一种电子束光刻的聚焦方法技术

本发明专利技术公开了一种电子束光刻的聚焦方法，该方法包括：获取形成有光刻胶层的待光刻样品的光刻图形；根据光刻图形，确定待光刻样品的器件设置区和非器件设置区；在待光刻样品的非器件设置区的光刻胶层的表面形成导电图形；控制电子束利用导电图形中导电粒子进行聚焦参数调节；在电子束的聚集参数调节至预设参数范围时，控制电子束对器件设置区中待曝光位置的光刻胶层进行曝光，以将光刻图形转印至待光刻样品上。本发明专利技术的技术方案能够确保电子束光刻的工艺具有较高的分辨率，从而能够提高采用该电子束光刻工艺所制备的集成电路的成品率。电子束光刻工艺所制备的集成电路的成品率。电子束光刻工艺所制备的集成电路的成品率。

【技术实现步骤摘要】
一种电子束光刻的聚焦方法


[0001]本专利技术涉及集成电路制造
，尤其涉及一种电子束光刻的聚焦方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路制造最重要过程是光刻工艺，即将预先设计的电路图形转移到涂覆在半导体晶片上的光刻胶层上，再通过刻蚀工艺将光刻胶层图形转移到半导体晶片上。
[0003]目前常见的光刻技术包括光学光刻和电子束光刻等。对于以光子所谓媒介的光学光刻技术中，分辨率提升的技术复杂、难度高，无法满足高集成度的集成电路的制备要求。而以电子为媒介的电子束光刻中，因电子的波长非常短，使得其很容易实现数十纳米乃至数纳米的光刻精度，因此在研究开发和生产中具有广泛的应用前景。
[0004]但是，如何使扫描电镜的电子束在平整的光刻胶层表面进行有效的聚焦和消像散，确保电子束斑尺寸足够小，是当前扫描电镜的电子束光刻技术面临的主要挑战。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供了一种电子束光刻的聚焦方法，以解决现有技术中电子束无法在光刻胶层的表面进行有效聚焦和消像散，从而无法确保电子束斑的尺寸足够小的技术问题。
[0006]本专利技术提供了一种电子束光刻的聚焦方法，包括：
[0007]获取形成有光刻胶层的待光刻样品的光刻图形；
[0008]根据所述光刻图形，确定所述待光刻样品的器件设置区和非器件设置区；
[0009]在所述待光刻样品的非器件设置区的所述光刻胶层的表面形成导电图形；
[0010]控制所述电子束利用所述导电图形中导电粒子进行聚焦参数调节；r/>[0011]在所述电子束的聚集参数调节至预设参数范围时，控制所述电子束对所述器件设置区中待曝光位置的所述光刻胶层进行曝光，以将所述光刻图形转印至所述待光刻样品上。
[0012]可选的，在所述待光刻样品的非器件设置区的所述光刻胶层的表面形成导电图形，包括：
[0013]在所述待光刻样品形成有所述光刻胶层的表面放置包括镂空结构的掩膜版；其中，所述掩膜版的镂空结构露出所述待光刻样品的所述非器件设置区；
[0014]在所述镂空结构内沉积导电材料，以使所述非器件设置区的所述光刻胶层表面形成导电图形。
[0015]可选的，所述导电图形的厚度小于或等于50nm。
[0016]可选的，所述导电图形的导电材料为金属材料。
[0017]可选的，控制所述电子束利用所述导电图形中导电粒子进行聚焦参数调节，包括：
[0018]根据所述器件设置区和所述非器件设置区的相对位置，确定所述待光刻样品与所述电子束相对运动的路径函数；
[0019]根据所述路径函数，确定所述电子束在所述待光刻样品上的聚焦位置和步进移动
参数；
[0020]基于所述步进移动参数，控制所述待光刻样品与所述电子束相对运动至所述电子束对准所述聚焦位置；
[0021]控制所述电子束利用所述聚焦位置处的所述导电图形的导电粒子进行聚焦参数调节。
[0022]可选的，控制所述电子束利用所述聚焦位置处的所述导电图形的导电粒子进行聚焦参数调节，包括：
[0023]依次增大所述电子束的放大倍数，并利用所述聚焦位置处的所述导电图形的导电粒子进行聚焦和消像散，直至所述电子束的放大倍数调整至第一预设放大倍数。
[0024]可选的，在基于所述步进移动参数，控制所述待光刻样品与所述电子束相对运动至所述电子束对准所述聚焦位置之前，还包括：
[0025]基于所述步进移动参数，控制所述待光刻样品移动至所述电子束对准所述待光刻样品的感兴趣区域；所述感兴趣区域位于所述导电图形内；所述感兴趣区域中各个位置点与所述聚焦位置之间的距离小于或等于第一控制值。
[0026]可选的，所述电子束在所述感兴趣区域中的放大倍数小于或等于第二预设放大倍数；
[0027]所述第二预设放大倍数小于所述电子束在所述聚焦位置处的放大倍数。
[0028]可选的，所述聚焦位置与所述器件设置区中起始曝光位置之间的最小间距小于或等于第二控制值。
[0029]可选的，在所述待光刻样品的非器件设置区的所述光刻胶层的表面形成导电图形之前，还包括：
[0030]在所述待光刻样品的表面旋涂光刻胶材料，以在所述待光刻样品的表面形成所述光刻胶层。
[0031]本专利技术的技术方案，通过在获取待光刻样品的光刻图形后，可根据该光刻图形确定出待光刻样品的器件设置区和非器件设置区，通过在非器件设置区的光刻胶层表面形成导电图形，能够以该导电图形中的导电粒子作为参考颗粒进行聚焦参数的调节，实现聚焦参数调节过程电子束不会对器件设置区造成影响，且能够防止因电荷无法导出而对影响电子束对参考位置的标定，从而能够提高所标定的参考位置的准确性，在以该参考位置对器件设置区进行正式曝光时，能够提高曝光位置的准确性，进而提高所述转印的光刻图形的准确性；同时，由于导电图形直接形成于光刻胶层的表面，使得导电图形与光刻胶层的表面之间无间隙，在以导电图形中的导电粒子为参照颗粒调节聚焦参数，进行聚焦和消像散后，电子束在器件设置区进行正式曝光时，能够确保正式曝光过程中的离焦量和像散控制在有效范围，从而确保电子束光刻的工艺具有较高的分辨率，进而提高采用该电子束光刻工艺所制备的集成电路的成品率。
[0032]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使
用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0034]图1是本专利技术实施例一提供了一种电子束光刻的聚焦方法的流程图；
[0035]图2是本专利技术实施例提供的一种待光刻样品的俯视结构示意图；
[0036]图3是本专利技术实施例提供的一种待光刻样品的膜层结构示意图；
[0037]图4是本专利技术实施例提供的又一种待光刻样品的俯视结构示意图；
[0038]图5是本专利技术实施例提供的又一种待光刻样品的膜层结构示意图；
[0039]图6是本专利技术实施例二提供的一种电子束光刻的聚焦方法的流程图；
[0040]图7是本专利技术实施例三提供的一种电子束光刻的聚焦方法的流程图。
具体实施方式
[0041]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0042]需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子束光刻的聚焦方法，其特征在于，包括：获取形成有光刻胶层的待光刻样品的光刻图形；根据所述光刻图形，确定所述待光刻样品的器件设置区和非器件设置区；在所述待光刻样品的非器件设置区的所述光刻胶层的表面形成导电图形；控制所述电子束利用所述导电图形中导电粒子进行聚焦参数调节；在所述电子束的聚集参数调节至预设参数范围时，控制所述电子束对所述器件设置区中待曝光位置的所述光刻胶层进行曝光，以将所述光刻图形转印至所述待光刻样品上。2.根据权利要求1所述的电子束光刻的聚焦方法，其特征在于，在所述待光刻样品的非器件设置区的所述光刻胶层的表面形成导电图形，包括：在所述待光刻样品形成有所述光刻胶层的表面放置包括镂空结构的掩膜版；其中，所述掩膜版的镂空结构露出所述待光刻样品的所述非器件设置区；在所述镂空结构内沉积导电材料，以使所述非器件设置区的所述光刻胶层表面形成导电图形。3.根据权利要求1所述的电子束光刻的聚焦方法，其特征在于，所述导电图形的厚度小于或等于50nm。4.根据权利要求1所述的电子束光刻的聚焦方法，其特征在于，所述导电图形的导电材料为金属材料。5.根据权利要求1所述的电子束光刻的聚焦方法，其特征在于，控制所述电子束利用所述导电图形中导电粒子进行聚焦参数调节，包括：根据所述器件设置区和所述非器件设置区的相对位置，确定所述待光刻样品与所述电子束相对运动的路径函数；根据所述路径函数，确定所述电子束在所述待光刻样品上的聚焦位置和步进移动参数；基于所述步进移动参数，控制所述待光刻样品与所述电子束相...

【专利技术属性】
技术研发人员：李广亮，
申请(专利权)人：深圳清力技术有限公司，
类型：发明
国别省市：