一种晶振片的再生装置及工艺制造方法及图纸

一种晶振片的再生装置及工艺，再生装置包括：依次紧邻设置的紫外光照腔室、化学试剂浸泡腔室和无水乙醇清洗腔室；紫外光照腔室内部设有用于放置晶振片的承载台，在承载台上方设置紫外灯。再生工艺包括：紫外灯光照预处理，将报废晶振片置入紫外光照腔室；化学试剂清洗，将经过紫外光照后的晶振片放入化学试剂浸泡腔室浸泡30

【技术实现步骤摘要】
一种晶振片的再生装置及工艺


[0001]本专利技术属于电子元器件
，具体是指一种晶振片的再生装置及工艺。

技术介绍

[0002]晶振片在膜厚控制领域是必不可少的控制元器件。晶振片是通过石英棒经过反复切割和研磨，形成圆片，然后在圆片上下两面镀上金属电极。目前OLED制造过程中主要采用镀金电极。晶振片的工作原理就是晶振的频率会随着膜厚的增加而改变，通过测试频率的变化来确定膜厚和速率。但是，当晶振片沉积较厚膜层时，频率下降太多，震荡器不能稳定工作，产生跳频现象。此外，沉积较厚膜层时，将影响晶振片的振动模式，此时需要更换晶振片。因此，晶振片属于消耗型源器件，在使用后往往会报废掉，产生一笔很大的费用。
[0003]中国专利技术专利CN 203599144 U和中国专利技术专利CN 112923679A公开了通过加热装置去除晶振片上的有机薄膜，从而使晶振片频率恢复至原有频率，实现晶振片再生。采用加热再生工艺，存在以下几个问题：1、晶振片正常工作温度
‑
20～80℃，经过高温处理后，存在退极化效应，固有频率将下降；2、晶振片较薄易碎，经过快速升降温后，容易产生内应力，使晶片产生裂纹；3、加热设备复杂，处理成本较高。
[0004]中国技术专利CN213529921 U公开了一种采用20％氟化氢氨水溶液浸泡6小时再生晶振片的方法。虽然氟化氢氨能有效去除金属镀层，但有机薄膜镀层去除效果差，而且氟化氢氨会腐蚀石英晶体，再生后晶振片精度和寿命会下降。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题之一在于提供一种晶振片的再生装置，用于实现晶振片的再生工艺。
[0006]本专利技术所要解决的技术问题之二在于提供一种晶振片的再生工艺，该工艺的处理方法简单，再生后晶振片频率可恢复原值，能够实现晶振片重复利用。
[0007]本专利技术是这样实现的：
[0008]一种晶振片的再生装置，包括：依次紧邻设置的紫外光照腔室、化学试剂浸泡腔室和无水乙醇清洗腔室；所述紫外光照腔室内部设有用于放置晶振片的承载台，在所述承载台上方设置紫外灯；所述化学试剂浸泡腔室和所述无水乙醇清洗腔室的的外壳均采用304不锈钢。
[0009]进一步地，所述化学试剂浸泡腔室的内壁采用聚四氟乙烯作为内衬。
[0010]一种晶振片的再生工艺，使用如上所述的一种晶振片的再生装置，该再生工艺包括如下步骤：
[0011]步骤一：紫外灯光照预处理：
[0012]将报废晶振片置入紫外光照腔室的承载台上，紫外光从上往下直接照射晶振片；
[0013]步骤二：化学试剂清洗：
[0014]将经过紫外光照后的晶振片放入化学试剂浸泡腔室浸泡30
‑
60min；
[0015]步骤三：无水乙醇清洗：
[0016]化学试剂清洗后，放入无水乙醇清洗腔室进行清洗，去除晶振片上残留的化学试剂；
[0017]步骤四：压缩空气吹干。
[0018]进一步地，还包括：步骤五：再生后晶振片进行频率测试，若符合要求，即可上机重复使用。
[0019]进一步地，所述紫外灯的紫外光照度20
‑
50mw/cm2，波长185nm。
[0020]进一步地，所述步骤一中的紫外灯光照预处理，时间为5
‑
10min。
[0021]进一步地，所述化学试剂浸泡腔室内的化学试剂采用甲乙酮或乙酸乙酯。
[0022]本专利技术的优点在于：
[0023]1、与加热再生工艺相比，本专利技术采用常温处理，确保再生后晶振片的固有频率不会发生变化。
[0024]2、本专利技术采用紫外灯光照预处理，使晶振片上的有机分子先反应生成不稳定基团，有利于下一步的化学试剂浸泡清洗，晶振片上的有机薄膜去除率高。
[0025]3、本专利技术采用甲乙酮或乙酸乙酯试剂清洗，不会损伤晶振片上的电极和石英晶片，不影响再生后晶振片的寿命。
[0026]4、本专利技术处理工艺简单，再生后晶振片频率可恢复原值，能够实现晶振片重复利用。
附图说明
[0027]下面参照附图结合实施例对本专利技术作进一步的描述。
[0028]图1是本专利技术的再生工艺所使用的再生装置结构示意图。
[0029]图2是本专利技术的再生工艺流程示意图。
[0030]附图标记：
[0031]1、紫外光照腔室11、承载台12、紫外灯2、化学试剂浸泡腔室21、内衬3、无水乙醇清洗腔室100、晶振片
具体实施方式
[0032]如图1所示，本专利技术的一种晶振片的再生工艺所使用的再生装置，包含三个腔室依次紧邻设置，从左到右分别为紫外光照腔室1、化学试剂浸泡腔室2和无水乙醇清洗腔室3。紫外光照腔室1内部设有用于放置晶振片100的承载台11，在所述承载台11上方设置紫外灯12。化学试剂浸泡腔室2的外壳采用304不锈钢，并且采用聚四氟乙烯为内衬21，防止腔室壁被化学试剂腐蚀。无水乙醇清洗腔室3的的外壳也采用304不锈钢。具体的再生工艺如图2所示，包括如下步骤：
[0033]步骤一：紫外灯UV光照预处理：
[0034]将报废晶振片100置入紫外光照腔室1内的承载台11上，进行紫外灯光照预处理，时间为5
‑
10min。紫外灯12的紫外光照度20
‑
50mw/cm2，波长185nm；
[0035]大多数碳氢化合物对185nm波长的紫外光具有较强的吸收能力，有机物吸收紫外光的能量后分解成离子、游离态原子、受激分子等；同时高能紫外光可以激发空气产生极强
氧化能力的臭氧、自由基等活性物种，攻击晶振片100上有机分子的化学键，发生解链，形成不稳定基团。
[0036]步骤二：化学试剂清洗：
[0037]将经过紫外光照后的晶振片放入化学试剂浸泡腔室2浸泡30
‑
60min；化学试剂浸泡腔室内的化学试剂采用甲乙酮或乙酸乙酯；在浸泡过程中，晶振片上的经紫外光照后形成的不稳定基团发生溶解脱落。
[0038]步骤三：无水乙醇清洗：
[0039]化学试剂清洗后，放入无水乙醇清洗腔室3进行清洗，去除晶振片上残留的化学试剂。
[0040]步骤四：压缩空气吹干。
[0041]无水乙醇清洗后，采用压缩空气进行吹干。
[0042]步骤五：再生后的晶振片进行频率测试，若符合要求，即可上机重复使用。
[0043]与加热再生工艺相比，本专利技术采用常温处理，确保再生后晶振片的固有频率不会发生变化。本专利技术采用紫外灯光照预处理，使晶振片上的有机分子先反应生成不稳定基团，有利于下一步的化学试剂浸泡清洗，晶振片上的有机薄膜去除率高。本专利技术采用甲乙酮或乙酸乙酯试剂清洗，不会损伤晶振片上的电极和石英晶片，不影响再生后晶振片的寿命。本专利技术处理工艺简单，再生后晶振片频率可恢复原值，能够实现晶振片重复利用。
[0044]以上所述仅为本专利技术的较佳实施用例而已，并非用于限定本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶振片的再生装置，其特征在于：包括：依次紧邻设置的紫外光照腔室、化学试剂浸泡腔室和无水乙醇清洗腔室；所述紫外光照腔室内部设有用于放置晶振片的承载台，在所述承载台上方设置紫外灯；所述化学试剂浸泡腔室和所述无水乙醇清洗腔室的的外壳均采用304不锈钢。2.如权利要求1所述的一种晶振片的再生装置，其特征在于：所述化学试剂浸泡腔室的内壁采用聚四氟乙烯作为内衬。3.一种晶振片的再生工艺，其特征在于：使用如权利要求1或2所述的一种晶振片的再生装置，该再生工艺包括如下步骤：步骤一：紫外灯光照预处理：将报废晶振片置入紫外光照腔室的承载台上，紫外光从上往下直接照射晶振片；步骤二：化学试剂清洗：将经过紫外光照后的晶振片放入化学试剂浸泡腔室浸泡30
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【专利技术属性】
技术研发人员：林啟维，
申请(专利权)人：华映科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：