透明导电性薄膜制造技术

本发明专利技术的透明导电性薄膜(1)朝着厚度方向的一面侧依次具备透明树脂基材(21)和透明导电层(3)。透明导电层(3)含有氪，透明导电层(3)的霍尔迁移率为20.5cm2/V

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】透明导电性薄膜


[0001]本专利技术涉及透明导电性薄膜。

技术介绍

[0002]已知透明导电性薄膜等光学薄膜被用于触摸面板等光学用途。透明导电性薄膜依次具备例如有机高分子薄膜基材和透明导电膜。
[0003]这种透明导电性薄膜是通过利用溅射且在氩气的存在下，在有机高分子薄膜基材的表面成膜出透明导电膜而得到的。
[0004]但是，近年来期望降低透明导电层的电阻率。因而，提出了在氪气和/或氙气的存在下实施溅射的透明导电薄膜的制造方法(例如参照专利文献1)。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开平5
‑
334924号公报

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的问题
[0009]专利文献1所记载的透明导电薄膜有时利用酸进行蚀刻。但是，专利文献1所记载的透明导电薄膜在蚀刻中，有时蚀刻1nm所需的秒数(sec/nm、以下记作蚀刻速率)过小，难以图案化成期望的形状。
[0010]本专利技术提供既能够降低透明导电层的电阻率又能够稳定地将透明导电层图案化成期望形状的透明导电性薄膜。
[0011]用于解决问题的方案
[0012]本专利技术[1]包括一种透明导电性薄膜，其朝着厚度方向依次具备透明树脂基材和透明导电层，前述透明导电层含有氪原子，前述透明导电层的霍尔迁移率为20.5cm2/V
·
s以上。
[0013]本专利技术[2]包括上述[1]所述的透明导电性薄膜，其中，前述透明导电层包含铟锡复合氧化物。
[0014]本专利技术[3]包括上述[1]或[2]所述的透明导电性薄膜，其中，前述透明导电层的电阻率小于2.2
×
10
‑4Ω
·
cm。
[0015]本专利技术[4]包括上述[1]～[3]中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，前述透明导电层具有图案形状。
[0016]专利技术的效果
[0017]本专利技术的透明导电性薄膜中，透明导电层含有氪原子，且具有20.5cm2/V
·
s以上的霍尔迁移率。因此，既能够降低透明导电层的电阻率，又能够在利用酸对透明导电层进行蚀刻时确保适合的蚀刻速率，能够稳定地图案化成期望的形状。
附图说明
[0018]图1是表示本专利技术的透明导电性薄膜的一个实施方式的示意图。
[0019]图2是表示图1中示出的透明导电性薄膜的制造方法的一个实施方式的示意图。图2的A表示准备透明树脂基材的工序。图2的B表示在透明基材的厚度方向的一个面配置功能层的工序。图2的C表示在功能层的厚度方向的一个面配置含有氪的透明导电层的工序。图2的D表示在含有氪的透明导电层的厚度方向的一个面配置不含氪的透明导电层的工序。图2的E表示将透明导电层加热的工序。
[0020]图3是表示非结晶性的透明导电层的表面电阻与氧导入量的关系的图。
[0021]图4是表示本专利技术的带有透明导电性薄膜的物品的一个实施方式的示意图。
[0022]图5表示各实施例和各比较例中的霍尔迁移率与蚀刻速率的相关性的示意图。
具体实施方式
[0023]<透明导电性薄膜>
[0024]如图1所示那样，透明导电性薄膜1具备具有规定厚度的薄膜形状(包括片状)。透明导电性薄膜1沿着与厚度方向正交的面方向延伸。透明导电性薄膜1具有平坦的上表面和平坦的下表面。
[0025]透明导电性薄膜1朝着厚度方向的一面侧依次具备基材层2和透明导电层3。更具体而言，透明导电性薄膜1具备基材层2、以及配置在基材层2的上表面(厚度方向的一个面)上的透明导电层3。透明导电性薄膜1优选仅具备基材层2和透明导电层3。
[0026]透明导电性薄膜1例如为图像显示装置所具备的触摸面板用基材、电磁波屏蔽件等的一个部件，换言之，不是图像显示装置。即，透明导电性薄膜1是用于制作图像显示装置等的部件，其不含OLED模块等图像表示元件，是能够以部件的形式单独流通并在产业上加以利用的设备。
[0027]透明导电性薄膜1的厚度例如为1000μm以下、优选为500μm以下、更优选为250μm以下，另外，例如为50μm以上。
[0028]<基材层>
[0029]基材层2是用于确保透明导电性薄膜1的机械强度的透明基材。
[0030]基材层2具有薄膜形状。基材层2以接触透明导电层3的下表面的方式配置在透明导电层3的整个下表面。
[0031]基材层2朝着厚度方向的一面侧依次具备透明树脂基材21和功能层22。具体而言，基材层2具备透明树脂基材21、以及配置在透明树脂基材21的厚度方向的一个面上的功能层22。
[0032]<透明树脂基材>
[0033]透明树脂基材21具有薄膜形状，且具有挠性。
[0034]作为透明树脂基材21的材料，可列举出例如烯烃树脂、聚酯树脂、(甲基)丙烯酸类树脂(丙烯酸类树脂和/或甲基丙烯酸类树脂)、聚碳酸酯树脂、聚醚砜树脂、聚芳酯树脂、三聚氰胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、纤维素树脂和聚苯乙烯树脂。作为烯烃树脂，可列举出例如聚乙烯、聚丙烯和环烯烃聚合物(COP)。作为聚酯树脂，可列举出例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯。作为(甲基)丙烯酸类树
脂，可列举出例如聚甲基丙烯酸酯。作为透明树脂基材21的材料，可优选列举出聚烯烃树脂，更优选列举出COP。
[0035]透明树脂基材21具有透明性。具体而言，透明树脂基材21的总透光率(JIS K 7375
‑
2008)例如为60％以上、优选为80％以上、更优选为85％以上。
[0036]透明树脂基材21的厚度例如为1μm以上、优选为10μm以上、更优选为30μm以上，另外，例如为300μm以下、优选为200μm以下、更优选为100μm以下、进一步优选为60μm以下。
[0037]<功能层>
[0038]功能层22配置在透明树脂基材21的厚度方向的一个面上。功能层22具有薄膜形状。作为功能层22，可列举出例如硬涂层和光学调整层。
[0039]硬涂层是用于抑制透明导电性薄膜1产生损伤的保护层。基材层2例如朝着厚度方向的一面侧依次具备透明树脂基材21和硬涂层。
[0040]硬涂层由例如硬涂组合物形成。
[0041]硬涂组合物包含树脂和根据需要的颗粒。换言之，硬涂层包含树脂和根据需要的颗粒。
[0042]作为树脂，可列举出例如热塑性树脂和固化性树脂。
[0043]作为热塑性树脂，可列举出例如聚烯烃树脂。
[0044]作为固化性树脂，可列举出例如通过照射活性能量射线(例如紫外线和电子射线)而发生固化的活性能量射线固化性树脂和通过加热而发生固化的热固性树脂。作为固化性树脂，可优选列举出活性能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种透明导电性薄膜，其朝着厚度方向的一面侧依次具备透明树脂基材和透明导电层，所述透明导电层含有氪，所述透明导电层的霍尔迁移率为20.5cm2/V
·
s以上。2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述透明导电层包含铟锡复合氧化物。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：梶原大辅，碓井圭太，藤野望，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：