三频率移频键控发射机制造技术

本实用新型专利技术涉及一种改进型的移频键控发射机。发明专利技术目的是为了在移频键控发射机中，增加发射一个附加脉冲信号，使其与原信号同步发射。本目的是这样实现的：三频率移频键控发射机，包括有数字信号调制器和超高频振荡发射电路和低频滤波电路；其特征在于：还包括附加脉冲信号调制器；所述的附加脉溃信号调制器由晶体三极管Ｖ１、晶体二极管Ｄ１、稳压二极管Ｄ２、电阻（Ｒ３、Ｒ４）组成。本实用新型专利技术线路简单，解调方便。（*该技术在2011年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
三频率移频键控发射机，包括有数字信号调制器（１）和超高频振荡发射电路（２）和低频滤波电路（３）；所述的超高频振荡发射电路（２）由晶体三极管Ｖ２、电阻Ｒ６、Ｒ７、可变电容Ｃ３、穿心电容Ｃ４、Ｃ５、高Ｑ值微带线Ｓｔ、鞭状天线Ｗ、地网Ｓｃ组成；在超高频振荡发射电路（２）中，晶体三极管Ｖ２发射极接地，基极与偏置电阴Ｒ６、Ｒ７的接点相接，并通过可变电容Ｃ３接鞭状天线Ｗ，电阻Ｒ６另一端接电源正极，Ｒ７另一端接地。穿心电容Ｃ４、Ｃ５分别由晶体三极管Ｖ２的基极、发射极引出线穿心，接于集电极引出线。高Ｑ值微带线Ｓｔ、地网Ｓｃ和鞭状天线Ｗ为发射介质；所述的数字信号调制器１由电阻Ｒ１、Ｒ２组成，在数字信号调制器（１）中电阻Ｒ１与Ｒ２串联后接超高频发射电路２中晶体三极管Ｖ２基极；其特征在于：还包括附加脉冲信号调制器（４）；所述的附加脉溃信号调制器（４）由晶体三极管Ｖ１、晶体二极管Ｄ１、稳压二极管Ｄ２、电阻（Ｒ３、Ｒ４）组成；其中，电阻Ｒ３接晶体三极管Ｖ１基极，后者的发射极接地，集电极接稳压二极管Ｄ２正极，所述稳压二极管Ｄ２的负极一路接晶体二极管Ｄ１负极，另一路通过电阻Ｒ４接电源正极；晶体二极管Ｄ１正极与电阻Ｒ１、Ｒ２的接点相接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李吉明，
申请(专利权)人：上海无线电二十三厂，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]