微型发光二极管芯片结构及其制备方法技术

本公开提供了一种微型发光二极管芯片结构及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该微型发光二极管芯片结构包括承载基板、支撑胶材、多个连接臂和多个微型发光二极管芯片；所述支撑胶材位于所述承载基板的承载面上，所述支撑胶材远离所述承载基板的表面具有多个凹槽，所述多个微型发光二极管芯片位于所述多个凹槽中，且所述微型发光二极管芯片与所述凹槽的槽底和侧壁之间具有间隙；所述连接臂位于相邻的所述微型发光二极管芯片之间，且两端与相邻的所述微型发光二极管芯片的侧壁分别相连。该微型发光二极管芯片结构能够方便微型发光二极管芯片的拾取，且结构简单。且结构简单。且结构简单。

【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管芯片结构及其制备方法


[0001]本公开涉及光电子制造
，特别涉及一种微型发光二极管芯片结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]微型发光二极管(英文：Micro Light Emitting Diode，简称：Micro LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于显示设备中。
[0003]在采用微型发光二极管芯片制作显示设备时，需要拾取微型发光二极管芯片的拾取。为了方便拾取，通常会在微型发光二极管芯片上制作出一些适合拾取的结构，但是相关技术中的这些结构通常比较复杂。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供了一种微型发光二极管芯片结构及其制备方法，能够方便微型发光二极管芯片的拾取，且结构简单。所述技术方案如下：
[0005]一方面，本公开实施例提供了一种微型发光二极管芯片结构，所述微型发光二极管芯片结构包括承载基板、支撑胶材、多个连接臂和多个微型发光二极管芯片；
[0006]所述支撑胶材位于所述承载基板的承载面上，所述支撑胶材远离所述承载基板的表面具有多个凹槽，所述多个微型发光二极管芯片位于所述多个凹槽中，且所述微型发光二极管芯片与所述凹槽的槽底和侧壁之间具有间隙；
[0007]所述连接臂位于相邻的所述微型发光二极管芯片之间，且两端与相邻的所述微型发光二极管芯片的侧壁分别相连。
[0008]可选地，所述微型发光二极管芯片包括依次层叠的第一半导体层、发光层、第二半导体层，且所述第二半导体层靠近所述凹槽的底部，所述连接臂与所述第一半导体层相连。
[0009]可选地，所述连接臂与所述第一半导体层为一体结构。
[0010]可选地，所述连接臂的宽度为2μm～5μm。
[0011]可选地，所述多个凹槽阵列分布，同一行中相邻的所述微型发光二极管芯片通过所述连接臂相连。
[0012]可选地，同一列中相邻的所述微型发光二极管芯片通过所述连接臂相连。
[0013]另一方面，本公开实施例还提供了一种微型发光二极管芯片结构的制备方法，所述制备方法包括：
[0014]提供一晶圆，所述晶圆包括衬底和位于所述衬底上的多个微型发光二极管芯片以及多个连接臂，所述连接臂位于相邻的所述微型发光二极管芯片之间，且两端与相邻的所述微型发光二极管芯片的侧壁分别相连；
[0015]在所述多个微型发光二极管芯片上形成牺牲层；
[0016]提供一承载基板，所述承载基板的承载面具有支撑胶材；
[0017]将所述晶圆键合至所述承载基板；
[0018]去除所述衬底；
[0019]去除所述牺牲层。
[0020]可选地，所述晶圆采用以下方式形成：
[0021]在所述衬底上形成外延结构，所述外延结构包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；
[0022]刻蚀所述外延结构形成多个芯片单元，相邻的所述芯片单元的第一半导体层相连；
[0023]对所述第一半导体层位于相邻所述芯片单元之间的区域进行刻蚀，形成所述连接臂。
[0024]可选地，在形成所述连接臂之后，所述方法还包括：
[0025]在所述芯片单元上形成透明导电层和绝缘层；
[0026]在所述绝缘层上形成电极，以形成多个微型发光二极管芯片。
[0027]可选地，所述将所述晶圆键合至所述承载基板，包括：
[0028]将所述晶圆与所述承载基板的承载面相对布置，且所述微型发光二极管芯片位于所述衬底靠近所述承载基板的一侧；
[0029]将所述晶圆与所述承载基板相对靠拢，并施压，使形成有所述牺牲层的微型发光二极管芯片压入所述支撑胶材中，在所述支撑胶材上形成多个凹槽，
[0030]所述去除所述牺牲层，包括：
[0031]将所述承载基板置于腐蚀溶液中，腐蚀掉所述牺牲层，使所述微型发光二极管芯片与所述凹槽的槽底和侧壁之间形成间隙。
[0032]本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0033]通过将相邻的微型发光二极管芯片用连接臂相连，微型发光二极管芯片与凹槽的槽底和侧壁之间具有间隙，在拾取微型发光二极管芯片时，可以向槽底按压微型发光二极管芯片，使连接臂断裂，这样就能够将该微型发光二极管芯片取走。连接臂使多个微型发光二极管芯片在拾取之前连接成片，有利于多个微型发光二极管芯片在承载基板上按顺序排布，方便选取特定坐标的微型发光二极管芯片进行拾取，而且微型发光二极管芯片与凹槽的槽底和侧壁之间的间隙又方便连接臂在拾取时断开。该微型发光二极管芯片结构能够方便微型发光二极管芯片的拾取，且结构简单。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0035]图1是本公开实施例提供的一种微型发光二极管芯片结构的结构示意图；
[0036]图2是图1中的局部放大示意图；
[0037]图3是本公开实施例提供的一种微型发光二极管结构的俯视图；
[0038]图4是本公开实施例提供的一种微型发光二极管结构的俯视图；
[0039]图5是本公开实施例提供的一种微型发光二极管芯片结构的制备方法流程图；
[0040]图6是本公开实施例提供的一种晶圆的结构示意图；
[0041]图7是本公开实施例提供的一种微型发光二极管芯片结构的制备过程示意图；
[0042]图8是本公开实施例提供的一种微型发光二极管芯片结构的制备方法流程图；
[0043]图9是本公开实施例提供的一种微型发光二极管芯片结构的制备过程示意图；
[0044]图10是本公开实施例提供的一种微型发光二极管芯片结构的制备过程示意图；
[0045]图11是本公开实施例提供的一种微型发光二极管芯片结构的制备过程示意图；
[0046]图12是本公开实施例提供的一种微型发光二极管芯片结构的制备过程示意图；
[0047]图13是本公开实施例提供的一种微型发光二极管芯片结构的制备过程示意图。
具体实施方式
[0048]为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
[0049]图1是本公开实施例提供的一种微型发光二极管芯片结构的结构示意图。如图1所示，该微型发光二极管芯片结构包括承载基板10、支撑胶材20、多个连接臂30和多个微型发光二极管芯片40。
[0050]支撑胶材20位于承载基板10的承载面上，支撑胶材20远离承载基板10的表面具有多个凹槽20a。多个微型发光二极管芯片40位于多个凹槽20a中，且微型发光二极管芯片40与凹槽20a的槽底和侧壁之间具有间隙。
[0051]连接臂30位于相邻的微型发光二极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管芯片结构，其特征在于，包括承载基板(10)、支撑胶材(20)、多个连接臂(30)和多个微型发光二极管芯片(40)；所述支撑胶材(20)位于所述承载基板(10)的承载面上，所述支撑胶材(20)远离所述承载基板(10)的表面具有多个凹槽(20a)，所述多个微型发光二极管芯片(40)位于所述多个凹槽(20a)中，且所述微型发光二极管芯片(40)与所述凹槽(20a)的槽底和侧壁之间具有间隙；所述连接臂(30)位于相邻的所述微型发光二极管芯片(40)之间，且两端与相邻的所述微型发光二极管芯片(40)的侧壁分别相连。2.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片结构，其特征在于，所述微型发光二极管芯片(40)包括依次层叠的第一半导体层(41)、发光层(42)、第二半导体层(43)，且所述第二半导体层(43)靠近所述凹槽(20a)的底部，所述连接臂(30)与所述第一半导体层(41)相连。3.根据权利要求2所述的微型发光二极管芯片结构，其特征在于，所述连接臂(30)与所述第一半导体层(41)为一体结构。4.根据权利要求1～3任一项所述的微型发光二极管芯片结构，其特征在于，所述连接臂(30)的宽度为2μm～5μm。5.根据权利要求4所述的微型发光二极管芯片结构，其特征在于，所述多个凹槽(20a)阵列分布，同一行中相邻的所述微型发光二极管芯片(40)通过所述连接臂(30)相连。6.根据权利要求5所述的微型发光二极管芯片结构，其特征在于，同一列中相邻的所述微型发光二极管芯片(40)通过所述连接臂(30)相连。7.一种微型发光二极管芯片结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一晶圆(500)，所述晶圆(500)包括衬底(50)和位于所述衬底(50)上的多个微型发光二极管芯片(40)以及多个连接臂(30)，所述连接臂(30)位于相邻的所述微型发光二极管芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：张威，赵世彬，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：