光掩模坯料和光掩模制造技术

本发明专利技术提供一种光掩模坯料，其具有透明基板、以及配置于上述透明基板的一个面且包含铬系材料的遮光膜，上述遮光膜的薄层电阻为103Ω/

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光掩模坯料和光掩模


[0001]本专利技术涉及光掩模坯料和光掩模。

技术介绍

[0002]光刻技术在半导体装置、显示装置等的制造中被广泛使用。对于在光刻中使用的光掩模而言，静电破坏(也称为放电破坏。)成为问题。
[0003]作为静电破坏的对策，提出了例如在透明基板上具有遮光图案的光掩模中，在透明基板与遮光图案之间形成导电层的方法。在该方法中，通过导电层减少相邻遮光图案间的电位差，从而能够抑制静电破坏。例如，专利文献1公开了一种光掩模坯料，其包含：透光性基板、在上述透光性基板上形成的非晶硅膜、在上述非晶硅膜上形成的由金属硅化物构成的导电层、以及在上述导电层上形成的遮光性金属层。另外，专利文献2公开了一种光掩模用基板，其具有玻璃基板，且在上述玻璃基板中，从形成有遮光膜的成膜面起直到上述玻璃基板的厚度方向上的规定深度为止形成了含杂质层，上述含杂质层含有碱金属并具有导电性。
[0004]另外，专利文献3提出了一种光掩模，其通过由对转印时的曝光光具有遮光性的遮光性膜构成的多个图形图案而在透明基板的一面形成了图样部，在相邻的2个图形图案靠近的部位，为了防止该靠近的部位处的放电所造成的两图形图案的放电破坏，配置了由对转印时的曝光光具有半透过性的第1半色调膜构成、且在转印时实质上不析象的线宽的、将上述两图形图案电连接的连接线部。在该方法中，通过连接线部减少相邻的遮光图案间的电位差，从而能够抑制静电破坏。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开昭61r/>‑
11749号公报
[0008]专利文献2：日本特开2014
‑
21431号公报
[0009]专利文献3：日本特开2009
‑
122295号公报

技术实现思路

[0010]专利技术要解决的课题
[0011]然而，例如如专利文献1～3中记载的那样，在光掩模中形成导电层、连接线部的情况下，光掩模的制造工序有可能变得繁杂且高成本。
[0012]本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其主要目的在于提供能够抑制静电破坏的光掩模坯料和光掩模。
[0013]用于解决课题的手段
[0014]为了解决上述课题，本专利技术提供一种光掩模坯料，其具有透明基板、以及配置于上述透明基板的一个面且包含铬系材料的遮光膜，上述遮光膜的薄层电阻(日文：
シート
抵抗)为103Ω/
□
以上且107Ω/
□
以下。
[0015]在本专利技术的光掩模坯料中，优选上述遮光膜从上述透明基板侧起依次具有遮光层和低反射层。
[0016]在本专利技术的光掩模坯料中，优选上述遮光层的厚度为100nm以上且200nm以下。
[0017]在本专利技术的光掩模坯料中，优选上述遮光层包含含氧的上述铬系材料。
[0018]在本专利技术的光掩模坯料中，优选上述遮光膜的厚度为140nm以上且280nm以下。
[0019]另外，在本专利技术中，提供一种光掩模，其具有透明基板、以及配置于上述透明基板的一个面且包含铬系材料的遮光图案，上述遮光图案的薄层电阻为103Ω/
□
以上且107Ω/
□
以下。
[0020]在本专利技术的光掩模中，优选上述遮光图案从上述透明基板侧起依次具有遮光层和低反射层。
[0021]在本专利技术的光掩模中，优选上述遮光层的厚度为100nm以上且200nm以下。
[0022]在本专利技术的光掩模中，优选上述遮光层包含含氧的上述铬系材料。
[0023]在本专利技术的光掩模中，优选上述遮光图案的厚度为140nm以上且280nm以下。
[0024]专利技术效果
[0025]在本专利技术中，起到可以提供能够抑制静电破坏的光掩模坯料和光掩模的效果。
附图说明
[0026][图1]为例示本专利技术的光掩模坯料的概略截面图。
[0027][图2]为例示本专利技术的光掩模坯料的概略截面图。
[0028][图3]为例示本专利技术的光掩模的概略截面图。
[0029][图4]为例示本专利技术的光掩模的概略截面图。
[0030][图5]为表示实施例和比较例的光掩模的概略平面图。
具体实施方式
[0031]在下文中，参照附图等对本专利技术的实施方式进行说明。但是，本专利技术能够以许多不同的样式进行实施，并不被解释为限定于下述例示的实施方式的记载内容。另外，为了使说明更加明确，相比于实际的方式，附图有时会示意性地表示各部分的宽度、厚度、形状等，但这只是一例，并不对本专利技术的解释进行限定。另外，在本说明书和各图中，对于与关于已经出现的图而叙述过的要素相同的要素，有时赋予同一符号并适当省略详细说明。
[0032]本说明书中，在表现在某构件之上配置其他构件的方式时，在仅记为“上”或“下”的情况下，只要没有特别说明，则设为包括：以与某构件接触的方式在正上方或正下方配置其他构件的情况、和在某构件的上方或下方还隔着另外的构件而配置其他构件的情况这两者。另外，本说明书中，在表现在某构件的面配置其他构件的方式时，在仅记为“面”的情况下，只要没有特别说明，则设为包括：以与某构件接触的方式在正上方或正下方配置其他构件的情况、和在某构件的上方或下方还隔着另外的构件而配置其他构件的情况这两者。
[0033]以下，对本专利技术的光掩模坯料和光掩模进行详细说明。
[0034]A.光掩模坯料
[0035]本专利技术的光掩模坯料是具有透明基板、以及配置于上述透明基板的一个面且包含铬系材料的遮光膜的光掩模坯料，上述遮光膜的薄层电阻为103Ω/
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以上且107Ω/
□
以下。
[0036]图1是例示本专利技术的光掩模坯料的概略截面图。如图1所示，光掩模坯料1具有透明基板2、以及配置于透明基板2的一个面且包含铬系材料的遮光膜3。该遮光膜3的薄层电阻为规定的范围内。在图1所示的例子中，遮光膜3从透明基板2侧起依次具有遮光层3a和低反射层3b，但并不限于此。
[0037]在此，薄层电阻表示薄膜的电阻，例如，如果遮光膜的薄层电阻高，则可以说遮光膜的电阻高。
[0038]根据本专利技术，遮光膜的薄层电阻高至上述范围内，因而在使用本专利技术的光掩模坯料制造在透明基板的个面具有遮光图案的光掩模的情况下，光掩模中所带的静电发生放电时，能够减小流过遮光图案的电流。然后，能够减少由放电电流产生的热。其结果，可以抑制静电破坏。
[0039]另外，根据本专利技术，能够通过例如调整包含铬系材料的遮光膜的组成来调整遮光膜的薄层电阻，因此，使用本专利技术的光掩模坯料可以通过简易的工序制造光掩模而不需要繁杂的工序。
[0040]以下，对本专利技术的光掩模坯料中的各构成进行说明。
[0041]1.遮光膜
[0042]本专利技术的遮光膜是配置于透明基板的一个面、且包含铬系材料的构件，其薄层电阻为规定的范围内。
[0043]上述遮光膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光掩模坯料，其具有透明基板、以及配置于所述透明基板的一个面且包含铬系材料的遮光膜，所述遮光膜的薄层电阻为103Ω/
□
以上且107Ω/
□
以下。2.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中，所述遮光膜从所述透明基板侧起依次具有遮光层和低反射层。3.根据权利要求2所述的光掩模坯料，其中，所述遮光层的厚度为100nm以上且200nm以下。4.根据权利要求2或3所述的光掩模坯料，其中，所述遮光层包含含氧的所述铬系材料。5.根据权利要求1至4中任一项所述的光掩模坯料，其中，所述遮光膜的厚度为140nm以上且280nm以下。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：浴冈秀明，三好建也，今野冬木，
申请(专利权)人：大日本印刷株式会社，
类型：发明
国别省市：