用于峰均功率比控制的限幅制造技术

所保护的主题涉及实施阈值峰均功率，同时减少与饱和关联的影响。这可以例如通过获得理想饱和区的分段线性逼近来实现，其中理想饱和区至少部分地基于阈值峰均功率比。随后，如果与信号关联的功率位于分段线性逼近所包围的区域以外，则对该信号限幅。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种用于在无线通信环境中实施阈值峰均功率比的方法，包括：　获得理想饱和区的分段线性逼近，所述理想饱和区至少部分地基于所述阈值峰均比；以及　如果与所需发送信号关联的功率位于所述分段线性逼近所包围的区域以外，则使所需发送信号饱和。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：T孙，R克里希纳穆尔蒂，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]