一种半导体封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体封装结构。根据本实用新型专利技术的一实施例，一种半导体封装结构包括至少一个裸片，其中所述裸片包括：主体，其限定多个线性边缘，所述多个线性边缘形成闭合的多边形形状；以及至少一个线性特征，其沿所述多个线性边缘中的一个线性边缘的至少部分长度延伸。所述半导体封装结构中的裸片的线性特征可以用于分离裸片，因此裸片具有较窄的切割道和较高的产量，从而使得半导体封装结构的制备工艺简单且成本较低。备工艺简单且成本较低。备工艺简单且成本较低。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装结构


[0001]本公开大体上涉及半导体封装领域，且更具体来说，涉及一种半导体封装结构。

技术介绍

[0002]裸片可以经由晶圆切割方法形成。目前的晶圆切割方法通常是使用切片机沿着切割线/切割道切割晶圆，这需要较大/较宽的切割道，例如80μm的切割道。预留较宽的切割道难免影响晶圆表面积的运用效率，且单独的切割机处理程序也将导致较低的裸片分离产量。虽然目前的晶圆可以采用较先进的隐形切割方法，但晶圆仍然需要预留激光处理所需的约40μm的切割线/切割道来进行切割。

技术实现思路

[0003]鉴于此，本公开提供了一种半导体封装结构，该半导体封装结构包括具有至少一个线性特征的裸片，裸片的线性特征可以用于分离裸片，因此裸片具有较窄的切割道，从而裸片的制备工艺简单、产量高且成本低。
[0004]根据本技术的一实施例，一种半导体封装结构包括至少一个裸片，其中所述裸片包括：主体，其限定多个线性边缘，所述多个线性边缘形成闭合的多边形形状；以及至少一个线性特征，其沿所述多个线性边缘中的一个线性边缘的至少部分长度延伸。
[0005]根据本技术的又一实施例，所述裸片由具有第一热膨胀系数的半导体材料制成，且其中所述线性特征由具有第二热膨胀系数的材料制成，所述第二热膨胀系数大于所述第一热膨胀系数。
[0006]根据本技术的另一实施例，所述线性特征具有10μm
‑
20μm的宽度。
[0007]根据本技术的另一实施例，所述线性特征由金属材料制成。
[0008]根据本技术的另一实施例，所述线性特征由铜、铝或铅制成。
[0009]根据本技术的另一实施例，所述线性特征横跨所述线性边缘的全部长度。
[0010]根据本技术的另一实施例，所述线性特征不延伸所述裸片的所述主体的全部厚度。
[0011]根据本技术的另一实施例，所述线性特征靠近所述裸片的所述主体的一个面布置。
[0012]根据本技术的另一实施例，所述线性特征布置在具有暴露互连特征的所述主体的正面。
[0013]根据本技术的另一实施例，所述线性特征嵌在所述裸片的有源表面上，并从所述有源表面延伸至所述主体的所述全部厚度的40％
‑
80％的深度。
[0014]根据本技术的另一实施例，所述线性特征从所述有源表面延伸至所述主体的所述全部厚度的50％的深度。
[0015]根据本技术的另一实施例，所述裸片进一步包括与所述正面相对的背面，且其中所述背面具有比所述正面高的表面粗糙度。
[0016]根据本技术的另一实施例，所述裸片进一步包括嵌于所述裸片的所述主体中的至少一个穿硅通孔。
[0017]根据本技术的另一实施例，所述裸片通过引线键合安装到所述半导体封装结构。
[0018]根据本技术的另一实施例，所述裸片通过倒装芯片布置安装到所述半导体封装结构。
[0019]本技术实施例的额外层面及优点将部分地在后续说明中描述、显示、或是经由本技术实施例的实施而阐释。
附图说明
[0020]图1A为根据本技术一实施例的半导体封装结构的裸片的剖视示意图。
[0021]图1B为图1A中的半导体封装结构的裸片的俯视示意图。
[0022]图2A至图2C示出了制备根据本技术一实施例的半导体封装结构的裸片的方法。
[0023]图3为根据本技术一实施例的半导体封装结构的剖视示意图。
[0024]根据惯例，图示中所说明的各种特征可能并非按比例绘制。因此，为了清晰起见，可任意扩大或减小各种特征的尺寸。图示中所说明的各部件的形状仅为示例性形状，并非限定部件的实际形状。另外，为了清楚起见，可简化图示中所说明的实施方案。因此，图示可能并未说明给定设备或装置的全部组件。最后，可贯穿说明书和图示使用相同参考标号来表示相同特征。
具体实施方式
[0025]为更好的理解本技术的精神，以下结合本技术的部分优选实施例对其作进一步说明。
[0026]以下揭示内容提供了多种实施方式或例示，其能用以实现本揭示内容的不同特征。下文所述之组件与配置的具体例子系用以简化本揭示内容。当可想见，这些叙述仅为例示，其本意并非用于限制本揭示内容。举例来说，在下文的描述中，将一第一特征形成于一第二特征上或之上，可能包括某些实施例其中所述的第一与第二特征彼此直接接触；且也可能包括某些实施例其中还有额外的组件形成于上述第一与第二特征之间，而使得第一与第二特征可能没有直接接触。此外，本揭示内容可能会在多个实施例中重复使用组件符号和/或标号。此种重复使用乃是基于简洁与清楚的目的，且其本身不代表所讨论的不同实施例和/或组态之间的关系。
[0027]在本说明书中，除非经特别指定或限定之外，相对性的用词例如：“中央的”、“纵向的”、“侧向的”、“前方的”、“后方的”、“右方的”、“左方的”、“内部的”、“外部的”、“较低的”、“较高的”、“水平的”、“垂直的”、“高于”、“低于”、“上方的”、“下方的”、“顶部的”、“底部的”以及其衍生性的用词(例如“水平地”、“向下地”、“向上地”等等)应该解释成引用在讨论中所描述或在附图中所描示的方向。这些相对性的用词仅用于描述上的方便，且并不要求将本技术以特定的方向建构或操作。
[0028]以下详细地讨论本技术的各种实施方式。尽管讨论了具体的实施，但是应当
理解，这些实施方式仅用于示出的目的。相关领域中的技术人员将认识到，在不偏离本技术的精神和保护范围的情况下，可以使用其他部件和配置。本技术的实施可不必包含说明书所描述的实施例中的所有部件或步骤，也可根据实际应用而调整各步骤的执行顺序。
[0029]图1A为根据本技术一实施例的半导体封装结构的裸片的剖视示意图。图1B为图1A中的半导体封装结构的裸片的俯视示意图。如图1A和图1B所示，裸片101包括主体120和至少一个线性特征110。主体120限定多个线性边缘(例如图1B中的120
‑
1和120
‑
2)，多个线性边缘形成闭合的多边形形状。线性特征110沿多个线性边缘中的一个线性边缘的至少部分长度延伸。本文中的“线性”特征/边缘并不限定为直线特征/边缘，其也可以表示曲线特征/边缘等。
[0030]裸片101的主体120可以包括具有第一热膨胀系数的半导体材料，或由具有第一热膨胀系数的半导体材料制成。在一些实施例中，半导体材料可以为硅。
[0031]主体120可以包括面101a和与面101a相对的面101b。在一些实施例中，面101b具有比面101a高的表面粗糙度。在一些实施例中，面101a为裸片101的正面，面101b为裸片101的背面。在一些实施例中，面101a为裸片101的有源表面。面101a上可以设置有金属层102和暴露的互连特征103。在一些实施例中，互连特征103可以为凸块。在一些实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括至少一个裸片，其中所述裸片包括：主体，其限定多个线性边缘，所述多个线性边缘形成闭合的多边形形状；以及至少一个线性特征，其沿所述多个线性边缘中的一个线性边缘的至少部分长度延伸。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，其中所述裸片由具有第一热膨胀系数的半导体材料制成，且其中所述线性特征由具有第二热膨胀系数的材料制成，所述第二热膨胀系数大于所述第一热膨胀系数。3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述线性特征具有10μm
‑
20μm的宽度。4.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，其中所述线性特征由金属材料制成。5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，其中所述线性特征由铜、铝或铅制成。6.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，其中所述线性特征横跨所述线性边缘的全部长度。7.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，其中所述线性特征不延伸所述裸片的所述主体的全部厚度。8.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李仲培，沈文豪，权荣熤，哈里亚沙恩，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：新型
国别省市：