半导体装置具备第一、第二开关元件、第一、第二导电部件以及电容器。上述第一开关元件具有在第一方向上朝向相反侧的第一元件主面以及第一元件背面。上述第二开关元件具有在上述第一方向上朝向相反侧的第二元件主面以及第二元件背面。上述第一、第二导电部件在与上述第一方向正交的第二方向上相互隔离。上述电容器具有第一连接端子以及第二连接端子。上述第一开关元件与上述第二开关元件串联地连接而构成电桥。上述第一连接端子与上述第二连接端子分别电连接于上述电桥的两端。上述电容器以及上述第一开关元件搭载于上述第一导电部件，上述第二开关元件搭载于上述第二导电部件。上述第二开关元件搭载于上述第二导电部件。上述第二开关元件搭载于上述第二导电部件。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
[0001]本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
[0002]一直以来，已知具备MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等的电力用开关元件的半导体装置。例如，专利文献1中公开了具备串联连接的两个开关元件的半导体装置。这样的半导体装置实际安装于例如电子设备的电路基板，使用于电源电路(例如DC/DC变频器、逆变器)、电机驱动电路等。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2009
‑
158787号公报
技术实现思路
[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]近年来，伴随电子设备的节能化、高性能化，半导体装置谋求消耗电力的降低、开关动作应答性的提高。为了实现消耗电力的降低、提高开关动作应答性，降低电感是有效的。电感的降低有助于降低施加于开关元件的脉冲电压。
[0008]鉴于上述情况，本专利技术的目的在于提供一种实现了降低施加于开关元件的脉冲电压的半导体装置。
[0009]用于解决课题的方案
[0010]由本专利技术提供的半导体装置具备具有在第一方向上朝向相反侧的第一元件主面以及第一元件背面的第一开关元件、具有在上述第一方向上朝向相反侧的第二元件主面以及第二元件背面的第二开关元件、在与上述第一方向正交的第二方向上相互隔离的第一导电部件以及第二导电部件、具有第一连接端子以及第二连接端子的电容器。上述第一开关元件与上述第二开关元件串联地连接而构成电桥。上述第一连接端子与上述第二连接端子分别电连接于上述电桥的两端。上述电容器以及上述开关元件搭载于上述第一导电部件，上述第二开关元件搭载于上述第二导电部件。
[0011]专利技术效果
[0012]根据上述结构，能够降低施加于开关元件(第一开关元件以及第二开关元件)的脉冲电压。
附图说明
[0013]图1是表示涉及第一实施方式的半导体装置的立体图。
[0014]图2是在图1的半导体装置中省略树脂部件的图。
[0015]图3是表示第一实施方式的半导体装置的俯视图。
[0016]图4是在图3的俯视图中用假想线表示树脂部件的图。
[0017]图5是在图4的俯视图中用假想线表示两个输入端子以及输出端子的图。
[0018]图6是将图5的一部分放大的图。
[0019]图7是表示第一实施方式的半导体装置的主视图。
[0020]图8是表示第一实施方式的半导体装置的仰视图。
[0021]图9是表示第一实施方式的半导体装置的左侧视图。
[0022]图10是沿图4的X
‑
X线的剖视图。
[0023]图11是将图10的一部分放大的剖视图。
[0024]图12是表示信号基板(电容器内置基板)的立体图。
[0025]图13是表示信号基板(电容器内置基板)的俯视图。
[0026]图14是表示信号基板(电容器内置基板)的仰视图。
[0027]图15是沿图13的XV
‑
XV线的剖视图。
[0028]图16是表示信号基板中的导体层的俯视图。
[0029]图17是表示信号基板中的电介质层的俯视图。
[0030]图18是表示信号基板中的导体层的俯视图。
[0031]图19是表示涉及第二实施方式的半导体装置的俯视图，是用假想线表示两个输入端子、输出端子以及树脂部件的图。
[0032]图20是表示第二实施方式的半导体装置的剖视图。
[0033]图21是表示涉及变形例的半导体装置的俯视图。
[0034]图22是表示变形例的半导体装置的剖视图。
[0035]图23是表示变形例的半导体装置的剖视图。
[0036]图24是表示变形例的信号基板(电容器内置基板)的剖视图。
[0037]图25是表示变形例的信号基板(电容器内置基板)的俯视图。
[0038]图26是表示变形例的导体层的俯视图。
[0039]图27是表示变形例的导体层的俯视图。
[0040]图28是表示变形例的信号基板(电容器内置基板)的俯视图。
[0041]图29是表示图28所示的信号基板中的导体层的俯视图。
[0042]图30是表示图28所示的信号基板中的导体层的俯视图。
[0043]图31是表示涉及变形例的信号基板(电容器内置基板)的剖视图。
[0044]图32是表示涉及变形例的信号基板(电容器内置基板)的剖视图。
具体实施方式
[0045]关于本专利技术的半导体装置所优选的实施方式，以下参照附图进行说明。在以下的说明中，关于同一或类似的构成元件标注相同的符号，省略重复的说明。
[0046]图1～图14表示涉及第一实施方式的半导体装置A1。半导体装置A1具备多个开关元件10、支撑基板20、一对信号基板30A、30B、两个输入端子41、42、输出端子43、多个信号端子44A～47A、44B～47B、多个连接部件50以及树脂部件60。
[0047]图1是表示半导体装置A1的立体图。图2是在图1的立体图中省略树脂部件60的图。图3是表示半导体装置A1的俯视图。图4是在图3的俯视图中用假想线(双点划线)表示树脂
部件60的图。图5是在图4的俯视图中用假想线表示两个输入端子41、42以及输出端子的图。图6是将图5的一部分放大的局部放大图。图7是表示半导体装置A1的主视图。图8是表示半导体装置A1的仰视图。图9是表示半导体装置A1的侧视图(左侧视图)。图10是沿图4的X
‑
X线的剖视图。图11是将图10的一部分放大的主要部分放大剖视图。在图11中，省略连接部件50。图12是表示信号基板30A的立体图。图13是表示信号基板30A的俯视图。图14是表示信号基板30A的仰视图。
[0048]为了便于说明，适当地参照相互正交的三个方向、即x方向、y方向、z方向。z方向是半导体装置A1的厚度方向。x方向是半导体装置A1的俯视图(参照图3)中的左右方向。y方向是半导体装置A1的俯视图(参照图3)中的上下方向。将x方向的一个方向作为x1方向、将x方向的另一个方向作为x2方向。同样，将y方向的一个方向作为y1方向、将y方向的另一个方向作为y2方向、将z方向的一个方向作为z1方向、将z方向的另一个方向作为z2方向。在以下的说明中，“俯视”是指沿z方向观察。z方向是“第一方向”的一例，x方向是“第二方向”的一例。
[0049]多个开关元件10分别使用如主要含有SiC(碳化硅)的半导体材料而构成。该半导体材料并不限于SiC，可以是Si(硅)、GaAs(砷化镓)或GaN(氮化镓)等。优选使用宽带隙半导体材料。各开关元件10例如是MOSFET。各开关元件10并不限于MOSFET，可以是本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具备：具有在第一方向上朝向相反侧的第一元件主面以及第一元件背面的第一开关元件；具有在上述第一方向上朝向相反侧的第二元件主面以及第二元件背面的第二开关元件；在与上述第一方向正交的第二方向上相互隔离的第一导电部件以及第二导电部件；以及具有第一连接端子以及第二连接端子的电容器，上述第一开关元件与上述第二开关元件串联地连接而构成电桥，上述第一连接端子与上述第二连接端子分别电连接于上述电桥的两端，上述电容器以及上述第一开关元件搭载于上述第一导电部件，上述第二开关元件搭载于上述第二导电部件。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述电容器具有在上述第一方向上隔离的电容器主面以及电容器背面，上述第一连接端子包括形成于上述电容器主面的一部分的主面电极部，上述第二连接端子包括形成于上述电容器背面的一部分的背面电极部。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，上述电容器还具有在与上述第一方向正交的正交方向上相互隔离的第一电容器侧面以及第二电容器侧面，上述第一电容器侧面以及上述第二电容器侧面分别连接于上述电容器主面以及上述电容器背面，上述第一连接端子还包括连接于上述主面电极部且形成于上述第一电容器侧面的一部分的第一侧面电极部，上述第二连接端子还包括连接于上述背面电极部且形成于上述第二电容器侧面的一部分的第二侧面电极部。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，上述正交方向与上述第二方向一致。5.根据权利要求3或4所述的半导体装置，其特征在于，上述电容器形成有使上述第一侧面电极部与上述第一导电部件绝缘的绝缘膜。6.根据权利要求3或4所述的半导体装置，其特征在于，上述第一导电部件具有在上述第一方向上朝向与上述电容器主面相同方向的导电部件主面，在上述第一方向上观察，在上述导电部件主面上形成有包括上述第一侧面电极部的开口部。7.根据权利要求3～6任一项所述的半导体装置，其特征在于，上述电容器包括在上述第一方向上层叠的多个第一导体层、多个第二导体层以及多个电介质层，上述多个第一导体层连接于上述第一侧面电极部，上述多个第二导体层连接于上述第二侧面电极部，
上述多个电介质层的各个被夹持在上述多个第一导体层中的一个第一导电体层与上述多个第二导体层中的一个第二导电体层之间。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，上述电容器包括在上述第一方向上层叠的多个绝缘体层，上述多个绝缘体层包括第一绝缘体层和第二绝缘体层，上述第一绝缘体层在沿上述第一方向邻接的两个...
【专利技术属性】
技术研发人员：大河内裕太，金武康雄，宫崎达也，大塚拓一，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。