MicroLED器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种Micro LED器件，包括第一衬底、设置于所述第一衬底上的驱动电极、与驱动电极为键合电连接的第一电极、第二衬底以及设置于第二衬底和第一电极之间的半导体功能层，第一衬底上布置多个安装有驱动电极的第一位置，各个第一位置处至少设置一个驱动电极。本发明专利技术的Micro LED器件，通过同一像素驱动电极采用多组驱动电极以完成降低对准精度需求，提高产品质量，降低制造成本。本发明专利技术还公开了一种Micro LED器件的制造方法。LED器件的制造方法。LED器件的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
Micro LED器件及其制造方法


[0001]本专利技术属于LED器件
，具体地说，本专利技术涉及一种Micro LED器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]微发光二极管(Micro LED)是新一代显示技术，具有自发光显示特性，相较于现有的有机发光二极管(Organic Light
‑
EmittingDiode，OLED)技术，Micro LED显示装置具有亮度及稳定性更高、发光效率更好、功耗更低、响应时间更快等一系列的优点。Micro LED显示装置的显示原理是将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化，其尺寸仅在1～10um等级左右；然后通过单片集成或巨量转移等方法形成显示器。但是在通过巨量转移或者单片集成制作显示器的过程中，在将LED芯片与驱动基板进行对位的过程中提出了较高的对位要求，从而影响了整个行业的发展进度，同时提高了产业化过程中的生产成本。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提供一种Micro LED器件，目的是降低对准精度需求。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：Micro LED器件，包括第一衬底、设置于所述第一衬底上的驱动电极、与驱动电极为键合电连接的第一电极、第二衬底以及设置于第二衬底和第一电极之间的半导体功能层，第一衬底上布置多个安装有驱动电极的第一位置，各个第一位置处至少设置一个驱动电极。
[0005]所述各个第一位置处设置至少两个驱动电极时，相邻两个驱动电极之间的距离小于驱动电极的长度。
[0006]所述第一衬底与所述第二衬底之间设置填料层，所述第一位置设置多个，相邻两个第一位置之间布置有填料层。
[0007]所述第二衬底上布置多个安装有所述驱动电极的第二位置，各个第二位置处至少设置一个驱动电极，各个第二位置分别位于相邻的两个所述第一位置之间，第二位置位于所述填料层下方，且第一电极的长度为驱动电极的长度及相邻两个驱动电极的间距之和的整数倍。
[0008]所述第一衬底上设置阳极过孔，所述驱动电极设置于阳极过孔处的表面上。
[0009]所述半导体功能层包括第一半导体层和设置于所述第一电极上的第二半导体层，第一半导体层位于第二半导体层和所述第二衬底之间，第二半导体层包括P型半导体以及量子阱层，第一半导体层包含N型半导体以及buffer层，buffer层与第一衬底连接。
[0010]所述第二半导体层隔断形成阵列，所述第一半导体层彼此互联形成共阴极，第一半导体层的表面沉积金属形成第二电极，第二电极位于相邻两个第二半导体层之间。
[0011]所述第一半导体层与所述第二半导体层由II
‑
VI族材料形成。
[0012]本专利技术还提供了一种Micro LED器件的制造方法，包括步骤：
[0013]S1、提供一第一衬底；
[0014]S2、在第一衬底表面沉积金属，形成第一电极；
[0015]S3、提供一LED外延片，通过黄光及刻蚀工艺定义LED阵列；
[0016]S4、在LED外延片上制作第一电极和第二电极；
[0017]S5、将LED外延片上的第一电极与第一衬底上的驱动电极对准后进行键合，并在第一衬底与第二衬底之间制作填料层。
[0018]所述填料层的材质为无机材料，则在所述步骤S5中，先在第一衬底与第二衬底之间制作填料层，然后在第一电极与第一衬底上的驱动电极对准后进行键合。
[0019]本专利技术的Micro LED器件，通过同一像素驱动电极采用多组驱动电极以完成降低对准精度需求，提高产品质量，降低制造成本；而且采用等间距驱动阳极，当键合对准后，再确定给予同第一电极键合的驱动阳极供电信号，进一步降低对准精度需求，降低制造成本的技术目的。
附图说明
[0020]本说明书包括以下附图，所示内容分别是：
[0021]图1是第一驱动衬底完成驱动电极制作后截面图；
[0022]图2是第二衬底完成LED阵列制作后截面图；
[0023]图3是micro LED结构中间位置对准键合截面图；
[0024]图4是LED功能层偏左对准键合截面图；
[0025]图5是LED功能层偏右对准键合截面图；
[0026]图6是第一衬底完成等间距驱动电极制作后截面图；
[0027]图7是等间距驱动电极micro LED结构对准键合截面图；
[0028]图中标记为：1、第一衬底；2、阳极过孔；201、第一阳极过孔；202、第二阳极过孔；203、第三阳极过孔；204、第四阳极过孔；205、第五阳极过孔；3、驱动电极；301、第一驱动电极；302、第二驱动电极；303、第三驱动电极；304、第四驱动电极；305、第五驱动电极；4、半导体功能层；401、第一半导体层；402、第二半导体层；5、第一电极；6、第二电极；7、第二衬底；8、填料层。
具体实施方式
[0029]下面对照附图，通过对实施例的描述，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明，目的是帮助本领域的技术人员对本专利技术的构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解，并有助于其实施。
[0030]需要说明的是，在下述的实施方式中，所述的“第一”、“第二”、“第三”和“第四”并不代表结构和/或功能上的绝对区分关系，也不代表先后的执行顺序，而仅仅是为了描述的方便。
[0031]如图6和图7所示，本专利技术提供了一种Micro LED器件，包括第一衬底1、设置于第一衬底1上的驱动电极3、与驱动电极为键合电连接的第一电极5、第二衬底7以及设置于第二衬底7和第一电极5之间的半导体功能层4，第一衬底1上布置多个安装有驱动电极3的第一位置，各个第一位置处至少设置一个驱动电极3，处于第一位置处的所有驱动电极3为沿第
一衬底1的长度方向依次布置。
[0032]具体地说，如图1至图7所示，第一衬底1可以是CMOS衬底或TFT玻璃衬底，第一衬底1内部形成有阳极过孔2，阳极过孔2贯穿连接到第一衬底11的表面，在阳极过孔2表面沉积制作驱动电极3，通过驱动电极3可以向半导体功能层4提供驱动电流信号，当然，在其他实施例中，也可以通过半导体功能层4将外界的光强信号转换成电信号通过驱动电极3反馈给阳极过孔2。
[0033]如图1所示，第一衬底1设置多组阳极过孔，每组阳极过孔分别位于一个第一位置处，每组阳极过孔包含多个阳极过孔2。在本实施例中，每组阳极过孔包含5个阳极过孔2，5个阳极过孔2分别为第一阳极过孔201、第二阳极过孔202、第三阳极过孔203、第四阳极过孔204和第五阳极过孔205，同一组的所有阳极过孔为沿第一衬底1的长度方向依次布置。
[0034]各个第一位置处设置至少两个驱动电极3时，相邻两个驱动电极之间的距离小于驱动电极的长度，驱动电极的长度方向与第一衬底1和第一电极5的长度方向相平行。
[0035]如图1所示，在本实施例中，各个第一位置处设置一个5个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.Micro LED器件，包括第一衬底，其特征在于，还包括设置于所述第一衬底上的驱动电极、与驱动电极为键合电连接的第一电极、第二衬底以及设置于第二衬底和第一电极之间的半导体功能层，第一衬底上布置多个安装有驱动电极的第一位置，各个第一位置处至少设置一个驱动电极。2.根据权利要求1所述的Micro LED器件，其特征在于，所述各个第一位置处设置至少两个驱动电极时，相邻两个驱动电极之间的距离小于驱动电极的长度。3.根据权利要求1或2所述的Micro LED器件，其特征在于，所述第一衬底与所述第二衬底之间设置填料层，所述第一位置设置多个，相邻两个第一位置之间布置有填料层。4.根据权利要求3所述的Micro LED器件，其特征在于，所述第二衬底上布置多个安装有所述驱动电极的第二位置，各个第二位置处至少设置一个驱动电极，各个第二位置分别位于相邻的两个所述第一位置之间，第二位置位于所述填料层下方，且第一电极的长度为驱动电极的长度及相邻两个驱动电极的间距之和的整数倍。5.根据权利要求1至4任一所述的Micro LED器件，其特征在于，所述第一衬底上设置阳极过孔，所述驱动电极设置于阳极过孔处的表面上。6.根据权利要求1至5任一所述的Micro LED器件，其特征在于，所述半导体功能层包括第一半导体层和设置于所述第一电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：王仕伟，冯璐阳，刘成元，郑本陪，倪俊，刘胜芳，赵铮涛，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：