【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光器件、发光装置、电子设备及照明装置
[0001]本专利技术的一个方式涉及一种发光器件、发光元件、显示模块、照明模块、显示装置、发光装置、电子设备及照明装置。注意,本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。或者,本专利技术的一个方式涉及一种程序(process)、机器(machine)、产品(manufacture) 或者组合物(composition of matter)。因此,更具体而言,作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的例子,可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、摄像装置、它们的驱动方法或者它们的制造方法。
技术介绍
[0002]使用有机化合物且利用电致发光(EL:Electroluminescence)的发光器件(有机EL元件)的实用化非常活跃。在这些发光器件的基本结构中,在一对电极之间夹有包含发光材料的有机化合物层(EL层)。通过对该元件施加电压,注入载流子,利用该载流子的复合能量,可以获得来自发光材料的发光。
[0003]因为这些发光器件是自发光型发光器件,所以当将该发光器件用于显示器的像素时比起液晶有可见度更高、不需要背光源等优势。因此,该发光器件适合于平板显示器用器件。另外,使用这些发光器件的显示器可以被制造成薄且轻,这也是极大的优点。再者,非常高速的响应也是该发光器件的特征之一。
[0004]此外,因为这些发光器件的发光层可以在二维上连续地形成 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光器件,包括:第一电极;第二电极;以及EL层,其中,所述EL层位于所述第一电极与所述第二电极之间,所述EL层包括发光层及电子传输层,所述电子传输层位于所述发光层与所述第二电极之间,所述电子传输层包含碱金属的有机金属配合物及具有电子传输性的有机化合物,所述有机金属配合物与所述有机化合物为形成激基复合物的组合,并且,将在所述有机金属配合物与所述有机化合物的质量比为1:1时形成的所述激基复合物的发射光谱的峰波长换算为能量的值(eV)比所述有机金属配合物的HOMO能级与所述有机化合物的LUMO能级之差(eV)小0.1eV以上。2.根据权利要求1所述的发光器件,其中将在所述有机金属配合物与所述有机化合物的质量比为1:1时形成的所述激基复合物的发射光谱的峰波长换算为能量的值(eV)比所述有机金属配合物的HOMO能级与所述有机化合物的LUMO能级之差(eV)小0.3eV以上。3.根据权利要求1所述的发光器件,其中将在所述有机金属配合物与所述有机化合物的质量比为1:1时形成的所述激基复合物的发射光谱的峰波长换算为能量的值(eV)比所述有机金属配合物的HOMO能级与所述有机化合物的LUMO能级之差(eV)小0.5eV以上。4.一种发光器件,包括:第一电极;第二电极;以及EL层,其中,所述EL层位于所述第一电极与所述第二电极之间,所述EL层包括发光层及电子传输层,所述电子传输层位于发光层与所述第二电极之间,所述电子传输层包含碱金属的有机金属配合物及具有电子传输性的有机化合物,所述有机金属配合物与所述有机化合物为形成激基复合物的组合,并且,在所述有机金属配合物与所述有机化合物的质量比为1:1时形成的所述激基复合物的发射光谱的峰波长为570nm以上。5.一种发光器件,包括:第一电极;第二电极;以及EL层,其中,所述EL层位于所述第一电极与所述第二电极之间,所述EL层包括发光层及电子传输层,所述电子传输层位于发光层与所述第二电极之间,所述电子传输层包含碱金属的有机金属配合物及具有电子传输性的有机化合物,
所述有机金属配合物与所述有机化合物为形成激基复合物的组合,并且,在所述有机金属配合物与所述有机化合物的质量比为1:1时形成的所述激基复合物的发射光谱的峰波长为570nm以上且小于610nm。6.一种发光器件,包括:第一电极;第二电极;以及EL层,其中,所述EL层位于所述第一电极与所述第二电极之间,所述EL层包括发光层及电子传输层,所述电子传输层位于发光层与所述第二电极之间,所述电子传输层包含碱金属的有机金属配合物及具有电子传输性的有机化合物,所述有机金属配合物与所述有机化合物为形成激基复合物的组合,并且,在所述有机金属配合物与所述有机化合物的质量比为1:1时形成的所述激基复合物的发射光谱的峰波长为610nm以上。7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件,其中所述碱金属的有机金属配合物为锂的有机金属配合物。8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光器件,其中所述碱金属的有机金属配合物包含具有羟基喹啉骨架的配体。9.根据权利要求1至8中任一项所述的发光器件,其中所述碱金属的有机金属配合物为8
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羟基喹啉
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锂或其衍生物。10.一种发光器件,包括:第一电极;第二电极;以及EL层,其中,所述E...
【专利技术属性】
技术研发人员:川上祥子,桥本直明,濑尾哲史,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:
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