一种适于半导体压力传感器的密封结构制造技术

本发明专利技术提供了一种适于半导体压力传感器的密封结构，其利用胶水粘结压力传感器芯体与介质容器，实现密封，同时利用压紧结构压紧密封区域，实现固定，该密封结构提高了产品的可靠性和性能稳定性，其包括上盖、压力传感器芯体和介质容器；其特征在于：所述压力传感器芯体和介质容器之间通过胶水粘结，并且所述胶水用于将压力传感器芯体的底部进行密封；所述上盖与介质容器固定连接，所述上盖中设置有压紧结构，所述压紧结构与压力传感器芯体的顶部相抵接。抵接。抵接。

【技术实现步骤摘要】
一种适于半导体压力传感器的密封结构


[0001]本专利技术涉及压力传感器相关
，具体涉及一种适于半导体压力传感器的密封结构。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，半导体压力传感器也应运而生，其特点是体积小、质量轻、准确度高、温度特性好。尤其是随着MEMS技术的发展，半导体压力传感器向着微型化发展，其功耗小、可靠性高。半导体压力传感器按感知原件材质和测量原理具体分为：压阻式压力传感器、陶瓷压力传感器、扩散硅压力传感器、蓝宝石压力传感器、压电式压力传感器。无论以上哪一种类型的压力传感器，其核心部件都是压力测量器件。所述压力测量器件指的是压力传感器芯体，如infineon的SP270、HELM的HM12
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UC1等等。
[0003]在测试非单一大气环境压力的场合，其压力测量器件与介质容器之间的结合方式直接决定了整个传感器的的性能、寿命和成本。现有的压力测量器件与介质容器之间使用胶水粘接的结合密封方式存在产品寿命较短的问题；现有的压力测量器件与介质容器之间使用密封圈密封的结合密封方式存在产品性能不稳定的问题。

技术实现思路

[0004]为了解决上述内容中提到的问题，本专利技术提供了一种适于半导体压力传感器的密封结构，其利用胶水粘结压力传感器芯体与介质容器，实现密封，同时利用压紧结构压紧密封区域，实现固定，该密封结构提高了产品的可靠性和性能稳定性。
[0005]其技术方案是这样的：
[0006]一种适于半导体压力传感器的密封结构，其包括上盖、压力传感器芯体和介质容器；其特征在于：所述压力传感器芯体和介质容器之间通过胶水粘结，并且所述胶水用于将压力传感器芯体的底部进行密封；所述上盖与介质容器固定连接，所述上盖中设置有压紧结构，所述压紧结构与压力传感器芯体的顶部相抵接。
[0007]进一步的，所述压力传感器芯体设置在电路板上，所述电路板和介质容器之间通过胶水粘结，并且所述胶水用于将电路板的底部进行密封；所述压紧结构与电路板的顶部相抵接。
[0008]进一步的，所述压紧结构所抵接的位置和胶水密封的位置相对应。
[0009]进一步的，所述压紧结构具体为连接柱、连接板或者上盖侧壁。
[0010]进一步的，所述压紧结构与上盖为一体式设计。
[0011]进一步的，所述上盖与介质容器之间通过粘胶、螺钉、过盈配合或卡接进行固定连接。
[0012]本专利技术的有益效果为：
[0013]本专利技术通过利用胶水将压力传感器芯体或安装有压力传感器芯体的电路板与介质容器相粘结，实现密封，同时利用压紧结构压紧胶水密封区域，实现固定，该密封结构提
高了产品的可靠性和性能稳定性，解决现有技术中压力测量器件与介质容器之间使用胶水粘接的结合密封方式存在产品寿命较短的问题，以及压力测量器件与介质容器之间使用密封圈密封的结合密封方式存在产品性能不稳定的问题。
附图说明
[0014]图1为现有技术中胶水粘接密封的结构示意图；
[0015]图2为现有技术中密封圈密封的结构示意图；
[0016]图3为本专利技术密封结构的示意图；
[0017]图4为本专利技术密封结构的另一种情况的示意图；
[0018]图5为采用本专利技术密封结构的第一种压力传感器的示意图；
[0019]图6为采用本专利技术密封结构的第二种压力传感器的示意图；
[0020]图7为采用本专利技术密封结构的第三种压力传感器的示意图。
具体实施方式
[0021]下面结合实施例对本专利技术做进一步的描述。
[0022]以下实施例用于说明本专利技术，但不能用来限制本专利技术的保护范围。实施例中的条件可以根据具体条件做进一步的调整，在本专利技术的构思前提下对本专利技术的方法简单改进都属于本专利技术要求保护的范围。
[0023]如图1所示，a、b、c为现有技术中压力测量器件与介质容器之间使用胶水粘接的结合密封方式。这种方式在介质压力较大和长期高低压交变施压的工况下，胶水的粘接容易失效，造成介质泄露，从而污染环境和使传感器失效，影响传感器的寿命。图中附图标记1为压力测量器件、2为胶水、3为介质容器、4为被测介质、5为电路板。
[0024]如图2所示，d、e、f为现有技术中压力测量器件与介质容器之间使用密封圈密封的结合密封方式。压力测量器件与介质容器的连接固定需要另外的压紧装置来实现，密封圈实现密封需要一个原始压紧力将密封圈压紧，此时根据力的相互作用原理，密封圈也会对压力测量器件产生一个反向压力，而压力测量器件的工作原理就是根据感知应变结构的变形来测量压力值的，密封圈的反向压力会使压力测量器件初始的零变形变为微弱变形，因此会造成传感器测量结果失真较大，影响传感器的性能稳定性。图中附图标记1为压力测量器件、3为介质容器、4为被测介质、5为电路板、6为密封圈、7为压紧装置。
[0025]如图3所示，为本专利技术的一种适于半导体压力传感器的密封结构，其包括上盖10、压力传感器芯体8和介质容器3；所述压力传感器芯体8和介质容器3之间通过胶水2粘结，并且所述胶水2用于将压力传感器芯体8的底部进行密封；所述上盖10与介质容器3固定连接，所述上盖10中设置有压紧结构9，所述压紧结构9与压力传感器芯体8的顶部相抵接。所述压紧结构9所抵接的位置和胶水2密封的位置相对应，即压紧结构9和胶水2大致在同一竖直平面内。图3中附图标记4为被测介质。
[0026]如图4所示，为本专利技术密封结构的另一种情况：压力传感器芯体8焊接在电路板5上时，包括图4
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a和4
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b两种方式。所述电路板5和介质容器3之间通过胶水2粘结，并且所述胶水2用于将电路板5的底部进行密封；所述压紧结构9与电路板5的顶部相抵接。
[0027]优选的，所述压紧结构9具体为连接柱、连接板或者上盖侧壁。压紧结构9与上盖10
为一体式设计。所述上盖10与介质容器3之间通过粘胶、螺钉、过盈配合或卡接进行固定连接。
[0028]如图5所示，为采用本专利技术密封结构的一种压力传感器实例。所述压紧结构9具体为上盖10侧壁，抵接在压力传感器芯体8的顶部。上盖10侧壁的底部与介质容器3顶部相卡接固定。图中附图标记11为压力传感器的端子。
[0029]如图6所示，为采用本专利技术密封结构的第二种压力传感器实例。压力传感器芯体8焊接在电路板5上方，所述压紧结构9抵接在电路板5的顶部。
[0030]如图7所示，为采用本专利技术密封结构的第三种压力传感器实例。压力传感器芯体8焊接在电路板5下方，所述压紧结构9抵接在电路板5的顶部。
[0031]尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适于半导体压力传感器的密封结构，其包括上盖、压力传感器芯体和介质容器；其特征在于：所述压力传感器芯体和介质容器之间通过胶水粘结，并且所述胶水用于将压力传感器芯体的底部进行密封；所述上盖与介质容器固定连接，所述上盖中设置有压紧结构，所述压紧结构与压力传感器芯体的顶部相抵接。2.根据权利要求1所述的一种适于半导体压力传感器的密封结构，其特征在于：所述压力传感器芯体设置在电路板上，所述电路板和介质容器之间通过胶水粘结，并且所述胶水用于将电路板的底部进行密封；所述压紧结构与电路板的顶部相抵接。3.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：李子文，刘同庆，苏杰，
申请(专利权)人：无锡芯感智半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：