透明导电层和透明导电性片制造技术

透明导电层(3)具备在厚度方向上彼此相对的第一主面(5)和第二主面(6)。透明导电层(3)具有：多个晶粒(4)；多个第一晶界(7)，其隔开多个晶粒(4)，且厚度方向的一端边缘(9)和另一端边缘(10)彼此分别在第一主面(5)和第二主面(6)中敞开；以及第二晶界(8)，其从一个第一晶界(7A)的第一中间部(11)分枝出来，并到达另一第一晶界(7B)的第二中间部(12)。透明导电层(3)含有原子序数比氩原子大的稀有气体原子。(3)含有原子序数比氩原子大的稀有气体原子。[转续页]

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】透明导电层和透明导电性片


[0001]本专利技术涉及透明导电层和透明导电性片。

技术介绍

[0002]以往，具备结晶质的透明导电层的透明导电性片是已知的。
[0003]例如，提出了一种透光性导电薄膜，其具备具有多个晶粒的透光性导电层(例如参照下述专利文献1)。
[0004]构成专利文献1中记载的透光性导电层的第二无机氧化物层存在将上述多个晶粒隔开的晶界。具体而言，这种晶界没有分枝，从第二无机氧化物层的上表面朝着下表面贯通。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2018
‑
41059号公报

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的问题
[0009]近年来，对触摸面板、太阳能电池和调光元件中使用的透光性导电层要求耐透湿性。
[0010]专利文献1的第二无机氧化物层中，晶界没有分枝，从第二无机氧化物层的上表面朝着下表面贯通。若水接触这种第二无机氧化物层的上表面，则对于第二无机氧化物层而言，由于晶界没有分枝，因此，水从第二无机氧化物层的上表面到达下表面的路径变短。因此，存在耐透湿性差的不良情况。
[0011]另外，对这种透光性导电层要求低电阻。
[0012]本专利技术提供电阻低且耐透湿性优异的透明导电层、以及透明导电性片。
[0013]用于解决问题的方案
[0014]本专利技术[1]是一种透明导电层，其具备在厚度方向上彼此相对的第一主面和第二主面，所述透明导电层具有：多个晶粒；多个第一晶界，其隔开前述多个晶粒，且厚度方向的一端边缘和另一端边缘彼此分别在前述第一主面和前述第二主面中敞开；以及第二晶界，其从一个前述第一晶界的厚度方向中间部分枝出来，并到达与前述一个第一晶界邻接的另一前述第一晶界的厚度方向中间部，所述透明导电层含有原子序数比氩原子大的稀有气体原子。
[0015]本专利技术[2]包括：根据上述[1]所述的透明导电层，其包含区域，所述区域是在与前述厚度方向正交的面方向上延伸的单一层。
[0016]本专利技术[3]包括：根据上述[1]或[2]所述的透明导电层，其中，前述第二晶界具有顶点，所述顶点在剖视时位于与将一个前述第一晶界的厚度方向中间部与另一前述第一晶界的厚度方向中间部连结得到的线段相距5nm以上的位置。
[0017]本专利技术[4]包括：根据[1]～[3]中任一项所述的透明导电层，其中，材料为含锡的氧化物。
[0018]本专利技术[5]包括：根据[1]～[4]中任一项所述的透明导电层，其厚度为100nm以上。
[0019]本专利技术[6]包括：一种透明导电性片，其具备：[1]～[5]中任一项所述的透明导电层；以及基材层，其位于前述透明导电层的前述第二主面侧。
[0020]专利技术的效果
[0021]本专利技术的透明导电层具有从一个第一晶界的厚度方向中间部分枝出来，并到达与一个第一晶界邻接的另一第一晶界的厚度方向中间部的第二晶界。因此，即便第二主面与水接触，也能够确保水从第二主面到达第一主面的路径较长。其结果，透明导电层的耐透湿性优异。
[0022]另外，该透明导电层包含原子序数比氩原子大的稀有气体原子。详细而言，利用溅射法来制造透明导电层时，源自溅射气体的原子会进入至透明导电层中。这种源自溅射气体的原子会阻碍透明导电层的结晶化。其结果，透明导电层的电阻率变高。
[0023]另一方面，该透明导电层是使用原子序数比氩原子大的稀有气体作为溅射气体而得到的。原子序数比氩原子大的稀有气体的原子量大，因此，能够抑制源自原子序数比氩原子大的稀有气体的原子进入至透明导电层中。换言之，该透明导电层虽然包含源自原子序数比氩原子大的稀有气体的原子，但如上所述，其量受到抑制。因此，利用源自原子序数比氩原子大的稀有气体的原子，能够抑制透明导电层的结晶化受到妨碍。其结果，能够降低透明导电层的电阻率。
[0024]本专利技术的透明导电性片具备本专利技术的透明导电层。因此，电阻低且耐透湿性优异。
附图说明
[0025]图1是表示本专利技术的透明导电层和透明导电性片的一个实施方式的示意图。
[0026]图2表示图1所示的透明导电性片中的透明导电层的剖视图。
[0027]图3是表示本专利技术的透明导电层和透明导电性片的制造方法的一个实施方式的示意图。图3的A表示在第一工序中准备透明基材的工序。图3的B表示在第一工序中在透明基材的厚度方向的一个面配置硬涂层的工序。图3的C表示在基材层的厚度方向的一个面配置透明导电层的第二工序。图3的D表示将透明导电层加热的第三工序。
[0028]图4是表示非晶性的透明导电层的电阻率与氧气导入量的关系的图。
[0029]图5表示本专利技术的透明导电层的变形例(第二晶界不具有顶点的变形例)的示意图。
[0030]图6表示本专利技术的透明导电层的变形例(具备在厚度方向上排列的多个第二晶界的变形例)的示意图。
[0031]图7表示本专利技术的透明导电性片的变形例(具备不含第一稀有气体原子的透明导电层的变形例)的示意图。
具体实施方式
[0032]参照图1和图2来说明本专利技术的透明导电层和透明导电性片的一个实施方式。需要说明的是，在图2中明确地示出多个晶粒4(后述)，另外，为了将第一晶界7(后述)和第二晶
界8(后述)与引出线和假想线段(点划线)加以区分，用深浅互不相同的灰色来描画多个晶粒4。
[0033]<透明导电性片>
[0034]如图1所示那样，该透明导电性片1具有规定厚度，且具有沿着与厚度方向正交的面方向延伸的片形状。该透明导电性片1朝着厚度方向的一面侧依次具备基材层2和透明导电层3。具体而言，透明导电性片1具备基材层2和透明导电层3，所述透明导电层3配置在基材层2的厚度方向的一个面上。
[0035]<基材层>
[0036]基材层2是用于确保透明导电性片1的机械强度的透明基材。基材层2沿着面方向延伸。基材层2具有基材第一主面21和基材第二主面22。基材第一主面21为平坦面。基材第二主面22相对于基材第一主面21隔开间隔地相对配置在厚度方向的另一面侧。需要说明的是，基材层2位于透明导电层3的第二主面6(后述)侧。基材第二主面22与基材第一主面21平行。
[0037]需要说明的是，平坦面不限定于基材层2的第一主面21与基材层2的第二主面22大致平行的平面。例如，无法观察到的程度的微细凹凸、波纹是可接受的。
[0038]基材层2具备透明基材41和功能层42。
[0039]具体而言，基材层2朝着厚度方向的一面侧依次具备透明基材41和功能层42。具体而言，基材层2具备透明基材41和功能层42，所述功能层42配置在透明基材41的厚度方向的一个面上。
[0040]<透明基材>
[0041]透明基材41具有薄膜形状。
[0042]作为透明基材41的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种透明导电层，其具备在厚度方向上彼此相对的第一主面和第二主面，所述透明导电层具有：多个晶粒；多个第一晶界，其隔开所述多个晶粒，且厚度方向的一端边缘和另一端边缘彼此分别在所述第一主面和所述第二主面中敞开；以及第二晶界，其从一个所述第一晶界的厚度方向中间部分枝出来，并到达与所述一个第一晶界邻接的另一所述第一晶界的厚度方向中间部，所述透明导电层含有原子序数比氩原子大的稀有气体原子。2.根据权利要求1所述的透明导电层，其包含区域，所述区域是在与所述厚度方向正交的面方向上延伸的...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤野望，鸦田泰介，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：