【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆双膜切割设备
[0001]本专利技术涉及半导体晶片加工
,具体是涉及一种半导体晶圆双膜切割设备。
技术介绍
[0002]中国专利CN110137126B中一种半导体晶圆双膜切割方法包括以下步骤:步骤一:在半导体晶圆的背面层叠粘附两层划片膜,两层划片膜由内至外依次为内层划片膜与外层划片膜;步骤二:使晶片切割机的刀片依次沿半导体晶圆正面的横向切割槽与纵向切割槽对半导体晶圆进行切割,并且刀片每次切割均只切割到内层划片膜,刀片在内层划片膜的切割深度为(15~20)微米;步骤三:根据晶圆分切数量要求,使晶片切割机的刀片对半导体晶圆进行切割,刀片每次切割均切割到外层划片膜且不切透外层划片膜。优点是:先对半导体晶圆进行单颗裂片,再对裂片后的半导体晶圆进行一次分切,大大提高了工作效率。
[0003]上述技术方案中提出的切割方法虽然可对半导体晶圆进行分切处理,但是上述切割方法是通过切割机的刀片对半导体晶圆进行切割,通过刀片进行长时间切割,刀片会出现切割磨损,刀片磨损后晶圆切割精度低,影响生产质量,同时切割机将晶圆切割成若干块后不便于自动下料,大多需要通过人工取料,导致生产效率低。
技术实现思路
[0004]针对现技术所存在的问题,提供一种半导体晶圆双膜切割设备,通过激光切割器可有效的提高切割的稳定性降低切割误差,通过晶圆定位具配合上料装置和下料装置可有效的自动上下料有效的节省人力提高生产效率。
[0005]为解决现有技术问题,本专利技术采用的技术方案为:一种半导体晶圆双膜切割设备,包 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆双膜切割设备,包括机柜(1)、激光切割器(2)、第一滚珠丝杆滑台(3)、第二滚珠丝杆滑台(4)、晶圆定位具(5)、上料装置(6)和下料装置(7);激光切割器(2)固定安装在机柜(1)顶部;第一滚珠丝杆滑台(3)水平设置激光切割器(2)下方,第一滚珠丝杆滑台(3)与机柜(1)固定连接;第二滚珠丝杆滑台(4)固定安装在第一滚珠丝杆滑台(3)的工作端;晶圆定位具(5)固定安装在第二滚珠丝杆滑台(4)的工作端;上料装置(6)固定安装在机柜(1)上;下料装置(7)固定安装在机柜(1)远离上料装置(6)的一端;其特征在于,晶圆定位具(5)还包括升降装置(51)、定位放置台(52)、收缩定位装置(53)、第一吸盘(54)和契合支撑架(55);升降装置(51)固定安装在第二滚珠丝杆滑台(4)的工作端,升降装置(51)的输出端竖直向上设置;定位放置台(52)固定安装在升降装置(51)的输出端,定位放置台(52)顶部设有数个异形穿孔(522)并且均匀分布、定位放置台(52)顶部还设有数个第一限位滑槽(521)并且均匀分布;收缩定位装置(53)固定安装在定位放置台(52)上,收缩定位装置(53)的工作端穿过定位放置台(52)的第一限位滑槽(521)向上延伸;第一吸盘(54)固定安装在定位放置台(52)的轴心位置;契合支撑架(55)固定安装在升降装置(51)上,契合支撑架(55)顶部与定位放置台(52)的异形穿孔(522)相契合。2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆双膜切割设备,其特征在于,升降装置(51)包括第一安装支架(511)、限位套筒(512)、限位伸缩柱(513)、驱动螺纹杆(514)和第一旋转驱动器(515);第一安装支架(511)固定安装在第二滚珠丝杆滑台(4)的工作端;限位套筒(512)固定安装在第一安装支架(511)上;限位伸缩柱(513)滑动安装在限位套筒(512)内部,限位伸缩柱(513)的顶部设有安装空腔(5131),限位伸缩柱(513)的底部设有内螺纹孔(5132);驱动螺纹杆(514)转动安装在限位套筒(512)内部,驱动螺纹杆(514)与限位伸缩柱(513)的内螺纹孔(5132)螺纹连接;第一旋转驱动器(515)固定安装在第一安装支架(511)上,第一旋转驱动器(515)与驱动螺纹杆(514)传动连接。3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆双膜切割设备,其特征在于,收缩定位装置(53)包括第一安装滑块(531)、抵压块(532)、连接块(533)、第一连接杆(534)和第一直线驱动器(535);第一安装滑块(531)设有数个并且均匀分布在定位放置台(52)的第一限位滑槽(521)内部,第一安装滑块(531)与定位放置台(52)的第一限位滑槽(521)滑动连接;抵压块(532)设有数个并且均匀分布在第一安装滑块(531)上,抵压块(532)与第一安装滑块(531)顶部固定连接;
第一直线驱动器(535)固定安装在定位放置台(52)的底部;连接块(533)固定安装在第一直线驱动器(535)的输出端;第一连接杆(534)设有数个并且均匀分布在第一安装滑块(531)上,第一连接杆(534)一端与第一安装滑块(531)转动连接;第一连接杆(534)远离第一安装滑块(531)的一端与连接块(533)转动连接。4.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆双膜切割设备,其特征在于,契合支撑架(55)包括连接支架(551)和第一异性契合架(552);连接支架(551)固定安装在升降装置(51)的外侧;第一异性契合架(552)设有数个并且均匀在连接支架(551)上,第一异性契合架(552)与定位放置台(52)的异形穿孔(522)形状相匹配。5.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐海洋,田光明,解小龙,
申请(专利权)人:苏州芯海半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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