一种智能温度采集系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种智能温度采集系统，包括单片机控制模块、断电重启模块、电源模块和温度采集模块；其中，所述单片机控制模块分别与所述断电重启模块、电源模块和温度采集模块连接，所述电源模块还分别与所述温度采集模块和断电重启模块连接。本实用新型专利技术的一种智能温度采集系统通过断电重启模块控制，可以对单片机控制模块完全断电重启，从而减少人员的操作，为系统部署在恶劣环境中提供保障。本实用新型专利技术的智能温度采集系统具有小型化的特定，便于安装固定于目标环境工作。于安装固定于目标环境工作。于安装固定于目标环境工作。

【技术实现步骤摘要】
一种智能温度采集系统


[0001]本技术属于环境监测领域，具体涉及一种智能温度采集系统。

技术介绍

[0002]近年温度检测校准服务行业深度和广度有较大发展，各行业用户精密温度检测校准需求也日益增长。但是在许多服务场景下，现有服务手段会遇到瓶颈。在对数据实时性要求高、设置于无人值守的地区、检测时间长、距离远、现场环境恶劣的情况下，现场环境中的温度采集系统需要长时间不断电运行，容易引发温度采集系统故障，而且现有的硬件断电复位不能控制温度采集系统关键的CPU断电，从而发生工作异常的状况。

技术实现思路

[0003]针对现有技术中的上述不足，本技术提供的一种智能温度采集系统解决了温度采集系统不能智能断电重启导致工作异常的问题。
[0004]为了达到上述专利技术目的，本技术采用的技术方案为：一种智能温度采集系统，包括单片机控制模块、断电重启模块、电源模块和温度采集模块；
[0005]其中，所述单片机控制模块分别与所述断电重启模块、电源模块和温度采集模块连接，所述电源模块还分别与所述温度采集模块和断电重启模块连接。
[0006]进一步地：所述单片机控制模块包括单片机芯片U1、晶振Y1、电阻R1、接地电容C1和接地电容C2；
[0007]其中，所述单片机芯片U1的18号引脚分别与所述电阻R1的一端、接地电容C1和晶振Y1的一端连接，所述单片机芯片U1的19号引脚分别与所述电阻 R1的另一端、接地电容C2和晶振Y1的另一端连接；所述单片机芯片U1的20 号引脚接地。
[0008]进一步地：所述单片机芯片U1的型号具体为AT89C55WD。
[0009]进一步地：所述温度采集模块包括温度传感器芯片U2和电阻R2；
[0010]其中、所述温度传感器芯片U2的1号引脚接地，所述温度传感器芯片U2 的2号引脚分别与所述电阻R2的一端和单片机芯片U1的5号引脚连接，所述温度传感器芯片U2的3号引脚与所述电阻R2的另一端连接。
[0011]进一步地：所述温度传感器芯片U2的型号具体为DS18B20。
[0012]进一步地：所述断电重启模块包括PMOS场效应管Q1、振荡器芯片U3、插座J1、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、接地电阻 R9、电容C3、接地电容C4、接地电容C5、接地电容C6、接地电容C7、接地电容C8、接地电容C9、接地电容C10、接地电容C11、接地电容C12；
[0013]其中，所述电容C3的一端与所述单片机芯片U1的9号引脚连接，所述电容C3的另一端分别与所述电阻R8的一端，接地电阻R9、接地电容C4和电阻 R3的一端连接，所述电阻R3的另一端分别与所述插座J1的2号引脚和振荡器芯片U3的2号引脚连接，所述插座J1的1号引脚接地，所述电阻R8的另一端分别与所述电阻R4的一端、振荡器芯片U3的4号引脚、振荡
器芯片U3的8 号引脚和接地电容C7连接，所述振荡器芯片U3的6号引脚分别与所述振荡器芯片U3的7号引脚、电阻R4的另一端和接地电容C5连接，所述振荡器芯片 U3的1号引脚接地，所述振荡器芯片U3的5号引脚与所述接地电容C6连接；
[0014]所述振荡器芯片U3的3号引脚分别与所述接地电容C8和电阻R5的一端连接，所述电阻R5的另一端分别与所述电阻R6的一端、接地电容C9和PMOS 场效应管Q1的栅极连接，所述电阻R6的另一端分别与所述电阻R7的一端和 PMOS场效应管Q1的源极连接，所述电阻R7的另一端分别与所述PMOS场效应管Q1的漏极、接地电容C10、接地电容C11和接地电容C12连接。
[0015]上述进一步方案的有益效果为：当需要进行断电重启时，通过单片机芯片 U1向电容C3中输入一个脉冲下降沿，控制PMOS场效应管Q1关闭，从而控制电源模块关闭设定时间再开启。
[0016]进一步地：所述振荡器芯片U3的型号具体为NE555DR。
[0017]进一步地：所述电源模块包括稳压芯片U4、二极管D1、二极管D2、二极管D3、NPN型三极管T1、可调电阻P1、电阻R10、电阻R11、接地电容C13、接地电容C14、接地电容C15；所述稳压芯片U4的型号具体为LM317；
[0018]其中，所述稳压芯片U4的3号引脚分别与所述NPN型三极管T1的集电极、二极管D1的负极、接地电容C13、电阻R10的一端和VCC电源连接，所述电阻R10的另一端与所述二极管D1的正极连接，所述二极管D1的负极接地，所述稳压芯片U4的1号引脚分别与所述电阻R11的一端、可调电阻P1的2号引脚、可调电阻P1的3号引脚、二极管D3的正极和接地电容C14连接，所述可调电阻P1的1号引脚接地，所述稳压芯片U4的2号引脚分别与所述电阻R11 的另一端、二极管D3的负极、二极管D2的正极、接地电容C15和NPN型三极管T1的基极连接，所述NPN型三极管T1的发射极接地；
[0019]所述稳压芯片U4的2号引脚还与所述单片机芯片U1的31号引脚、单片机芯片U1的40号引脚、温度传感器芯片U2的3号引脚、振荡器芯片U3的8 号引脚、PMOS场效应管Q1的源极和PMOS场效应管Q1的漏极连接。
[0020]本技术的有益效果为：
[0021](1)本技术的一种智能温度采集系统通过断电重启模块控制，可以对单片机控制模块完全断电重启，从而减少人员的操作，为系统部署在恶劣环境中提供保障。
[0022](2)本技术的智能温度采集系统具有小型化的特定，便于安装固定于目标环境工作。
附图说明
[0023]图1为一种智能温度采集系统的结构示意图。
[0024]图2为单片机控制模块的原理图。
[0025]图3为温度采集模块的原理图。
[0026]图4为断电重启模块的原理图。
[0027]图5为电源模块的原理图。
具体实施方式
[0028]下面对本技术的具体实施方式进行描述，以便于本
的技术人员理解本技术，但应该清楚，本技术不限于具体实施方式的范围，对本
的普通技术人员来讲，只要各种变化在所附的权利要求限定和确定的本技术的精神和范围内，这些变化是显而易见的，一切利用本技术构思的专利技术创造均在保护之列。
[0029]实施例1：
[0030]如图1所示，在本技术的一个实施例中，一种智能温度采集系统，包括单片机控制模块、断电重启模块、电源模块和温度采集模块；
[0031]其中，所述单片机控制模块分别与所述断电重启模块、电源模块和温度采集模块连接，所述电源模块还分别与所述温度采集模块和断电重启模块连接。
[0032]所述温度采集模块用于采集目标环境的温度数据，所述单片机控制模块用具收集温度采集模块采集的温度数据，所述电源模块用于为各个模块提供稳压电源，所述断电重启模块用于控制片机控制模块断电重启。
[0033]如图2所示，所述单片机控制模块包括单片机芯片U1、晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种智能温度采集系统，其特征在于，包括单片机控制模块、断电重启模块、电源模块和温度采集模块；其中，所述单片机控制模块分别与所述断电重启模块、电源模块和温度采集模块连接，所述电源模块还分别与所述温度采集模块和断电重启模块连接。2.根据权利要求1所述的智能温度采集系统，其特征在于，所述单片机控制模块包括单片机芯片U1、晶振Y1、电阻R1、接地电容C1和接地电容C2；所述单片机芯片U1的型号具体为AT89C55WD；其中，所述单片机芯片U1的18号引脚分别与所述电阻R1的一端、接地电容C1和晶振Y1的一端连接，所述单片机芯片U1的19号引脚分别与所述电阻R1的另一端、接地电容C2和晶振Y1的另一端连接；所述单片机芯片U1的20号引脚接地。3.根据权利要求2所述的智能温度采集系统，其特征在于，所述温度采集模块包括温度传感器芯片U2和电阻R2；所述温度传感器芯片U2的型号具体为DS18B20；其中、所述温度传感器芯片U2的1号引脚接地，所述温度传感器芯片U2的2号引脚分别与所述电阻R2的一端和单片机芯片U1的5号引脚连接，所述温度传感器芯片U2的3号引脚与所述电阻R2的另一端连接。4.根据权利要求3所述的智能温度采集系统，其特征在于，所述断电重启模块包括PMOS场效应管Q1、振荡器芯片U3、插座J1、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、接地电阻R9、电容C3、接地电容C4、接地电容C5、接地电容C6、接地电容C7、接地电容C8、接地电容C9、接地电容C10、接地电容C11、接地电容C12；所述振荡器芯片U3的型号具体为NE555DR；其中，所述电容C3的一端与所述单片机芯片U1的9号引脚连接，所述电容C3的另一端分别与所述电阻R8的一端，接地电阻R9、接地电容C4和电阻R3的一端连接，所述电阻R3的另一端分别与所述插座J1的2号引脚和振荡器芯片U3的2号引脚连接，所述插座J1的1号引脚接地，所述电阻R8的另一端分别与所述电阻R4...

【专利技术属性】
技术研发人员：余波，龙永庆，宗瑞朝，雷建平，熊连平，苏德翔，李波，
申请(专利权)人：成都康特电子高新科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：