一种MOCVD工艺使用的真空反应腔体结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MOCVD工艺使用的真空反应腔体结构，包括真空腔体，所述真空腔体的左侧壁固定连接有第一进气管，所述真空腔体的右侧壁固定连接有第二进气管，所述真空腔体的下内壁设置有连接轴承，所述连接轴承的内部转动连接有转动杆，所述转动杆的外侧壁均匀设置有六个搅拌叶，所述搅拌叶的内部设置有出气孔；所述真空腔体的内部固定连接有支撑架，所述支撑架的内部设置有第一传动斜齿轮以及主动斜齿轮。本实用新型专利技术中，在第一进气管以及第二进气管中通入气体时，会推动曲状的搅拌叶转动，从而带动转动杆进行转动，搅拌叶能够使得混合气体之间的混合更加均匀，不需要外界提供能量，有效节约了能源。有效节约了能源。有效节约了能源。

【技术实现步骤摘要】
一种MOCVD工艺使用的真空反应腔体结构


[0001]本技术涉及MOCVD工艺
，尤其涉及一种MOCVD工艺使用的真空反应腔体结构。

技术介绍

[0002]MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、
Ⅵ
族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种
Ⅲ‑
V主族、
Ⅱ‑Ⅵ
副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。
[0003]在MOCVD中需要使用到真空反应腔体供不同气体之间进行反应，但是气体通入真空反应腔体之间的混合往往不均匀，从而影响了气体的反应效率。
[0004]因此，为解决上述技术问题，确有必要提供一种MOCVD工艺使用的真空反应腔体结构，以克服现有技术中的所述缺陷。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种MOCVD工艺使用的真空反应腔体结构。
[0006]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：包括真空腔体，所述真空腔体的左侧壁固定连接有第一进气管，所述真空腔体的右侧壁固定连接有第二进气管，所述真空腔体的下内壁设置有连接轴承，所述连接轴承的内部转动连接有转动杆，所述转动杆的外侧壁均匀设置有六个搅拌叶，所述搅拌叶的内部设置有出气孔；
[0007]所述真空腔体的内部固定连接有支撑架，所述支撑架的内部设置有第一传动斜齿轮以及主动斜齿轮，所述第一传动斜齿轮的中部固定连接有第一传动杆，所述第二传动斜齿轮的中部固定连接有第二传动杆。
[0008]作为上述技术方案的进一步描述：
[0009]所述真空腔体的前侧壁固定连接有出气管，所述出气管的内部设置有第三控制阀。
[0010]作为上述技术方案的进一步描述：
[0011]所述第一进气管的内部设置有第一控制阀，所述第一控制阀的右侧且位于第一进气管内部设置有第一单向阀。
[0012]作为上述技术方案的进一步描述：
[0013]所述第二进气管的内部设置有第二控制阀，所述第二控制阀的右侧且位于第二进气管内部设置有第二单向阀。
[0014]作为上述技术方案的进一步描述：
[0015]所述转动杆的上端与主动斜齿轮之间为固定连接。
[0016]作为上述技术方案的进一步描述：
[0017]所述第一传动斜齿轮与主动斜齿轮之间为啮合连接，所述第二传动斜齿轮与主动斜齿轮之间为啮合连接。
[0018]作为上述技术方案的进一步描述：
[0019]所述第一传动杆的外侧壁固定连接有第一混合叶。
[0020]作为上述技术方案的进一步描述：
[0021]所述第二传动杆的外侧壁固定连接有第二混合叶。
[0022]本技术具有如下有益效果：
[0023]1、与传统技术相比，该一种MOCVD工艺使用的真空反应腔体结构设置了搅拌叶以及转动杆，在第一进气管以及第二进气管中通入气体时，会推动曲状的搅拌叶转动，从而带动转动杆进行转动，搅拌叶能够使得混合气体之间的混合更加均匀，不需要外界提供能量，有效节约了能源。
[0024]2、与传统技术相比，该一种MOCVD工艺使用的真空反应腔体结构设置了第一混合叶、第二混合叶以及支撑架，转动杆能够通过斜齿轮带动第一混合叶以及第二混合叶转动，第一混合叶、第二混合叶在转动会将下层的气体吹向上侧，进而使得气体之间的反应时间更长，有效减少了未反应气体在腔体底部的堆积，能够有效提高气体反应效率。
附图说明
[0025]图1为本技术提出的一种MOCVD工艺使用的真空反应腔体结构的结构示意图；
[0026]图2为本技术提出的一种MOCVD工艺使用的真空反应腔体结构的剖视示意图；
[0027]图3为本技术提出的一种MOCVD工艺使用的真空反应腔体结构的内部示意图；
[0028]图4为本技术提出的一种MOCVD工艺使用的真空反应腔体结构的俯视示意图－。
[0029]图例说明：
[0030]1、真空腔体；2、第一进气管；201、第一控制阀；202、第一单向阀；3、第二进气管；301、第二控制阀；302、第二单向阀；4、出气管；401、第三控制阀；5、转动杆；501、搅拌叶；502、出气孔；503、连接轴承；504、主动斜齿轮；6、支撑架；7、第一传动斜齿轮；701、第一传动杆；702、第一混合叶；8、第二传动斜齿轮；801、第二传动杆；802、第二混合叶。
具体实施方式
[0031]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0032]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制；术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性，此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是
可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0033]参照图1
‑
4，本技术提供的一种实施例：包括真空腔体1，真空腔体1的左侧壁固定连接有第一进气管2，真空腔体1的右侧壁固定连接有第二进气管3，真空腔体1的前侧壁固定连接有出气管4，出气管4的内部设置有第三控制阀401，第一进气管2的内部设置有第一控制阀201，用于控制气管的连通与封闭，第一控制阀201的右侧且位于第一进气管2内部设置有第一单向阀202，用于控制气管的连通与封闭，防止腔内气体回流，第二进气管3的内部设置有第二控制阀301，用于控制气管的连通与封闭，第二控制阀301的右侧且位于第二进气管3内部设置有第二单向阀302，防止腔内气体回流。
[0034]真空腔体1的下内壁设置有连接轴承503，连接轴承503的内部转动连接有转动杆5，转动杆5的外侧壁均匀设置有六个搅拌叶501，搅拌叶501的内部设置有出气孔502。
[0035]真空腔体1的内部固定连接有支撑架6，支撑架6的内部设置有第一传动斜齿轮7、第二传动斜齿轮8以及主动斜齿轮504，第一传动斜齿轮7的中部固定连接有第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOCVD工艺使用的真空反应腔体结构，包括真空腔体(1)，其特征在于：所述真空腔体(1)的左侧壁固定连接有第一进气管(2)，所述真空腔体(1)的右侧壁固定连接有第二进气管(3)，所述真空腔体(1)的下内壁设置有连接轴承(503)，所述连接轴承(503)的内部转动连接有转动杆(5)，所述转动杆(5)的外侧壁均匀设置有六个搅拌叶(501)，所述搅拌叶(501)的内部设置有出气孔(502)；所述真空腔体(1)的内部固定连接有支撑架(6)，所述支撑架(6)的内部设置有第一传动斜齿轮(7)、第二传动斜齿轮(8)以及主动斜齿轮(504)，所述第一传动斜齿轮(7)的中部固定连接有第一传动杆(701)，所述第二传动斜齿轮(8)的中部固定连接有第二传动杆(801)。2.根据权利要求1所述的一种MOCVD工艺使用的真空反应腔体结构，其特征在于：所述真空腔体(1)的前侧壁固定连接有出气管(4)，所述出气管(4)的内部设置有第三控制阀(401)。3.根据权利要求1所述的一种MOCVD工艺使用的真空反应腔体结构，其特征在于：所述第一进气管(2)的内部设置有第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈凯辉，陈亮，
申请(专利权)人：申集半导体科技徐州有限公司，
类型：新型
国别省市：