一种尖峰突波无感薄膜吸收电容制造技术

本实用涉及一种尖峰突波无感薄膜吸收电容，其主要包括壳体、电极片、引脚和绝缘介质；所述的电极片嵌入设置在壳体内，所述的绝缘介质填充在电极片与壳体之间，所述的引脚一端穿过壳体后连接电极片；所述的引脚另一端外露；所述的壳体两端均设置密封套组件；所述的密封套组件包括密封套、密封圈和密封胶；所述的壳体两端呈锥状结构，所述的锥状结构端部开设第一环形槽口，所述的密封圈嵌入设置在第一环形槽口内，所述的密封套包围设置在锥状结构外壁；所述的锥状结构与密封套之间的间隙填充密封胶。该尖峰突波无感薄膜吸收电容，通过密封套组件的配合设计，可显著的提高整体薄膜电容器的密封性，避免绝缘液的外泄，提高整体薄膜电容器的使用寿命。电容器的使用寿命。电容器的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种尖峰突波无感薄膜吸收电容


[0001]本技术涉及电容的
，尤其是一种尖峰突波无感薄膜吸收电容。

技术介绍

[0002]随着社会的不断进步，电容器行业得到了快速的发展。电容器的种类很多，其中薄膜电容是重要的组成部分。目前市场上的薄膜电容规格多种多样，可满足各种不同场合的实际使用需求，但是在长期的使用过程中发现其普遍存在缺陷：薄膜电容器的密封性在长时间使用后会变差，导致其内部的绝缘液会出现外泄现象，最终导致薄膜电容器的损坏，严重的影响薄膜电容器的使用寿命，给人们的使用带来了很大的不便。

技术实现思路

[0003]本技术要解决的技术问题是：为了解决上述
技术介绍
中存在的问题，提供的是一种尖峰突波无感薄膜吸收电容，通过密封套组件的配合设计，可显著的提高整体薄膜电容器的密封性，避免绝缘液的外泄，提高整体薄膜电容器的使用寿命，便于广泛推广和使用。
[0004]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种尖峰突波无感薄膜吸收电容，主要包括壳体、电极片、引脚和绝缘介质；所述的电极片嵌入设置在壳体内，所述的绝缘介质填充在电极片与壳体之间，所述的引脚一端穿过壳体后连接电极片；所述的引脚另一端外露；所述的壳体两端均设置密封套组件；所述的密封套组件包括密封套、密封圈和密封胶；所述的壳体两端呈锥状结构，所述的锥状结构端部开设第一环形槽口，所述的密封圈嵌入设置在第一环形槽口内，所述的密封套包围设置在锥状结构外壁；所述的锥状结构与密封套之间的间隙填充密封胶。
[0005]进一步地说明，上述技术方案中，所述的锥状结构与壳体为一体结构；这样的设计可以提高整体壳体强度。
[0006]进一步地说明，上述技术方案中，所述的壳体端面上均匀压设若干压坑；可实现壳体的整体强度加强，也可以保障其两端密封套连接的稳定性。
[0007]进一步地说明，上述技术方案中，所述的密封套内壁上部还设置第二环形槽口，所述的第一环形槽口与第二环形槽口包围设置在密封圈的外部；这样可以实现密封套与锥状结构的连接密封性。
[0008]进一步地说明，上述技术方案中，所述的密封套上相对引脚位置处还设置防护套，所述的防护套套设在引脚上；这样可进一步地提高引脚处的密封性。
[0009]进一步地说明，上述技术方案中，所述的防护套高出密封套端面3～5mm；可对引脚进行有效的防护。
[0010]本技术的有益效果是：本技术提出的一种尖峰突波无感薄膜吸收电容，通过密封套组件的配合设计，可显著的提高整体薄膜电容器的密封性，避免绝缘液的外泄，提高整体薄膜电容器的使用寿命，便于广泛推广和使用。
附图说明
[0011]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0012]图1是本技术的结构示意图；
[0013]图2是图1中未加密封套组件的结构示意图；
[0014]图3是图1中密封套组件与壳体的连接示意图。
[0015]附图中的标号为：1、壳体，2、电极片，3、引脚，4、绝缘介质，5、密封套，6、密封圈，7、密封胶，8、锥状结构，9、第一环形槽口，10、压坑，11、第二环形槽口，12、防护套。
具体实施方式
[0016]为了使本技术所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0017]见图1、图2和图3所示的是一种尖峰突波无感薄膜吸收电容，主要包括壳体1、电极片2、引脚3和绝缘介质4；电极片2嵌入设置在壳体1内，绝缘介质4填充在电极片2与壳体1之间，引脚3一端穿过壳体1后连接电极片2；引脚3另一端外露；壳体1两端均设置密封套组件；密封套组件包括密封套5、密封圈6和密封胶7；壳体1两端呈锥状结构8，锥状结构8端部开设第一环形槽口9，密封圈6嵌入设置在第一环形槽口9内，密封套5包围设置在锥状结构8外壁；锥状结构8与密封套5之间的间隙填充密封胶7。
[0018]其中，锥状结构8与壳体1 为一体结构。壳体1端面上均匀压设若干压坑10。密封套5内壁上部还设置第二环形槽口11，第一环形槽口9与第二环形槽口11包围设置在密封圈6的外部。密封套5上相对引脚3位置处还设置防护套12，防护套12套设在引脚3上。防护套12高出密封套5端面3～5mm。
[0019]该尖峰突波无感薄膜吸收电容的操作原理如下：
[0020]本申请中的薄膜电容器可以通过密封套组件有效的实现其高密封性，避免其绝缘介质4的外泄；密封套5通过包覆锥状结构8实现其一次密封；通过密封圈6的设置可以进行边缘处的二次密封；通过密封胶7的填充，可以实现其壳体1端部锥状结构8与密封套5的三次密封，也可以实现密封套5在锥状结构8上的固定连接。操作起来方便简单，耗费成本低，可显著的提高其整体薄膜电容器的使用寿命。
[0021]以上所述的，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种尖峰突波无感薄膜吸收电容，其特征在于：主要包括壳体、电极片、引脚和绝缘介质；所述的电极片嵌入设置在壳体内，所述的绝缘介质填充在电极片与壳体之间，所述的引脚一端穿过壳体后连接电极片；所述的引脚另一端外露；所述的壳体两端均设置密封套组件；所述的密封套组件包括密封套、密封圈和密封胶；所述的壳体两端呈锥状结构，所述的锥状结构端部开设第一环形槽口，所述的密封圈嵌入设置在第一环形槽口内，所述的密封套包围设置在锥状结构外壁；所述的锥状结构与密封套之间的间隙填充密封胶。2.根据权利要求1所述的一种尖峰突波无感薄膜吸收电容，其特征在于：所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔水平，王健，吴光杰，周福林，
申请(专利权)人：长兴立峰电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：