【技术实现步骤摘要】
一种支持AHB协议的NorFlash存储控制器
[0001]本专利技术涉及数字逻辑电路领域,具体涉及一种支持AHB协议的NorFlash存储控制器。
技术介绍
[0002]当前,随着现代微电子技术的高速发展,高速存储技术日渐成熟。由于NorFlash存储器具备灵活性高、体积小、性能高、功耗低、易于维护等优势,加之良好的非易失性,使其在近年来在国内外的工业控制、智能家电、可穿戴智能设备、移动终端等领域得到了广泛的应用。
[0003]AHB( Advanced High
‑
performance Bus )总线规范是ARM公司AMBA总线规范的一部分,已被大多数SoC设计采用。AHB常用于高性能、高时钟频率的系统结构,典型的应用如ARM核与系统内部的高速RAM、NorFlash、DMA的连接。
[0004]传统的基于AHB总线的NorFlash存储控制器逻辑较为复杂,不具备高速读写能力,同时其容错功能较为低下,实践应用可靠性较低。
技术实现思路
[0005]本专利技术为了克服以上技术的不足,提供了一种使用可靠性高的支持AHB协议的NorFlash存储控制器。
[0006]本专利技术克服其技术问题所采用的技术方案是:一种支持AHB协议的NorFlash存储控制器,包括:FPGA模块及NorFlash存储器,所述FPGA模块由AHB总线协议转换模块AHB_MUX、AHB从设备配置模块AHB_SLAVE、NorFlash存储器顶层控制模块AHB_FLASH_TOP、No ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种支持AHB协议的NorFlash存储控制器,其特征在于,包括:FPGA模块及NorFlash存储器,所述FPGA模块由AHB总线协议转换模块AHB_MUX、AHB从设备配置模块AHB_SLAVE、NorFlash存储器顶层控制模块AHB_FLASH_TOP、NorFlash存储器页写控制模块AHB_PAGE_WRITE、NorFlash存储器数据读取控制模块FLASH_READ及SPI驱动模块SPI_MASTER构成;CPU发送读写指令到AHB总线,AHB总线协议转换模块AHB_MUX将接收的CPU读写指令进行解析,获得读写地址和需要写入的数据,将解析的结果发送至NorFlash存储器顶层控制模块AHB_FLASH_TOP,HB从设备配置模块AHB_SLAVE根据AHB协议要求发送从设备配置信息至NorFlash存储器顶层控制模块AHB_FLASH_TOP;NorFlash存储器顶层控制模块AHB_FLASH_TOP根据CPU指令,将读写请求、读写地址、页写数据分别发送至NorFlash存储器页写控制模块AHB_PAGE_WRITE及NorFlash存储器数据读取控制模块FLASH_READ;NorFlash存储器页写控制模块AHB_PAGE_WRITE接收到写指令、写地址、写数据后,依序将写指令、写使能、写入地址以及写入数据流发送至SPI驱动模块SPI_MASTER,SPI驱动模块SPI_MASTER按照SPI协议生成NorFlash驱动时钟,并将从NorFlash存储器页写控制模块AHB_PAGE_WRITE接收到的写指令、写使能、写入地址以及写入数据流依照时序按低位到高位顺序发送至NorFlash数据线,由NorFlash存储器对信息进行存储;NorFlash存储器数据读取控制模块FLASH_READ接收到读指令、读地址、读数据后,依序将度指令、读使能、读地址以及读数据流发送至SPI驱动模块SPI_MASTER并等待接收由SPI驱动模块SPI_MASTER读取的NorFlash存储数据流,SPI驱动模块SPI_MASTER按照SPI协议生成NorFlash驱动时钟,并将从NorFlash存储器数据读取控制模块FLASH_READ接收到的读指令、读使能、读地址以及读数据流,依照时序按低位到高位顺序发送至NorFlash数据线,由NorFlash存储器对信息进行处理,并读取相应存储页面的数据。2.根据权利要求1所述的支持AHB协议的NorFlash存储控制器,其特征在于:NorFlash存储器顶层控制模块AHB_FLASH_TOP的状态机包含四个状态,分别为:RD_IDLE、FLASH_READ、FLASH_WRITE、FLASH_RW_END,初始状态为RD_IDLE,当AHB总线协议转换模块AHB_MUX的读写请求到来时,NorFlash存储器顶层控制模块AHB_FLASH_TOP响应请求,将状态跳转至FLASH_READ或FLASH_WRITE,NorFlash存储器顶层控制模块AHB_FLASH_TOP发送地址并开始对读写...
【专利技术属性】
技术研发人员:王雄儒,赵鑫鑫,姜凯,李锐,
申请(专利权)人:山东浪潮科学研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:
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