一种锗lab区硅基锗探测器制造技术

本发明专利技术提供了一种锗lab区硅基锗探测器,包括：硅波导层；第一表面与所述硅波导层接触的光吸收层；与光吸收层第二表面接触的光吸收层slab区，其中，所述光吸收层slab区包括与所述光吸收层的接触的接触部、以及与所述接触部连接的第一延伸部；与所述硅波导层连接的第二延伸部；生长在所述第一延伸部上且远离所述硅波导层的一端的第一电极；生长在所述第二延伸部上且远离所述硅波导层的一端的第二电极。解决了现有技术中硅基锗光电探测器，存在部分光信号被电极吸收，导致探测器的响应度小的问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
一种锗lab区硅基锗探测器


[0001]本专利技术涉及光电探测器领域，特别涉及一种锗lab区硅基锗探测器。

技术介绍

[0002]近年来，随着物联网的迅猛发展，光纤通信系统作为物联网的重要依托，其发展受到更多的重视。在长途骨干网领域，随着光传输技术的成熟和发展，世界范围内出现了干线传输网络的建设热潮，传输带宽、传输容量快速发展；
[0003]随着光纤通信系统的发展，光器件的发展也同样面临着机遇和挑战，如何开发出性能优良、价格低廉的光器件已经成为人们所面临的首要问题。硅基光电子器件具有易于集成、工艺成本低等优点，近些年来引起研究人员的广泛关注。硅(Si)材料作为微电子领域的传统材料，在加工工艺和制作成本上有着其他材料无可比拟的优势，硅基光电子集成技术应运而生。作为硅基光电集成技术中的重要的代表元件之一的光电探测器，它的作用就是把入射的光信号转化为电信号，以便后续的信号处理电路进行分析。硅基锗光电探测器经过十几年的发展，在结构上不断优化，性能进一步提高。
[0004]近年来，在学术界和工业界的持续创新努力下，各种高性能指标的波导集成的硅基锗光电探测器不断被提出，部分指标已经达到了商用三五族探测器的水平。
[0005]现有的硅基锗光电探测器，存在部分光信号被电极吸收，导致探测器的响应度小的问题。
[0006]有鉴于此，提出本申请。

技术实现思路

[0007]本专利技术公开了一种锗lab区硅基锗探测器，旨在解决现有技术中硅基锗光电探测器，存在部分光信号被电极吸收，导致探测器的响应度小的问题。
[0008]本专利技术实施例提供了一种锗lab区硅基锗探测器，包括：
[0009]硅波导层；
[0010]第一表面与所述硅波导层接触的光吸收层；
[0011]与光吸收层第二表面接触的光吸收层slab区，其中，所述光吸收层slab区包括与所述光吸收层的接触的接触部、以及与所述接触部连接的第一延伸部；
[0012]与所述硅波导层连接的第二延伸部；
[0013]生长在所述第一延伸部上且远离所述硅波导层的一端的第一电极；
[0014]生长在所述第二延伸部上且远离所述硅波导层的一端的第二电极；
[0015]优选地，所述第二延伸部为硅轻掺杂slab区。
[0016]优选地，所述光吸收层为本征锗。
[0017]优选地，所述光吸收层slab区包括锗轻掺杂slab区、以及锗重掺杂slab区；
[0018]其中，所述锗重掺杂slab区为与所述第一电极连接的接触部。
[0019]优选地，还包括用于覆盖所述硅波导层、所述光吸收层、所述光吸收层slab区、所
述第二延伸部、所述第一电极、以及所述第二电极的绝缘层。
[0020]优选地，所述绝缘层的材质为二氧化硅。
[0021]基于本专利技术提供的一种锗lab区硅基锗探测器，通过在光吸收层的上方设置光吸收层slab区，并在所述slab区的第一延伸部设置第一电极，在硅波导层的第二延伸部设置第二电极，其中，所述第一电极和所述第二电极均设置在延伸部远离硅波导层的一端，解决了现有技术中硅基锗光电探测器，存在部分光信号被电极吸收，导致探测器的响应度小的问题。
附图说明
[0022]图1是专利技术实施例提供的一种锗lab区硅基锗探测器的结构示意图。
具体实施方式
[0023]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0024]为了更好的理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术实施例进行详细描述。
[0025]应当明确，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0026]在本专利技术实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本专利技术。在本专利技术实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
[0027]应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0028]取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在
……
时”或“当
……
时”或“响应于确定”或“响应于检测”。类似地，取决于语境，短语“如果确定”或“如果检测(陈述的条件或事件)”可以被解释成为“当确定时”或“响应于确定”或“当检测(陈述的条件或事件)时”或“响应于检测(陈述的条件或事件)”。
[0029]实施例中提及的“第一\第二”仅仅是是区别类似的对象，不代表针对对象的特定排序，可以理解地，“第一\第二”在允许的情况下可以互换特定的顺序或先后次序。应该理解“第一\第二”区分的对象在适当情况下可以互换，以使这里描述的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
[0030]以下结合附图对本专利技术的具体实施例做详细说明。
[0031]本专利技术公开了一种锗lab区硅基锗探测器，旨在解决现有技术中硅基锗光电探测器，存在部分光信号被电极吸收，导致探测器的响应度小的问题。
[0032]请参阅图1，本专利技术实施例提供了一种锗lab区硅基锗探测器，包括：
[0033]硅波导层1；
[0034]第一表面与所述硅波导层1接触的光吸收层2；
[0035]与光吸收层2第二表面接触的光吸收层slab区3，其中，所述光吸收层slab区3包括与所述光吸收层2的接触的接触部31、以及与所述接触部31连接的第一延伸部32；
[0036]与所述硅波导层1连接的第二延伸部6；
[0037]生长在所述第一延伸部32上且远离所述硅波导层1的一端的第一电极5；
[0038]生长在所述第二延伸部6上且远离所述硅波导层1的一端的第二电极4；
[0039]需要说明的是，专利技术人发现，硅基锗光电探测器主要采用在硅脊波导上外延锗吸收层的形式，锗电极位于锗吸收区之上，使得部分信号光被电极吸收，从而降低了探测器的响应度，为解决这一问题，提出了侧向PN结的硅基锗探测器，然而该探测器由于p区硅波导和n区硅波导都位于锗吸收层之下，因此形成的电场分布具有覆盖面小、不均匀、较弱等缺点。
[0040]在本实施例中，通过在光吸收层2的上方设置光吸收层slab区3，并在所述slab区的第一延伸部32设置第一电极5，在硅波导层1的第二延伸部6设置第二电极4，其中，所述第一电极5和所述第二电极4均设置在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种锗lab区硅基锗探测器,其特征在于，包括：硅波导层；第一表面与所述硅波导层接触的光吸收层；与光吸收层第二表面接触的光吸收层slab区，其中，所述光吸收层slab区包括与所述光吸收层的接触的接触部、以及与所述接触部连接的第一延伸部；与所述硅波导层连接的第二延伸部；生长在所述第一延伸部上且远离所述硅波导层的一端的第一电极；生长在所述第二延伸部上且远离所述硅波导层的一端的第二电极。2.根据权利要求1所述的一种锗lab区硅基锗探测器,其特征在于，所述第二延伸部为硅轻掺杂slab区。3.根据权利要求1所述的一种锗lab区硅基...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔积适，肖洪地，
申请(专利权)人：三明学院，
类型：发明
国别省市：