上电复位电路及具有其的视频传输芯片、电子设备、车辆制造技术

本发明专利技术涉及电子电器技术领域，提供了一种上电复位电路及具有其的视频传输芯片、电子设备、车辆。该上电复位电路包括检测模块和反相模块；检测模块的第一端连接电源，检测模块的第二端接地，检测模块的第三端连接反相模块的第一端，检测模块的第四端连接反相模块的第二端，反相模块的第三端连接电源，反相模块的第四端接地，反相模块的第五端为第一输出端；检测模块被配置为检测电源电压，并向反相模块输出第一电压信号；反相模块被配置为当第一电压信号超过反相翻转点时，输出第二电压信号至检测模块，以及对第二电压信号进行逐次拉高，并输出高电平。采用本发明专利技术的上电复位电路，不仅结构简单，成本低廉，还方便实用。还方便实用。还方便实用。

【技术实现步骤摘要】
上电复位电路及具有其的视频传输芯片、电子设备、车辆


[0001]本专利技术涉及电子电器
，特别是涉及一种上电复位电路及具有其的视频传输芯片、电子设备、车辆。

技术介绍

[0002]芯片使用过程中，为了保证在电源电压上电之后能够正常工作，通常会在片内设置上电复位(Power On Reset，POR)电路，即当电源电压超过一定电压阈值时再启动芯片，由此确保了芯片处于最佳工作状态。然而，相关技术中上电复位电路结构复杂，实用性低，具有局限性。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对上述缺陷或不足，提供一种上电复位电路及具有其的视频传输芯片、电子设备、车辆，结构简单，方便实用。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供了一种上电复位电路，所述上电复位电路包括检测模块和反相模块；
[0005]所述检测模块的第一端连接电源，所述检测模块的第二端接地，所述检测模块的第三端连接所述反相模块的第一端，所述检测模块的第四端连接所述反相模块的第二端，所述反相模块的第三端连接所述电源，所述反相模块的第四端接地，所述反相模块的第五端为第一输出端；
[0006]所述检测模块被配置为检测电源电压，并向所述反相模块输出第一电压信号；所述反相模块被配置为当所述第一电压信号超过反相翻转点时，输出第二电压信号至所述检测模块，以及对所述第二电压信号进行逐次拉高，并输出高电平。
[0007]可选的，在本专利技术一些实施例中，所述检测模块包括控制单元和充电单元；
[0008]所述控制单元的第一端连接所述电源，所述控制单元的第二端接地，所述控制单元的第三端分别与所述反相模块的第一端、所述充电单元的第一端相连接，所述控制单元的第四端连接所述反相模块的第二端，所述充电单元的第二端接地；
[0009]所述控制单元被配置为根据所述电源电压和所述第二电压信号的变化，控制所述充电单元的充电状态，并输出所述第一电压信号。
[0010]可选的，在本专利技术一些实施例中，所述控制单元包括电阻、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管和第五场效应管；
[0011]所述电阻的第一端连接所述电源，所述电阻的第二端连接所述第一场效应管的第一端，所述第一场效应管的第二端分别与所述第一场效应管的第一端、所述第二场效应管的第一端、所述第三场效应管的第一端以及所述第四场效应管的第一端相连接，所述第一场效应管的第三端接地，所述第二场效应管的第二端分别与所述第三场效应管的第二端、所述第四场效应管的第二端以及所述充电单元的第一端相连接，所述第二场效应管的第三端接地，所述第三场效应管的第三端连接所述电源，所述第四场效应管的第三端连接所述
第五场效应管的第一端，所述第五场效应管的第二端连接所述反相模块的第二端，所述第五场效应管的第三端接地。
[0012]可选的，在本专利技术一些实施例中，所述第一场效应管、所述第二场效应管、所述第四场效应管和所述第五场效应管为NMOS管，所述第三场效应管为PMOS管。
[0013]可选的，在本专利技术一些实施例中，所述反相模块包括第一反相单元、第二反相单元、放电单元、第三反相单元和缓冲单元；
[0014]所述第一反相单元的第一端连接所述检测模块的第三端，所述第一反相单元的第二端分别与所述检测模块的第四端、所述第二反相单元的第一端相连接，所述第一反相单元的第三端连接所述电源，所述第一反相单元的第四端接地，所述第二反相单元的第二端连接所述放电单元的第一端，所述第二反相单元的第三端连接所述电源，所述第二反相单元的第四端接地，所述放电单元的第二端、所述放电单元的第三端均连接所述检测模块的第五端，所述放电单元的第四端连接所述第三反相单元的第一端，所述放电单元的第五端连接所述电源，所述放电单元的第六端接地，所述第三反相单元的第二端与所述缓冲单元的第一端、所述放电单元的第七端相连接，所述第三反相单元的第三端连接所述电源，所述第三反相单元的第四端接地，所述缓冲单元的第二端连接所述电源，所述缓冲单元的第三端接地，所述缓冲单元的第四端为所述第一输出端。
[0015]可选的，在本专利技术一些实施例中，所述上电复位电路还包括延时模块，所述延时模块被配置为将所述高电平延时预设时间之后再进行输出；
[0016]所述延时模块的第一端连接所述第一输出端，所述延时模块的第二端连接所述电源，所述延时模块的第三端接地，所述延时模块的第四端为第二输出端。
[0017]可选的，在本专利技术一些实施例中，所述延时模块包括第一延时单元和第二延时单元；
[0018]所述第一延时单元的第一端连接所述第一输出端，所述第一延时单元的第二端连接所述第二延时单元的第一端，所述第二延时单元的第二端为所述第二输出端，所述第一延时单元的第三端、所述第二延时单元的第三端均连接所述电源，所述第一延时单元的第四端、所述第二延时单元的第四端均接地。
[0019]第二方面，本专利技术实施例提供了一种视频传输芯片，所述视频传输芯片包括第一方面中任意一项所述的上电复位电路。
[0020]第三方面，本专利技术实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括第二方面所述的视频传输芯片。
[0021]第四方面，本专利技术实施例提供了一种车辆，所述车辆包括第三方面所述的电子设备。
[0022]从以上技术方案可以看出，本专利技术实施例具有以下优点：
[0023]本专利技术实施例所提供的上电复位电路及具有其的视频传输芯片、电子设备、车辆，该上电复位电路包括检测模块和反相模块两部分，结构简单，制造成本低，进而通过检测模块检测电源电压，并向反相模块输出第一电压信号，以及当第一电压信号超过反相翻转点时，反相模块输出第二电压信号至检测模块，并逐次拉高第二电压信号，输出高电平，方便快捷，具有很强的实用性。
附图说明
[0024]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0025]图1为本专利技术实施例提供的一种上电复位电路的结构框图；
[0026]图2为本专利技术实施例提供的另一种上电复位电路的结构框图；
[0027]图3为本专利技术实施例提供的又一种上电复位电路的结构框图；
[0028]图4为本专利技术另一实施例提供的一种上电复位电路的结构框图；
[0029]图5为本专利技术另一实施例提供的又一种上电复位电路的结构框图；
[0030]图6为本专利技术实施例提供的一种上电复位电路的具体示例；
[0031]图7为本专利技术实施例提供的一种延时模块的具体示例；
[0032]图8为本专利技术实施例提供的一种Vpor电压和VDD电压波形变化示意图；
[0033]图9为本专利技术实施例提供的一种PORB电压和VDD电压波形变化示意图；
[0034]图10为本专利技术实施例提供的一种视频传输芯片的结构框图；
[0035]图11为本专利技术实施例提供的一种电子设备的结构框图；
[0036]图12为本专利技术实施例提供的一种车辆的结构框图。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种上电复位电路，其特征在于，所述上电复位电路包括检测模块和反相模块；所述检测模块的第一端连接电源，所述检测模块的第二端接地，所述检测模块的第三端连接所述反相模块的第一端，所述检测模块的第四端连接所述反相模块的第二端，所述反相模块的第三端连接所述电源，所述反相模块的第四端接地，所述反相模块的第五端为第一输出端；所述检测模块被配置为检测电源电压，并向所述反相模块输出第一电压信号；所述反相模块被配置为当所述第一电压信号超过反相翻转点时，输出第二电压信号至所述检测模块，以及对所述第二电压信号进行逐次拉高，并输出高电平。2.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述检测模块包括控制单元和充电单元；所述控制单元的第一端连接所述电源，所述控制单元的第二端接地，所述控制单元的第三端分别与所述反相模块的第一端、所述充电单元的第一端相连接，所述控制单元的第四端连接所述反相模块的第二端，所述充电单元的第二端接地；所述控制单元被配置为根据所述电源电压和所述第二电压信号的变化，控制所述充电单元的充电状态，并输出所述第一电压信号。3.根据权利要求2所述的上电复位电路，其特征在于，所述控制单元包括电阻、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管和第五场效应管；所述电阻的第一端连接所述电源，所述电阻的第二端连接所述第一场效应管的第一端，所述第一场效应管的第二端分别与所述第一场效应管的第一端、所述第二场效应管的第一端、所述第三场效应管的第一端以及所述第四场效应管的第一端相连接，所述第一场效应管的第三端接地，所述第二场效应管的第二端分别与所述第三场效应管的第二端、所述第四场效应管的第二端以及所述充电单元的第一端相连接，所述第二场效应管的第三端接地，所述第三场效应管的第三端连接所述电源，所述第四场效应管的第三端连接所述第五场效应管的第一端，所述第五场效应管的第二端连接所述反相模块的第二端，所述第五场效应管的第三端接地。4.根据权利要求3所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一场效应管、所述第二场效应管、所述第四场效应管和所述第五场效应管为NMOS管，所述第三场效应管为PMO...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾华阳，刘昕，沈勇，王文波，汪兴强，
申请(专利权)人：慷智集成电路上海有限公司，
类型：发明
国别省市：