本申请公开了一种用于清除排气管道内氧化物的清理装置及单晶炉，涉及光伏技术领域，所述清理装置设置在排气管道内，所述排气管道内设有导气装置，所述清理装置设置在所述导气装置下方；所述清理装置包括：承载结构，所述承载结构安装在所述排气管道的管壁上；清理结构，所述清理结构与所述承载结构连接，用于通过扰动气流的方式分散所述氧化物，所述清理结构的直径小于所述排气管道的直径。用于利用气流来清除排气管道内的氧化物，保证单晶炉的正常运行。常运行。常运行。
【技术实现步骤摘要】
一种用于清除排气管道内氧化物的清理装置及单晶炉
[0001]本申请涉及光伏
，更具体地，涉及一种用于清除排气管道内氧化物的清理装置及单晶炉。
技术介绍
[0002]垂直提拉法是大规模生产单晶硅棒的一种常用方法，主要设备为单晶炉。
[0003]在拉制晶棒的过程中，单晶炉内会产生大量的氧化物，一般通过炉底的排气管道排出。由于炉底位置的排气管道处设置有水冷结构，在长时间拉制晶棒时，从排气管道排出的氧化物容易在水冷位置凝固，堵塞排气管道，导致真空泵频率上升，严重时导致炉压升高，影响晶棒品质和单产。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本申请提供了一种用于清除排气管道内氧化物的清理装置及单晶炉，用于利用气流来清除排气管道内的氧化物，保证单晶炉的正常运行。
[0005]第一方面，本申请提供一种用于清除排气管道内氧化物的清理装置，清理装置设置在排气管道内，排气管道内设有导气装置，清理装置设置在导气装置下方；清理装置包括：
[0006]承载结构，承载结构安装在排气管道的管壁上；
[0007]清理结构，清理结构与承载结构连接，用于通过扰动气流的方式分散氧化物，清理结构的直径小于排气管道的直径。
[0008]可选地，其中：
[0009]导气装置为自上至下直径逐渐减小的导气装置；清理装置与导气装置之间的距离范围为20mm～40mm。
[0010]可选地，其中：
[0011]承载结构固定于排气管道；或，承载结构与排气管道可拆卸连接。
[0012]可选地，其中：
[0013]当承载结构与排气管道可拆卸连接时，排气管道还包括多个依次分布的限位件，承载结构通过限位件与排气管道可拆卸连接。
[0014]可选地，其中：
[0015]承载结构为具有组合结构的承载结构或一体式承载结构；承载结构具有导通气流的镂空，清理结构连接在承载结构不具有镂空的位置。
[0016]可选地，其中：
[0017]清理结构包括旋转组件以及位于旋转组件旋转轴处的导向结构，导向结构具有相对的第一端和第二端，第一端与承载结构固定连接，第二端与旋转组件固定连接；或，
[0018]清理结构包括旋转组件以及位于旋转组件旋转轴处的导向结构，导向结构具有相对的第一端和第二端，第一端与承载结构固定连接，第二端位于旋转组件下方，旋转组件与
导向结构滑动连接。
[0019]可选地，其中：
[0020]清理结构还包括第一限位件和第二限位件，第一限位件设于导向结构的第一端，第二限位件设于导向结构的第二端。
[0021]可选地，其中：
[0022]旋转组件包括连接件以及设于连接件上的多个旋转件，连接件用于连接旋转件和导向结构，使得每个旋转件能够围绕导向结构旋转。
[0023]可选地，其中：
[0024]每个旋转件的延伸面与导向结构的延伸方向斜向相交。
[0025]第二方面，本申请还提供一种单晶炉，包括位于单晶炉内排气管道水冷区域处的清理装置，清理装置为第一方面所描述的用于清除排气管道内氧化物的清理装置。
[0026]与现有技术相比，本申请提供的一种用于清除排气管道内氧化物的清理装置及单晶炉，至少实现了如下的有益效果：
[0027]本申请所提供的一种用于清除排气管道内氧化物的清理装置及单晶炉中，清理装置设在排气管道内的导气装置下方，用于清理从排气管道中排出且容易堵塞在导气装置下方的氧化物。清理装置包括相互连接的承载结构和清理结构，其中，承载结构安装在排气管道的管壁上，用于承载并支撑清理结构，使得清理结构可以稳定运行；清理结构的直径小于排气管道的直径，使得清理结构可以在排气管道中正常运行，清理结构通过扰动气流的方式来分散堵塞在导气装置下方的氧化物，分散后的氧化物不再堆积在导气装置下方，随着排气管道排走。由此可见，采用本申请所提供的用于清除排气管道内氧化物的清理装置及单晶炉，可以清理堵塞在导气装置下方的氧化物，同时避免氧化物的堆积，进而降低了单晶炉的炉压，保障了单晶炉的正常运行。
[0028]当然，实施本申请的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
[0029]通过以下参照附图对本申请的示例性实施例的详细描述，本申请的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
[0030]被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本申请的实施例，并且连同其说明一起用于解释本申请的原理。
[0031]图1所示为现有技术中的单晶炉的结构示意图；
[0032]图2所示为本申请实施例所提供的清理装置的结构示意图；
[0033]图3所示为本申请实施例所提供的安装有清理装置的单晶炉的示意图；
[0034]图4所示为本申请实施例所提供的单晶炉中的清理装置的俯视图。
具体实施方式
[0035]现在将参照附图来详细描述本申请的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本申请的范围。
[0036]以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本申请
及其应用或使用的任何限制。
[0037]对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
[0038]在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
[0039]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
[0040]垂直提拉法是大规模生产单晶硅棒的一种常用方法，主要设备为单晶炉。
[0041]图1所示为现有技术中的单晶炉的结构示意图，如图1所示，在拉制晶棒的过程中，单晶炉1内会产生大量的氧化物，一般通过炉底的排气管道10排出。随着拉晶技术的发展，由于炉底位置的排挤管道处设置有水冷区域12，在长时间拉制晶棒时，从排气管道10处排出的氧化物在容易在水冷区域12的位置凝固，堵塞排气管道10，导致真空泵频率上升，严重时导致炉压升高，影响晶棒品质和单产。
[0042]图2所示为本申请实施例所提供的清理装置的结构示意图；图3所示为本申请实施例所提供的安装有清理装置的单晶炉的示意图；图4所示为本申请实施例所提供的的单晶炉中的清理装置的俯视图。
[0043]为了解决上述技术问题，如图2～图4所示，本申请提出了一种用于清除排气管道10内氧化物的清理装置2及单晶炉1，用于利用气流来清除排气管道10内的氧化物，保证单晶炉1的正常运行。
[0044]如图2～图4所示，本申请提供一种用于清除排气管道10内氧化物的清理装置2，清理装置2设置在排气管道10内，排气管道10内设有导气装置11，清理装置2设置在导气装置11下方；清理装置2本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于清除排气管道内氧化物的清理装置，其特征在于，所述清理装置设置在排气管道内，所述排气管道内设有导气装置，所述清理装置设置在所述导气装置下方；所述清理装置包括：承载结构，所述承载结构安装在所述排气管道的管壁上；清理结构，所述清理结构与所述承载结构连接，用于通过扰动气流的方式分散所述氧化物，所述清理结构的直径小于所述排气管道的直径。2.根据权利要求1所述的清理装置，其特征在于，所述导气装置为自上至下直径逐渐减小的导气装置；所述清理装置与所述导气装置之间的距离范围为20mm～40mm。3.根据权利要求1所述的用于清除排气管道内氧化物的清理装置，其特征在于，所述承载结构固定于所述排气管道；或，所述承载结构与所述排气管道可拆卸连接。4.根据权利要求3所述的用于清除排气管道内氧化物的清理装置，其特征在于，当所述承载结构与所述排气管道可拆卸连接时，所述排气管道还包括多个依次分布的限位件，所述承载结构通过所述限位件与所述排气管道可拆卸连接。5.根据权利要求1所述的用于清除排气管道内氧化物的清理装置，其特征在于，所述承载结构为具有组合结构的承载结构或一体式承载结构；所述承载结构具有导通气流的镂空，所述清理结构连接在所述承载结构不具有所述镂空的位置。6.根据权利要求1所述的用于清除排气管道内氧化物的清理...
【专利技术属性】
技术研发人员：向鹏，欧子杨，李旭帆，
申请(专利权)人：四川晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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