一种用于快恢复二极管的金属颗粒腐蚀液及金属腐蚀方法技术

本发明专利技术公开了快恢复二极管技术领域内的一种用于快恢复二极管的金属颗粒腐蚀液及金属腐蚀方法。该金属腐蚀方法，依次包括以下步骤：将光刻后的晶片放置于酸洗花篮中，按常规方式进行初步金属腐蚀处理；将初步金属腐蚀处理后的晶片，浸泡于金属颗粒腐蚀液中，金属颗粒腐蚀液温度为18

【技术实现步骤摘要】
一种用于快恢复二极管的金属颗粒腐蚀液及金属腐蚀方法


[0001]本专利技术涉及快恢复二极管
，特别涉及一种用于快恢复二极管的金属颗粒腐蚀液及金属腐蚀方法。

技术介绍

[0002]目前，快恢复二极管制备过程中，在蒸发、光刻制备金属层后需进行金属腐蚀工艺处理。金属腐蚀目的是将经过曝光、显影后的光刻胶微图形中下层材料的裸露部分去掉，即在下层材料上重现与光刻胶相同的图形。
[0003]金属腐蚀处理后，按照常规流程进行冲水、甩干工艺。但产品测试后发现制品间漏电一致性差，且部分制品存在漏电异常情况。另外，经显微镜下观察，发现金属腐蚀、冲水处理后的部分制品在腐蚀区域残留少许金属颗粒，冲水工艺无法完全清除，后续测试时，残留金属导致了漏电异常情况。

技术实现思路

[0004]本申请通过提供一种用于快恢复二极管的金属颗粒腐蚀液及金属腐蚀方法，至少部分解决上述问题。
[0005]本申请实施例提供了一种快恢复二极管的金属颗粒腐蚀液，包括体积比为1：0.7
‑
0.8：0.2
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0.3：0.2
‑
0.3：0.1
‑
0.15的水、双氧水、氨水、冰乙酸、乙二胺四乙酸混合液，其中乙二胺四乙酸混合液中水、乙二胺四乙酸质量比为40
‑
66：1。
[0006]上述实施例的有益效果在于：该金属颗粒腐蚀液可以有效去除解现有技术中腐蚀区域残留的少许金属颗粒，从而减少了漏电异常情况
[0007]在上述实施例基础上，本申请可进一步改进，具体如下：
[0008]在本申请其中一个实施例中，所述金属颗粒腐蚀液还包括氢氧化钠溶液，所述水、双氧水、氨水、冰乙酸、乙二胺四乙酸混合液和氢氧化钠溶液，对应体积比为1：0.7
‑
0.8：0.2
‑
0.3：0.2
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0.3：0.1
‑
0.15：0.1
‑
0.15，其中氢氧化钠溶液中，氢氧化钠质量百分浓度为1.5
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2.5％。添加氢氧化钠溶液后可避免晶片经该金属颗粒腐蚀液浸泡后出现变色现象，保持晶片表面金属颜色一致。
[0009]在本申请其中一个实施例中，所述水、双氧水、氨水、冰乙酸、乙二胺四乙酸混合液和氢氧化钠溶液，对应体积比为1：0.75：0.25：0.25：0.125：0.125，其中，乙二胺四乙酸混合液中水、乙二胺四乙酸质量比为50：1，氢氧化钠溶液中，氢氧化钠质量百分浓度为2％。
[0010]在本申请其中一个实施例中，所述金属颗粒腐蚀液配置方法如下：
[0011]按上述比例将水与乙二胺四乙酸粉末混合调配出乙二胺四乙酸混合液，将水与氢氧化钠粉末混合调配出氢氧化钠溶液；
[0012]将乙二胺四乙酸混合液和氢氧化钠溶液静置1h以上；
[0013]按上述比例将水、双氧水、氨水、冰乙酸、乙二胺四乙酸混合液混合后再加入氢氧化钠溶液混合调配出所述金属颗粒腐蚀液。
[0014]本申请实施例还提供了一种快恢复二极管的金属腐蚀方法，依次包括以下步骤：
[0015]将光刻后的晶片放置于酸洗花篮中，按常规方式进行初步金属腐蚀处理；
[0016]将初步金属腐蚀处理后的所述晶片，浸泡于前述金属颗粒腐蚀液中，金属颗粒腐蚀液温度为18
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22℃，浸泡时间为50
‑
70s，浸泡期间持续抖动所述酸洗花篮，完成二次腐蚀；
[0017]将二次腐蚀处理后的所述晶片，冲水、甩干处理后，放置于恒定环境中干燥。
[0018]上述实施例的有益效果在于：在常规腐蚀的基础上增加一槽金属颗粒腐蚀液进行二次腐蚀，有效的解决了腐蚀后制品表面金属颗粒残留问题，保证制品不会因为金属颗粒问题导致的漏电突变现象；同时在二次腐蚀后增加干燥步骤，去除制品因腐蚀冲水带来的水汽，保证产品漏电的一致性。
[0019]在本申请其中一个实施例中，二次腐蚀时，所述金属颗粒腐蚀液温度为18℃，浸泡时间为60s。
[0020]在本申请其中一个实施例中，所述恒定环境温度为20℃，湿度为15％，干燥时间为20
‑
24h。
[0021]在本申请其中一个实施例中，所述酸洗花篮材质为特氟隆，所述酸洗花篮包括蒙面和H面，所述酸洗花篮在蒙面上间隔开设有多个通孔，所述通孔内径从内至外逐渐减小。通过在蒙面开设喇叭口型通孔来优化酸洗花篮，可以有效的改善金属腐蚀片间侧腐蚀量差异，起到花篮内腐蚀量均衡的效果，保证产品漏电的一致性，同时也降低了金属腐蚀的返工率。
[0022]本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
[0023]1.在常规腐蚀的基础上进行二次腐蚀，通过金属颗粒腐蚀液有效的解决了腐蚀后制品表面金属颗粒残留问题，保证制品不会因为金属颗粒问题导致的漏电突变现象；
[0024]2.在二次腐蚀后增加干燥步骤，去除制品因腐蚀冲水带来的水汽，保证产品漏电的一致性；
[0025]3.通过在蒙面开设喇叭口型通孔来优化酸洗花篮，可以有效的改善金属腐蚀片间侧腐蚀量差异，起到花篮内腐蚀量均衡的效果，保证产品漏电的一致性，同时也降低了金属腐蚀的返工率。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。在所有附图中，类似的元件或部分一般由类似的附图标记标识。附图中，各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。
[0027]图1为实施例2中一种快恢复二极管的金属腐蚀方法的步骤流程图；
[0028]图2为实施例3中酸洗花篮的结构示意图。
[0029]其中，1.蒙面，2.H面，3.通孔。
具体实施方式
[0030]下面结合具体实施方式，进一步阐明本专利技术，应理解这些实施方式仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围，在阅读了本专利技术之后，本领域技术人员对本专利技术的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
[0031]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0032]在本专利技术的描述中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本专利技术描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
[0033]本申请实施例通过提供一种用于快恢复二极管的金属颗粒腐蚀液及金属腐蚀方法，解决现有技术中腐蚀区域残留的少许金属颗粒，导致制品漏电异常情况的问题。
[0034]本申请实施例中的技术方案为解决上述问题，总体思路如下：
[0035]实施例1：
[0036]一种快恢复二极管的金属颗本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种快恢复二极管的金属颗粒腐蚀液，其特征在于，包括体积比为1：0.7
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0.8：0.2
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0.3：0.2
‑
0.3：0.1
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0.15的水、双氧水、氨水、冰乙酸、乙二胺四乙酸混合液，其中乙二胺四乙酸混合液中水、乙二胺四乙酸质量比为40
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66：1。2.根据权利要求1所述的金属颗粒腐蚀液，其特征在于：还包括氢氧化钠溶液，所述水、双氧水、氨水、冰乙酸、乙二胺四乙酸混合液和氢氧化钠溶液，对应体积比为1：0.7
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0.8：0.2
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0.3：0.2
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0.3：0.1
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0.15：0.1
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0.15，其中氢氧化钠溶液中，氢氧化钠质量百分浓度为1.5
‑
2.5％。3.根据权利要求2所述的金属颗粒腐蚀液，其特征在于：所述水、双氧水、氨水、冰乙酸、乙二胺四乙酸混合液和氢氧化钠溶液，对应体积比为1：0.75：0.25：0.25：0.125：0.125，其中，乙二胺四乙酸混合液中水、乙二胺四乙酸质量比为50：1，氢氧化钠溶液中，氢氧化钠质量百分浓度为2％。4.根据权利要求2所述的金属颗粒腐蚀液，其特征在于：所述金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘东辉，徐林，李俊，王斌，
申请(专利权)人：扬州国宇电子有限公司，
类型：发明
国别省市：