一种芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种芯片封装结构，包括：硅中介板，所述硅中介板中设置有容纳槽；位于所述容纳槽中的桥接芯片，所述桥接芯片的背面朝向容纳槽的底面；位于所述桥接芯片和所述容纳槽的底面之间的黏贴胶膜；位于所述桥接芯片和所述容纳槽的侧部表面之间的塑封填充料，所述硅中介板的热膨胀系数小于所述塑封填充料的热膨胀系数；位于所述硅中介板和桥接芯片一侧的重布线结构，所述重布线结构与所述桥接芯片电连接；位于所述重布线结构背离所述硅中介板一侧的第一芯片和第二芯片，所述第一芯片和第二芯片通过所述重布线结构和桥接芯片互联。所述芯片封装结构的可靠性提高。所述芯片封装结构的可靠性提高。所述芯片封装结构的可靠性提高。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装结构


[0001]本技术涉及半导体
，具体涉及一种芯片封装结构。

技术介绍

[0002]现有的产业化生产中，通常采用塑封料来包封芯片，塑封料在芯片与外界环境之间充当电气隔绝和密封保护作用，但塑封料存在若干严重的问题：(1)塑封料的导热系数较差，不利于芯片的散热，通常塑封料的生产厂家为了改善其散热效果，会在塑封料的树脂体系中加入具有高导热系数的填充颗粒来改善其散热效果，导致塑封料的价格昂贵；(2)相较于硅基材料的芯片，塑封料的CTE(Coefficient of Thermal Expansion，热膨胀系数)偏高，而芯片封装的热处理过程会加剧不同封装材料间的热失配，带来芯片封装体的翘曲、隐裂等风险，尤其要经历测试条件更为严苛的可靠性测试，以及在芯片产品的长期服役过程中，累积的热失配应力也极容易带来芯片产品的失效风险。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本技术提供了一种芯片封装结构，以解决现有技术中芯片封装结构的可靠性较差的问题。
[0004]本技术提供一种芯片封装结构，包括：硅中介板，所述硅中介板中设置有容纳槽；位于所述容纳槽中的桥接芯片，所述桥接芯片的背面朝向容纳槽的底面；位于所述桥接芯片和所述容纳槽的底面之间的黏贴胶膜；位于所述桥接芯片和所述容纳槽的侧部表面之间的塑封填充料，所述硅中介板的热膨胀系数小于所述塑封填充料的热膨胀系数；位于所述硅中介板和桥接芯片一侧的重布线结构，所述重布线结构与所述桥接芯片电连接；位于所述重布线结构背离所述硅中介板一侧的第一芯片和第二芯片，所述第一芯片和第二芯片通过所述重布线结构和桥接芯片互联。
[0005]可选的，所述塑封填充料的厚度小于或等于500微米。
[0006]可选的，还包括：贯穿所述硅中介板的导电连接件，所述导电连接件的一端与所述重布线结构电连接；位于所述硅中介板背离所述重布线结构一侧的互联焊球，所述互联焊球与所述导电连接件的另一端电连接。
[0007]可选的，所述导电连接件包括：导电本体；位于所述导电本体的侧壁表面的阻挡层；位于所述阻挡层背离所述导电本体的侧壁表面的绝缘层。
[0008]可选的，还包括：位于所述重布线结构背离所述硅中介板一侧表面的联接焊盘；位于所述互联焊球和所述导电连接件之间的导联盘。
[0009]可选的，所述第一芯片具有第二焊盘，第二焊盘的表面设置有第一导电柱；所述第二芯片具有第三焊盘，第三焊盘的表面设置有第二导电柱；第一导电柱与联接焊盘之间设置有第一焊球；第二导电柱与联接焊盘之间设置有第二焊球；所述第一芯片用于依次通过第二焊盘、第一导电柱、第一焊球、联接焊盘、重布线结构、导电连接件、导联盘和互联焊球与电源管理芯片电连接；所述第二芯片用于依次通过第三焊盘、第二导电柱、第二焊球、联
接焊盘、重布线结构、导电连接件、导联盘和互联焊球与电源管理芯片电连接。
[0010]可选的，所述桥接芯片具有第一焊盘；所述桥接芯片用于依次通过第一焊盘、重布线结构、导电连接件、导联盘和互联焊球与电源管理芯片电连接。
[0011]可选的，还包括：塑封层，所述塑封层位于所述重布线结构背离所述硅中介板的一侧且密封所述第二芯片和第三芯片的侧壁。
[0012]可选的，所述桥接芯片为带有导电插塞的硅桥芯片。
[0013]本技术提供的技术方案，具有如下效果：
[0014]本技术技术方案提供的芯片封装结构，黏贴胶膜用于将桥接芯片固定在容纳槽的底面，通过少量的塑封填充料来填充桥接芯片和容纳槽的侧部表面之间的间隙，达到密封和保护桥接芯片的作用。由于硅中介板占据的体积远大于塑封填充料占据的体积，且硅中介板的热膨胀系数小于所述塑封填充料的热膨胀系数，硅中介板的热膨胀系数与桥接芯片之间的热膨胀系数更为接近，因此能大大降低由于不同封装材料间的热膨胀系数失配所致的热应力，大大缓解芯片封装结构的翘曲、隐裂、开裂，提高了芯片封装结构的可靠性。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1是本技术一实施例的芯片封装结构的结构示意图；
[0017]图2至图10为本技术的芯片封装结构在制备过程的结构示意图。
具体实施方式
[0018]下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0019]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0020]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0021]此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0022]本实施例提供一种芯片封装结构，结合参考图1，包括：
[0023]硅中介板10，所述硅中介板10中设置有容纳槽；
[0024]位于所述容纳槽中的桥接芯片300，所述桥接芯片300的背面朝向容纳槽的底面；
[0025]位于所述桥接芯片300和所述容纳槽的底面之间的黏贴胶膜21；
[0026]位于所述桥接芯片300和所述容纳槽的侧部表面之间的塑封填充料22，所述硅中介板10的热膨胀系数小于所述塑封填充料22的热膨胀系数；
[0027]位于所述硅中介板10和桥接芯片300一侧的重布线结构30，所述重布线结构30与所述桥接芯片300电连接；
[0028]位于所述重布线结构30背离所述硅中介板10一侧的第一芯片100和第二芯片200，所述第一芯片100和第二芯片200通过所述重布线结构30和桥接芯片300互联。
[0029]本实施例的芯片封装结构，黏贴胶膜21用于将桥接芯片300固定在容纳槽的底面，通过少量的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：硅中介板，所述硅中介板中设置有容纳槽；位于所述容纳槽中的桥接芯片，所述桥接芯片的背面朝向容纳槽的底面；位于所述桥接芯片和所述容纳槽的底面之间的黏贴胶膜；位于所述桥接芯片和所述容纳槽的侧部表面之间的塑封填充料，所述硅中介板的热膨胀系数小于所述塑封填充料的热膨胀系数；位于所述硅中介板和桥接芯片一侧的重布线结构，所述重布线结构与所述桥接芯片电连接；位于所述重布线结构背离所述硅中介板一侧的第一芯片和第二芯片，所述第一芯片和第二芯片通过所述重布线结构和桥接芯片互联。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述塑封填充料的厚度小于或等于500微米。3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：贯穿所述硅中介板的导电连接件，所述导电连接件的一端与所述重布线结构电连接；位于所述硅中介板背离所述重布线结构一侧的互联焊球，所述互联焊球与所述导电连接件的另一端电连接。4.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述导电连接件包括：导电本体；位于所述导电本体的侧壁表面的阻挡层；位于所述阻挡层背离所述导电本体的侧壁表面的绝缘层。5.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：符海军，梁新夫，林煜斌，赵强，冯京，李雨，夏剑，陈飞洋，
申请(专利权)人：长电集成电路绍兴有限公司，
类型：新型
国别省市：