施例的导流导热组件的截面示意图；
[0020]图2是根据本技术一个实施例的晶体生长设备的剖视图；
[0021]图3是现有技术的晶体生长设备与本申请中的晶体生长设备关于长晶界面偏移量的对比图；
[0022]图4是现有技术的晶体生长设备与本申请中的晶体生长设备关于长晶界面温度梯度的对比图；
[0023]图5是现有技术的晶体生长设备与本申请中的晶体生长设备关于V/G值的对比图；
[0024]图6是现有技术的晶体生长设备与本申请中的晶体生长设备关于晶体中温度分布的对比图。
[0025]附图标记：
[0026]晶体生长设备100、晶体101、
[0027]导流导热组件1、第一空间1a、第二空间1b、冷却套2、坩埚3、
[0028]导流筒11、上导流筒部11a、下导流筒部11b、安装部11c、
[0029]内导热层111、外导热层112、保温层113、
[0030]导热筒12、凹槽12a、插配槽12b。
具体实施方式
[0031]下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
[0032]下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本技术。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。
[0033]下面，参考附图，描述根据本技术实施例的用于晶体生长设备100的导流导热组件1。在本申请下面的描述中，以导流导热组件1用于单晶炉为例进行说明。当然，本领域内的技术人员可以理解，导流导热组件1还可以用于其它类型的晶体生长设备100，而不限于单晶炉。
[0034]如图1和图2所示，导流导热组件1包括导流筒11和导热筒12，导流筒11和导热筒12均形成为环形结构，导热筒12设在导流筒11的径向内侧，且导热筒12的下端与导流筒11的下端相连，导热筒12的上端适于与晶体生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于晶体生长设备的导流导热组件，其特征在于，包括：导流筒(11)；导热筒(12)，所述导热筒(12)设在所述导流筒(11)的径向内侧，且所述导热筒(12)的下端与所述导流筒(11)的下端相连，所述导热筒(12)的上端适于与所述晶体生长设备(100)的冷却套(2)连接，以将所述导流筒(11)的内部空间分割为底部不连通的第一空间(1a)和第二空间(1b)，所述第一空间(1a)位于所述导热筒(12)的径向内侧，所述第二空间(1b)位于所述导热筒(12)和所述导流筒(11)之间，在所述导热筒(12)的纵截面上，所述导热筒(12)的外周壁形成为曲线段。2.根据权利要求1所述的用于晶体生长设备的导流导热组件，其特征在于，所述导热筒(12)的外周壁形成有多个沿所述导热筒(12)的轴向间隔设置的凹槽(12a)，所述凹槽(12a)的数量大于等于3。3.根据权利要求1所述的用于晶体生长设备的导流导热组件，其特征在于，所述导热筒(12)的上端面形成有插配槽(12b)，以使所述导热筒(12)适于与所述冷却套(2)插接配合。4.根据权利要求3所述的用于晶体生长设备的导流导热组件，其特征在于，所述插配槽(12b)的深度为h，20mm≤h≤50mm。5.根据权利要求3所述的用于晶体生长设备的导流导热组件，其特征在于，所述插配槽(12b)与所述导热筒(12)的所述上端面的外周沿的径向间隔x小于所述插配槽(12b)与所述导热筒(12)的所述上端面的内周沿的径向间隔y，10mm≤x≤15mm。6.根据权利要求1所述的用于晶体生长设备的导流导热组件，其特征在于，所述导流筒(11)包括上导流筒部(11a)和下导流筒...

【专利技术属性】
技术研发人员：王双丽，陈俊宏，
申请(专利权)人：徐州鑫晶半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：