调整谐振频率的方法、谐振器、滤波器及半导体器件技术

本发明专利技术实施例公开了一种调整谐振频率的方法、谐振器、滤波器及半导体器件。所述方法包括：对体声波谐振器进行频率测试，其中，所述谐振器包括衬底、声学镜、底电极、压电层、顶电极和钝化层；当所述谐振器的谐振频率高于目标频率时，在所述谐振器的待处理层层或部分所述待处理层上沉积预定厚度的补长层，以使所述谐振器的谐振频率达到目标频率，所述待处理层为所述钝化层或所述钝化层的上层结构层。本发明专利技术可在谐振器测试后，对高于目标频率的谐振器的调整谐振频率，调整精度更高。还可对滤波器中高于目标频率或低于目标频率的部分谐振器进行频率调整，实现对滤波器的局部频率的调整。实现对滤波器的局部频率的调整。实现对滤波器的局部频率的调整。

【技术实现步骤摘要】
调整谐振频率的方法、谐振器、滤波器及半导体器件


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种调整谐振频率的方法、谐振器、滤波器及半导体器件。

技术介绍

[0002]薄膜体声波谐振器在制作过程中，各膜层可能会因工艺导致膜厚有偏差，使得谐振频率发生偏移。相关技术一般是在谐振器制作过程中通过修整钝化层来实现，然而其频率修整速率难以精准控制，调整精度有限，且只能将实际频率低于目标频率的谐振器进行频率调整。

技术实现思路

[0003]为解决上述问题，本专利技术的目的在于提供一种调整谐振频率的方法、谐振器、滤波器及半导体器件。
[0004]本专利技术实施例提供了一种调整谐振频率的方法，所述方法包括：
[0005]对体声波谐振器进行频率测试，其中，所述谐振器包括衬底、声学镜、底电极、压电层、顶电极和钝化层；
[0006]当所述谐振器的谐振频率高于目标频率时，在所述谐振器的待处理层或部分所述待处理层上沉积预定厚度的补长层，以使所述谐振器的谐振频率达到目标频率，其中，所述待处理层为所述钝化层或所述钝化层的上层结构层。
[0007]作为本专利技术进一步的改进，所述谐振器还设有质量负载层，所述质量负载层在所述钝化层沉积前形成或在所述钝化层沉积后形成。
[0008]作为本专利技术进一步的改进，所述补长层的厚度根据所述谐振器的谐振频率和所述目标频率之间的频率差确定。
[0009]作为本专利技术进一步的改进，所述补长层的材料为介质材料或金属材料。
[0010]作为本专利技术进一步的改进，所述补长层的材料与所述钝化层的材料相同。
[0011]作为本专利技术进一步的改进，所述在所述待处理层或部分所述待处理层上沉积预定厚度的补长层，包括：
[0012]在所述待处理层上沉积第一阻挡层；
[0013]在所述第一阻挡层上涂敷第一光刻胶层；
[0014]在所述第一光刻胶层上光刻形成第一光刻图形，所述第一光刻图形的位置与所述钝化层上要沉积所述补长层的位置相对应；
[0015]在所述第一光刻图形位置处，对所述第一阻挡层进行刻蚀，以露出所述待处理层；
[0016]去除所述第一光刻胶层；
[0017]在所述露出的待处理层上和所述第一阻挡层上沉积补长材料层；
[0018]在沉积在所述待处理层上的补长材料层上涂敷第二光刻胶层，并光刻形成第二光刻图形；
[0019]将所述第二光刻胶层所覆盖的区域之外的补长材料层去除；
[0020]去除所述第二光刻胶层和所述第一阻挡层，在所述待处理层上形成所述补长层。
[0021]作为本专利技术进一步的改进，所述第一阻挡层采用介质材料。
[0022]作为本专利技术进一步的改进，所述补长层的横向宽度大于或等于有效区域的宽度，其中，所述声学镜、底电极、所述压电层和所述顶电极在所述谐振器厚度方向的重叠区域构成所述有效区域。
[0023]作为本专利技术进一步的改进，在有至少两个体声波谐振器时，所述方法还包括：当所述至少两个体声波谐振器中的部分谐振器的谐振频率高于目标频率时，对所述部分谐振器进行补长层的沉积，以使所述部分谐振器的谐振频率达到目标频率。
[0024]本专利技术实施例还提供了一种调整谐振频率的方法，所述方法包括：
[0025]对滤波器中各个体声波谐振器进行频率测试，其中，所述滤波器包括至少两个所述谐振器，每个所述谐振器包括衬底、声学镜、底电极、压电层、顶电极和钝化层；
[0026]当所述滤波器中的部分谐振器的谐振频率低于目标频率时，对所述部分谐振器的所述钝化层或部分所述钝化层按照预定厚度减薄，以使所述部分谐振器的谐振频率达到目标频率。
[0027]作为本专利技术进一步的改进，所述钝化层或部分所述钝化层被减薄的厚度根据所述谐振器的谐振频率和所述目标频率之间的频率差确定。
[0028]作为本专利技术进一步的改进，所述将所述钝化层或部分所述钝化层按照预定厚度减薄，包括：
[0029]在所述钝化层上形成第二阻挡层；
[0030]在所述第二阻挡层上刻蚀或光刻形成第三光刻图形，所述第三光刻图形的位置与所述钝化层要被减薄的位置相对应；
[0031]在所述第三光刻图形位置处，对所述第二阻挡层进行刻蚀，以露出所述钝化层；
[0032]对所述钝化层进行减薄处理，得到减薄钝化层；
[0033]去除所述第二阻挡层。
[0034]作为本专利技术进一步的改进，所述第二阻挡层采用介质材料或光刻胶。
[0035]作为本专利技术进一步的改进，所述对所述钝化层进行减薄处理，得到减薄钝化层，包括：
[0036]对所述钝化层进行修整，或，
[0037]对所述钝化层进行轰击。
[0038]作为本专利技术进一步的改进，被减薄的所述钝化层或部分所述钝化层的横向宽度大于或等于有效区域的宽度，其中，所述声学镜、所述底电极、所述压电层和所述顶电极在所述谐振器厚度方向的重叠区域构成所述有效区域。
[0039]本专利技术实施例还提供了一种体声波谐振器，所述谐振器包括：衬底、声学镜、底电极、压电层、顶电极、钝化层和补长层，其中，所述补长层是对体声波谐振器进行频率测试后，按照预定厚度沉积在所述谐振器的待处理层或部分所述待处理层上形成，其中，所述待处理层为所述钝化层或所述钝化层的上层结构层。
[0040]作为本专利技术进一步的改进，所述谐振器还设有质量负载层，所述质量负载层在所述钝化层沉积前形成或在所述钝化层沉积后形成。
[0041]作为本专利技术进一步的改进，所述补长层的厚度根据所述谐振器的谐振频率和所述目标频率之间的频率差确定。
[0042]作为本专利技术进一步的改进，所述补长层的材料为介质材料或金属材料。
[0043]作为本专利技术进一步的改进，所述补长层的材料与所述钝化层的材料相同。
[0044]作为本专利技术进一步的改进，所述补长层通过以下方法沉积：
[0045]在所述待处理层上沉积第一阻挡层；
[0046]在所述第一阻挡层上涂敷第一光刻胶层；
[0047]在所述第一光刻胶层上光刻形成第一光刻图形，所述第一光刻图形的位置与所述待处理层上要沉积所述补长层的位置相对应；
[0048]在所述第一光刻图形位置处，对所述第一阻挡层进行刻蚀，以露出所述待处理层；
[0049]去除所述第一光刻胶层；
[0050]在所述露出的待处理层上和所述第一阻挡层上沉积补长材料层；
[0051]在沉积在所述待处理层上的补长材料层上涂敷第二光刻胶层，并光刻形成第二光刻图形；
[0052]将所述第二光刻胶层所覆盖的区域之外的补长材料层去除；
[0053]去除所述第二光刻胶层和所述第一阻挡层，在所述待处理层上形成所述补长层。
[0054]作为本专利技术进一步的改进，所述第一阻挡层采用介质材料。
[0055]作为本专利技术进一步的改进，所述补长层的横向宽度大于或等于有效区域的宽度，其中，所述声学镜、底电极、所述压电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种调整谐振频率的方法，其特征在于，所述方法包括：对体声波谐振器进行频率测试，其中，所述谐振器包括衬底、声学镜、底电极、压电层、顶电极和钝化层；当所述谐振器的谐振频率高于目标频率时，在所述谐振器的待处理层或部分所述待处理层上沉积预定厚度的补长层，以使所述谐振器的谐振频率达到目标频率，其中，所述待处理层为所述钝化层或所述钝化层的上层结构层。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述谐振器还设有质量负载层，所述质量负载层在所述钝化层沉积前形成或在所述钝化层沉积后形成。3.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述补长层的厚度根据所述谐振器的谐振频率和所述目标频率之间的频率差确定。4.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述补长层的材料为介质材料或金属材料。5.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述补长层的材料与所述钝化层的材料相同。6.如权利要求1或2所示的方法，其中，所述在所述待处理层或部分所述待处理层上沉积预定厚度的补长层，包括：在所述待处理层上沉积第一阻挡层；在所述第一阻挡层上涂敷第一光刻胶层；在所述第一光刻胶层上光刻形成第一光刻图形，所述第一光刻图形的位置与所述待处理层上要沉积所述补长层的位置相对应；在所述第一光刻图形位置处，对所述第一阻挡层进行刻蚀，以露出所述待处理层；去除所述第一光刻胶层；在所述露出的待处理层上和所述第一阻挡层上沉积补长材料层；在沉积在所述待处理层上的补长材料层上涂敷第二光刻胶层，并光刻形成第二光刻图形；将所述第二光刻胶层所覆盖的区域之外的补长材料层去除；去除所述第二光刻胶层和所述第一阻挡层，在所述待处理层上形成所述补长层。7.如权利要求6所述的方法，其中，所述第一阻挡层采用介质材料。8.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述补长层的横向宽度大于或等于有效区域的宽度，其中，所述声学镜、底电极、所述压电层和所述顶电极在所述谐振器厚度方向的重叠区域构成所述有效区域。9.如权利要求1或2所述的方法，其中，在有至少两个体声波谐振器时，所述方法还包括：当所述至少两个体声波谐振器中的部分谐振器的谐振频率高于目标频率时，对所述部分谐振器进行补长层的沉积，以使所述部分谐振器的谐振频率达到目标频率。10.一种调整谐振频率的方法，其特征在于，所述方法包括：对滤波器中各个体声波谐振器进行频率测试，其中，所述滤波器包括至少两个体声波谐振器，每个所述谐振器包括衬底、声学镜、底电极、压电层、顶电极和钝化层；当所述滤波器中的部分谐振器的谐振频率低于目标频率时，对所述部分谐振器的所述钝化层或部分所述钝化层按照预定厚度减薄，以使所述部分谐振器的谐振频率达到目标频率。11.如权利要求10所述的方法，其中，所述钝化层或部分所述钝化层被减薄的厚度根据
所述谐振器的谐振频率和所述目标频率之间的频率差确定。12.如权利要求10所述的方法，其中，所述将所述钝化层或部分所述钝化层按照预定厚度减薄，包括：在所述钝化层上形成第二阻挡层；在所述第二阻挡层上光刻形成第三光刻图形，所述第三光刻图形的位置与所述钝化层要被减薄的位置相对应；在所述第三光刻图形位置处，对所述第二阻挡层进行刻蚀，以露出所述钝化层；对所述钝化层进行减薄处理，得到减薄钝化层；去除所述第二阻挡层。13.如权利要求12所述的方法，其中，所述第二阻挡层采用介质材料或光刻胶。14.如权利要求12所述的方法，其中，所述对所述钝化层进行减薄处理，得到减薄钝化层，包括：对所述钝化层进行修整，或，对所述钝化层进行轰击。15.如权利要求10所述的方法，其中，被减薄的所述钝化层或部分所述钝化层的横向宽度大于或等于有效区域的宽度，其中，所述声学镜、所述底电极、所述压电层和所述顶电极在所述谐振器厚度方向的重叠区域构成所述有效区域。16.一种体声波谐振器，其特征在于，所述谐振器包括：衬底、声学镜、底电极、压电层、顶电极、钝化层和补长层，其中，所述补长层是对体声波谐振器进行频率测试后，按照预定厚度沉积在所述谐振器的待处理层或部分所述待处理层上形成，...

【专利技术属性】
技术研发人员：季艳丽，张巍，
申请(专利权)人：诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：