一种体声波双工器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种体声波双工器，包括Tx滤波器、Rx滤波器和移相器，Rx滤波器的一端依次连接移相器和天线端，另一端与低噪声放大器相接，Tx滤波器的一端与天线端及移相器连接，另一端与功率放大器相接，所述Tx滤波器和Rx滤波器均为多阶滤波器，所述Tx滤波器中包括若干串臂谐振器和若干并臂谐振器，其中部分并臂谐振器还串联有一电感，所述Rx滤波器中包括若干串臂谐振器和若干并臂谐振器，其中部分并臂谐振器还串联有一电感。本实用新型专利技术通过设置移相器，提升Rx滤波器在Tx频段的输入阻抗，解决了Tx滤波器与Rx滤波器之间的阻抗匹配问题以提升端口回损，并通过在并臂谐振器的电路中引入电感，提升带外抑制。提升带外抑制。提升带外抑制。

【技术实现步骤摘要】
一种体声波双工器


[0001]本技术涉及电子通信器件
,尤其涉及一种体声波双工器。

技术介绍

[0002]双工器是异频双工电台，中继台的主要配件，其作用是将发射和接收讯号相隔离，保证接收和发射都能同时正常工作，它是由两组不同频率的带通滤波器组成，避免本机发射信号传输到接收机。
[0003]BAW双工器的工作原理与一般的频分双工器相同，即通过同一副天线可以在同一时间不同频段完成信号的发射与接收，只不过其中的接受滤波器(Rx滤波器)和发送滤波器(Tx滤波器)都是BAW滤波器。Rx滤波器的通带频段一般高于Tx滤波器的通带频段。
[0004]现有双工器由发射滤波器以及接收滤波器构成，发射滤波器和接收滤波器均采用现有的滤波器实现，但是这种技术存在带外抑制和端口回损较低的问题。

技术实现思路

[0005]针对现有技术带外抑制和端口回损较低的问题，本技术提供了一种体声波双工器，针对BAW双工器中Tx与Rx滤波器的阻抗匹配问题，通过设置移相器，提升Rx滤波器在Tx频段的输入阻抗，解决了Tx滤波器与Rx滤波器之间的阻抗匹配问题以提升端口回损，并通过在并臂谐振器的电路中引入电感，提升带外抑制。
[0006]以下是本技术的技术方案。
[0007]一种体声波双工器，包括Tx滤波器、Rx滤波器和移相器，所述Rx滤波器的一端与天线端及移相器连接，另一端与低噪声放大器相接，所述Tx滤波器的一端依次连接移相器和天线端，另一端与功率放大器相接，所述Tx滤波器和Rx滤波器均为多阶滤波器，所述Tx滤波器中包括若干串臂谐振器和若干并臂谐振器，其中部分并臂谐振器还串联有一电感，所述Rx滤波器中包括若干串臂谐振器和若干并臂谐振器，其中部分并臂谐振器还串联有一电感。
[0008]串臂谐振器中从第一串臂谐振器Y1开始，每两个串臂谐振器之间与一个并臂谐振器的一端连接，并臂谐振器中的各个谐振器的另一端连接接地或电感。
[0009]BAW双工器中Tx滤波器在Rx频段的输入阻抗较高，而Rx滤波器在Tx频段的输入阻抗较低，这就需要在天线端与Rx滤波器之前接入移相器来提升Rx滤波器在Tx频段的输入阻抗，以免Rx滤波器对Tx滤波器形成负载效应从而使Tx滤波器的性能退化。
[0010]作为优选，所述Rx滤波器的通带为1745
‑
1785MHz，所述Tx滤波器的通带为1805
‑
1845MHz。在该特定频段中，带外抑制和端口回损的问题较为突出，本申请的电路结构在该频段可以发挥出较好的效果。
[0011]作为优选，所述移相器包括电感L1、电容C1和电容C2，所述电感L1的两端分别连接Tx滤波器和Rx滤波器，所述电容C1和电容C2并联在电感L1的两端。一般来说，BAW双工器中Rx滤波器的输入阻抗在Tx滤波器通带频段内较小，这会使Tx滤波器通带内的插入损耗和带
内波动等性能变差，90度移相器可以提升Rx滤波器在Tx滤波器通频带内的输入阻抗，从而解决Tx滤波器与Rx滤波器之间的阻抗匹配问题，采用LCπ型电路作为90度移相器更利于BAW双工器的单片集成化。
[0012]作为优选，所述谐振器的压电层采用氮化铝材料，声学层采用钼材料。
[0013]作为优选，所述Tx滤波器为五阶滤波器，五个串臂谐振器的顶电极的厚度一致，五个并臂谐振器的顶电极的厚度一致，其中第一并臂谐振器Y2和第四并臂谐振器Y8还各串联有一电感。
[0014]作为优选，所述Tx滤波器中，五个串臂谐振器的顶电极的厚度为1.56243*10
‑7m；五个并臂谐振器的顶电极的厚度为1.87234*10
‑7m。
[0015]作为优选，所述Rx滤波器为五阶滤波器，五个串臂谐振器的顶电极的厚度一致，五个并臂谐振器的顶电极的厚度一致，其中第六并臂谐振器Y12和第九并臂谐振器Y18还各串联有一电感。
[0016]作为优选，所述Rx滤波器中，五个串臂谐振器的顶电极的厚度为1.38241*10
‑7m；五个并臂谐振器的顶电极的厚度为1.65945*10
‑7m。
[0017]为了更好地提升端口回损，本申请对谐振器的各膜层厚度进行了优化，上述厚度可以实现端口回损大于15dB。
[0018]作为优选，所述Tx滤波器和Rx滤波器还包括若干层窄板，所述窄板嵌有用于连接内部电路和外部电路的导体和导线。
[0019]作为优选，还包括硅盖板，所述硅盖板设置在Tx滤波器、Rx滤波器和移相器的顶部。用来保护下方的Tx滤波器、Rx滤波器等。
[0020]本技术的有益效果包括：对BAW双工器进行优化设计，通过设置移相器，提升Rx滤波器在Tx频段的输入阻抗，解决了Tx滤波器与Rx滤波器之间的阻抗匹配问题以提升端口回损，通过引入电感可以优化双工器的带外抑制，从而实现特定频段下的高性能双工器。
附图说明
[0021]图1是本技术实施例的电路原理图；
[0022]图2是本技术实施例的结构图；
[0023]图中包括：1
‑
Rx滤波器、2
‑
移相器、3
‑
Tx滤波器、4
‑
硅盖板。
具体实施方式
[0024]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。另外，为了更好的说明本技术，在下文的具体实施方式中给出了众多的具体细节。本领域技术人员应当理解，没有某些具体细节，本技术同样可以实施。在一些实例中，对于本领域技术人员熟知的方法、手段、元件和电路未做详细描述，以便于凸显本技术的主旨。
[0025]其中，在本申请实施例的描述中，除非另有说明，“/”表示或的意思，例如，A/B可以表示A或B；本文中的“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。
[0026]以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性
或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0027]实施例：
[0028]一种体声波双工器，如图1和图2所示，包括Tx滤波器3、Rx滤波器1、移相器2和硅盖板4，所述Rx滤波器的一端依次连接移相器和天线端，另一端与低噪声放大器相接，所述Tx滤波器的一端与天线端及移相器连接，另一端与功率放大器相接，所述硅盖板设置在Tx滤波器、Rx滤波器和移相器的顶部。Tx滤波器和Rx滤波器还包括若干层窄板，所述窄板嵌有用于连接内部电路和外部电路的导体和导线。
[0029]本实施例的Rx滤波器的通带为1745
‑
1785MHz，所述Tx滤波器的通带为1805
‑
1845MHz。在该本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波双工器，包括Tx滤波器、Rx滤波器和移相器，其特征在于，所述Rx滤波器的一端依次连接移相器和天线端，另一端与低噪声放大器相接，所述Tx滤波器的一端与天线端及移相器连接，另一端与功率放大器相接，所述Tx滤波器和Rx滤波器均为多阶滤波器，所述Tx滤波器中包括若干串臂谐振器和若干并臂谐振器，其中部分并臂谐振器还串联有一电感，所述Rx滤波器中包括若干串臂谐振器和若干并臂谐振器，其中部分并臂谐振器还串联有一电感。2.根据权利要求1所述的一种体声波双工器，其特征在于，所述Rx滤波器的通带为1745
‑
1785MHz，所述Tx滤波器的通带为1805
‑
1845MHz。3.根据权利要求1所述的一种体声波双工器，其特征在于，所述移相器包括电感L1、电容C1和电容C2，所述电感L1的两端分别连接Tx滤波器和Rx滤波器，所述电容C1和电容C2并联在电感L1的两端。4.根据权利要求1所述的一种体声波双工器，其特征在于，所述谐振器的压电层采用氮化铝材料，声学层采用钼材料。5.根据权利要求1或4所述的一种体声波双工器，其特征在于，所述Tx滤波器为五阶滤波器，五个串臂谐振器的顶电极的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：相旭，高杨，张树民，宋磊，豆文通，张冰滨，
申请(专利权)人：杭州左蓝微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：