透明导电层和透明导电性薄膜制造技术

透明导电层1包含氪原子。(440)面的X射线衍射的峰的积分强度相对于(222)面的X射线衍射的峰的积分强度之比为0.130以上。射的峰的积分强度之比为0.130以上。射的峰的积分强度之比为0.130以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】透明导电层和透明导电性薄膜


[0001]本专利技术涉及透明导电层和透明导电性薄膜。详细而言，涉及透明导电层和具备该透明导电层的透明导电性薄膜。

技术介绍

[0002]已知透明导电性薄膜等光学薄膜被用于触摸面板等光学用途。
[0003]作为这种透明导电性薄膜，提出了依次具备有机高分子薄膜基材和透明导电膜的透明导电性薄膜(例如参照专利文献1)。
[0004]另外，这种透明导电性薄膜是通过利用溅射且在氩气的存在下在有机高分子薄膜基材的表面成膜出透明导电膜而得到的。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2014
‑
157814号公报

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的问题
[0009]另一方面，要求与专利文献1的透明导电膜相比为高透射率和低电阻率。
[0010]本专利技术提供一种透射率高且电阻率低的透明导电层、以及具备该透明导电层的透明导电性薄膜。
[0011]用于解决问题的方案
[0012]本专利技术[1]是一种透明导电层，其包含氪原子，所述透明导电层的(440)面的X射线衍射的峰的积分强度相对于(222)面的X射线衍射的峰的积分强度之比为0.130以上。
[0013]本专利技术[2]包括上述[1]所述的透明导电层，其包含铟锡复合氧化物。
[0014]本专利技术[3]包括上述[1]或[2]所述的透明导电层，其电阻率小于2.3
×
10<br/>‑4Ω
·
cm。
[0015]本专利技术[4]包括上述[1]～[3]中任一项所述的透明导电层，其具有图案形状。
[0016]本专利技术[5]包括一种透明导电性薄膜，其朝着厚度方向的一面侧依次具备基材层和上述[1]～[4]中任一项所述的透明导电层。
[0017]专利技术的效果
[0018]本专利技术的透明导电层包含氪原子，且(440)面的X射线衍射的峰的积分强度相对于(222)面的X射线衍射的峰的积分强度之比为0.130以上。因此，能够提高透射率，且能够降低电阻率。
[0019]本专利技术的透明导电性薄膜具备本专利技术的透明导电层。因此，能够提高透射率，且能够降低电阻率。
附图说明
[0020]图1是表示本专利技术的透明导电层的第一实施方式的示意图。
[0021]图2是表示本专利技术的透明导电性薄膜的第一实施方式的示意图。
[0022]图3是表示本专利技术的透明导电层和透明导电性薄膜的制造方法的第一实施方式的示意图。图3的A表示在第一工序中准备透明基材的工序。图3的B表示在第一工序中朝着透明基材的厚度方向的一个面配置硬涂层的工序。图3的C表示在第二工序中朝着基材层的厚度方向的一个面配置含氪透明导电层的第四工序。图3的D表示在第二工序中朝着含氪透明导电层的厚度方向的一个面配置含氩透明导电层的第五工序。图3的E表示将透明导电层加热的第三工序。
[0023]图4是表示非晶性的透明导电层的电阻率与氧导入量的关系的图。
[0024]图5是表示本专利技术的透明导电层的第二实施方式的示意图。
[0025]图6是表示本专利技术的透明导电性薄膜的第二实施方式的示意图。
[0026]图7是表示本专利技术的透明导电层和透明导电性薄膜的制造方法的第二实施方式的示意图。图7的A表示准备基材层的第一工序。图7的B表示朝着基材层的厚度方向的一个面配置透明导电层的第二工序。图7的C表示将透明导电层加热的第三工序。
[0027]图8是表示带有透明导电性薄膜的物品的一个实施方式的示意图。
[0028]图9是表示带有透明导电层的物品的一个实施方式的示意图。
具体实施方式
[0029]&lt;透明导电层&gt;
[0030]透明导电层1呈现具有规定厚度的薄膜形状(包括片状)。透明导电层1沿着与厚度方向正交的面方向延伸。透明导电层1具有平坦的上表面和平坦的下表面。
[0031]透明导电层1是表现出优异导电性的透明层。透明导电层1包含结晶质，优选由结晶质形成。
[0032]透明导电层1包含氪原子。换言之，透明导电层1具备包含氪原子的含氪透明导电层10(有时称为KrITO)。
[0033]另外，透明导电层1也可以在具备含氪透明导电层10的同时，还具备不含氪原子的不含氪透明导电层11。
[0034]以下，针对透明导电层1依次具备含氪透明导电层10和不含氪透明导电层11的第一实施方式、以及透明导电层1由含氪透明导电层10形成的第二实施方式，依次进行说明。
[0035]1.第一实施方式
[0036]如图1所示那样，透明导电层1依次具备含氪透明导电层10和不含氪透明导电层11。更具体而言，透明导电层1具备含氪透明导电层10、以及配置在含氪透明导电层10的上表面(厚度方向的一个面)上的不含氪透明导电层11。透明导电层1优选仅具备含氪透明导电层10和不含氪透明导电层11。
[0037]含氪透明导电层10包含金属氧化物和微量的氪原子。含氪透明导电层10优选由金属氧化物和微量的氪原子形成。具体而言，在含氪透明导电层10中，在金属氧化物基质中存在微量的氪原子。
[0038]作为金属氧化物，为例如选自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd和W组成的组中的至少1种金属和/或半金属的氧化物。作为金属氧化物，具体而言，可列举出含铟氧化物和含锑氧化物。作为含铟氧化物，可列举出例如铟锡复合氧化物(ITO)、铟镓
复合氧化物(IGO)、铟锌复合氧化物(IZO)和铟镓锌复合氧化物(IGZO)。作为含锑氧化物，可列举出例如锑锡复合氧化物(ATO)。
[0039]作为金属氧化物，可优选列举出含铟氧化物，可更优选列举出铟锡复合氧化物(ITO)。换言之，含氪透明导电层10(透明导电层1)优选包含铟锡复合氧化物(ITO)。如果含氪透明导电层10(透明导电层1)包含铟锡复合氧化物(ITO)，则能够降低透明导电层1的电阻率。
[0040]金属氧化物为铟锡复合氧化物(ITO)时，氧化锡的含有比例相对于氧化锡和氧化铟的总计量例如为0.5质量％以上、优选为3质量％以上、更优选为5质量％以上、进一步优选为8质量％以上、尤其优选为9质量％以上，另外，例如为20质量％以下、优选为15质量％以下、更优选为12质量％以下。
[0041]如果氧化锡的含有比例为上述下限以上，则会促进低电阻化。如果氧化锡的含有比例为上述上限以下，则含氪透明导电层10的加热稳定性优异。
[0042]另外，含氪透明导电层10包含氪原子。
[0043]氪原子源自作为后述溅射气体的氪气。换言之，详见后述，在溅射法中，作为溅射气体的氪气会进入至含氪透明导电层10中。
[0044]含氪透明导电层10中的氪原子的含量例如为1.0原子％以下、更优选为0.7原子％以下、进一步优选为0.5原子％以下、尤其优选为0本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种透明导电层，其包含氪原子，所述透明导电层的(440)面的X射线衍射的峰的积分强度相对于(222)面的X射线衍射的峰的积分强度之比为0.130以上。2.根据权利要求1所述的透明导电层，其包含铟锡复合氧化物。3.根据权利要求1或2所述的透明导电层，其电阻率小于2.3...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤野望，鸦田泰介，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：