半导体封装结构及其形成方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种半导体封装结构，包括：模制化合物，包覆导电线；上基板，位于模制化合物上，模制化合物具有用于容纳上基板的第一元件的腔。本发明专利技术的目的在于提供一种半导体封装结构及其形成方法，以提高半导体封装结构的良率。结构的良率。结构的良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其形成方法


[0001]本专利技术的实施例涉及半导体封装结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]现有的接合线(Bond wire)栅栏型的屏蔽(shielding)结构，基板利用率及可施做性优于金属盖(metal lid)，特别是接合通孔阵列(bond via array，BVA)，虽然屏蔽效能劣于金属盖，但应用于屏蔽低频电磁波已足够。
[0003]BVA栅栏型的屏蔽结构常应用于错位应力存储器(DSM)的屏蔽隔间(compartment shielding)，藉由从模制化合物(molding compound)露出的接合端子(bond end)与共形屏蔽层(conformal shielding layer)接触形成屏蔽隔间。然而，在3D堆叠结构中，在上、下基板堆叠时，由于BVA的各接合线高度因制程控制误差而不一致，使得上基板不易对准BVA一端的接合线，导致屏蔽效果不如预期。

技术实现思路

[0004]针对相关技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种半导体封装结构及其形成方法，以提高半导体封装结构的良率。
[0005]为实现上述目的，本专利技术的实施例提供了一种半导体封装结构，包括：模制化合物，包覆导电线；上基板，位于模制化合物上，模制化合物具有用于容纳上基板的第一元件的腔。
[0006]在一些实施例中，还包括：下基板，模制化合物位于下基板上，模制化合物包封下基板上的第二元件。
[0007]在一些实施例中，导电线从下基板延伸至上基板。
[0008]在一些实施例中，多条导电线围绕第二元件，导电线的每条电连接并支撑上基板和下基板。
[0009]在一些实施例中，导电线的每条具有统一的高度。
[0010]在一些实施例中，还包括：下基板上的第三元件，包封在模制化合物中，第三元件位于第一元件的下方。
[0011]在一些实施例中，还包括：中介结构，位于上基板和下基板之间并与腔相邻，中介结构用于电导通上基板和下基板。
[0012]在一些实施例中，还包括：填充材料，位于中介结构与上基板之间并填充腔。
[0013]本申请的实施例提供了一种半导体封装结构，包括：上基板、下基板及位于上基板和下基板之间的中介结构，中介结构电导通上基板和下基板；模制化合物，位于上基板和下基板之间，并与中介结构相邻，模制化合物用于支撑上基板。
[0014]在一些实施例中，还包括：多条导电线，分别从上基板延伸至下基板，多条导电线围绕下基板上的第二元件。
[0015]在一些实施例中，多条导电线具有相同的高度。
[0016]在一些实施例中，模制化合物具有容纳上基板的第一元件的腔，第一元件位于上基板的下表面上，并且位于第二元件的直接上方。
[0017]在一些实施例中，多条导电线也包围腔以及位于腔中的第一元件。
[0018]在一些实施例中，上基板具有多个第一元件，部分第一元件由导电线包围，另一部分第一元件位于导电线外。
[0019]在一些实施例中，下基板还包括位于导电线外的第三元件，第三元件与中介结构相邻。
[0020]在一些实施例中，还包括：填充材料，位于腔中，并且位于中介结构及上基板之间。
[0021]在一些实施例中，第一元件和第二元件为具有不同功能的芯片。
[0022]在一些实施例中，多条导电线的顶面与模制化合物齐平。
[0023]在一些实施例中，多条导电线的延伸方向为垂直方向。
[0024]本申请的实施例另一方面提供一种形成半导体封装结构的方法，包括：在下基板上设置中介结构；在下基板上设置多条导电线；使用模制化合物包封中介结构及多条导电线；使用平坦化工艺去除部分模制化合物以暴露多条导电线；将上基板设置在中介结构、模制化合物和多条导电线上，上基板接触多条导电线。
[0025]在一些实施例中，相邻的上基板之间具有缝隙，缝隙暴露中介结构，通过缝隙在腔中以及中介结构和上基板之间设置填充材料。
[0026]在一些实施例中，还包括：沿缝隙切割中介结构和下基板，以形成单片化的半导体封装结构。
附图说明
[0027]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0028]图1示出了现有技术的实施例。
[0029]图2至图8示出了根据本申请实施例的半导体封装结构及形成过程。
[0030]图9示出了本申请的另一实施例的半导体封装结构。
具体实施方式
[0031]为更好的理解本申请实施例的精神，以下结合本申请的部分优选实施例对其作进一步说明。
[0032]本申请的实施例将会被详细的描示在下文中。在本申请说明书全文中，将相同或相似的组件以及具有相同或相似的功能的组件通过类似附图标记来表示。在此所描述的有关附图的实施例为说明性质的、图解性质的且用于提供对本申请的基本理解。本申请的实施例不应该被解释为对本申请的限制。
[0033]如本文中所使用，术语“大致”、“大体上”、“实质”及“约”用以描述及说明小的变化。当与事件或情形结合使用时，所述术语可指代其中事件或情形精确发生的例子以及其中事件或情形极近似地发生的例子。举例来说，当结合数值使用时，术语可指代小于或等于所述数值的
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10％的变化范围，例如小于或等于
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5％、小于或等于
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4％、小于或等于
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3％、小于或等于
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2％、小于或等于
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1％、小于或等于
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0.5％、小于或等于
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0.1％、或小于或等于
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0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差值小于或等于所述值的平均值的
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10％(例如小于或等于
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5％、小于或等于
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4％、小于或等于
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3％、小于或等于
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2％、小于或等于
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1％、小于或等于
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0.5％、小于或等于
±
0.1％、或小于或等于
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0.05％)，那么可认为所述两个数值“大体上”相同。
[0034]在本说明书中，除非经特别指定或限定之外，相对性的用词例如：“中央的”、“纵向的”、“侧向的”、“前方的”、“后方的”、“右方的”、“左方的”、“内部的”、“外部的”、“较低的”、“较高的”、“水平的”、“垂直的”、“高于”、“低于”、“上方的”、“下方的”、“顶部的”、“底部的”以及其衍生性的用词(例如“水平地”、“向下地”、“向上地”等等)应该解释成引用在讨论中所描述或在附图中所描示的方向。这些相对性的用词仅用于描述上的方便，且并不要求将本申请以特定的方向建构或操作。
[0035]另外，有时在本文中以范围格式呈现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：模制化合物，包覆导电线；上基板，位于所述模制化合物上，所述模制化合物具有用于容纳所述上基板的第一元件的腔。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：下基板，所述模制化合物位于所述下基板上，所述模制化合物包封所述下基板上的第二元件。3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述导电线从所述下基板延伸至所述上基板。4.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，多条所述导电线围绕所述第二元件，所述导电线的每条电连接并支撑所述上基板和所述下基板。5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述导电线的每条具有统一的高度。6.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：所述下基板上的第三元件，包封在所述模制化合物中，所述第三元件位于所述第一元件的下方。7.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：中介结构，位于所述上基板和所述下基板之间并与所述腔相邻，所述中介结构用于电导通所述上基板和所述下基板。8.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：填充材料，位于所述中介结构与所述上基板之间并填充所述腔。9.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：上基板、下基板及位于所述上基板和所述下基板之间的中介结构，所述中介结构电导通所述上基板和所述下基板；模制化合物，位于所述上基板和所述下基板之间，并与所述中介结构相邻，所述模制化合物用于支撑所述上基板。10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：多条导电线，分别从所述上基板延伸至所述下基板，所述多条导电线围绕所述下基板上的第二元件。11.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其特征在于，所述多条导电线具有相同的高度。12.根据权利要求10所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：张维浩，张维栋，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：