一种晶圆激光隐切设备透明载台制造技术

本发明专利技术提供一种晶圆激光隐切设备透明载台，所述载台上表面设置用于放置晶圆的晶圆放置区，载台上表面还设置吸附区，所述载台上设置负压吸附气路，所述负压吸附气路一端设置在吸附区，另一端通过管道连通负压源，所述载台上表面包括透光材料制成的透明区，所述透明区包含并且大于所述晶圆放置区的晶圆轮廓线周边区域。本发明专利技术的晶圆通过负压吸附结构固定在载台上，晶圆被吸附后，晶圆不发光，晶圆周围的透明区透光，能够把晶圆的轮廓清晰的显明出来，能够更准确的辨识晶圆的位置。能够更准确的辨识晶圆的位置。能够更准确的辨识晶圆的位置。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆激光隐切设备透明载台


[0001]本专利技术属于晶圆加工领域，具体涉及一种晶圆激光隐切设备透明载台。

技术介绍

[0002]晶圆加工属于高精度的加工行业，微小的误差就会对晶圆加工结果有一定的影响，最终影响产品质量。在半导体晶圆切割领域，随着大规模集成电路集成化程度的不断提高，半导体产业对硅晶圆尺寸大小的要求越来越高，对其加工精度的要求也更加严格。硅晶圆载盘是激光切割以及其他的工序中用于放置硅晶圆的机构。硅晶圆吸附的稳定以及精度可以影响其上晶圆的位置，从而影响晶圆的精度。提高硅晶圆载台的精度对于高精度晶圆加工很重要。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种晶圆激光隐切设备透明载台。
[0004]本专利技术的目的是以下述方式实现的：一种晶圆激光隐切设备透明载台，所述载台上表面设置用于放置晶圆的晶圆放置区，载台上表面还设置吸附区，所述载台上设置负压吸附气路，所述负压吸附气路一端设置在吸附区，另一端通过管道连通负压源，所述载台上表面包括透光材料制成的透明区，所述透明区包含并且大于所述晶圆放置区的晶圆轮廓线周边区域。
[0005]所述载盘上距离光源最近的位置为光源接收面，所述光源接收面和载盘的透明区之间为透光材料制成，所述光源接收面和透明区位于所述光源的同侧。
[0006]所述载盘内设置用于放置发光体的光源容纳腔；所述光源容纳腔位于所述透明区的正下方，所述光源容纳腔对应的尺寸大于所述晶圆放置区的尺寸。
[0007]所述载台包括内部中空、上端开口的基座以及设置在基座开口端的载盘，所述基座内设置光源容纳腔以及设置在光源容纳腔上端的载盘安装腔；所述载盘设置在所述载盘安装腔内。
[0008]所述基座包括第一基座和固定设置在第一基座上的具有第二基座，所述光源容纳腔设置在第一基座内或者分别设置在第一基座内以及第二基座底端，所述载盘安装腔设置在第二基座上端，所述载盘安装腔的形状小于所述光源容纳腔的形状。
[0009]所述基座和所述载台以及设置在光源安装腔内的光源之间围成负压腔，所述载台上设置连通负压腔的出气口，所述出气口通过管道连通负压源，所述负压吸附气路连通所述负压腔。
[0010]所述负压吸附气路包括均布在所述载盘上的吸附孔，所述吸附孔下方连通所述负压腔。
[0011]所述透光材料为石英，所述透明区为石英制成。
[0012]所述光源容纳腔内设置光源，所述光源容纳腔形状为圆柱形，所述光源为圆柱形LED灯，所述光源形状与所述光源容纳腔形状对应。
[0013]本专利技术的晶圆通过负压吸附结构固定在载台上，晶圆放置区以及其边缘都设置成透明区，载台内部或者下部设置光源后，在设备使用过程中透明区发亮。晶圆被吸附后，晶圆不发光，晶圆周围的透明区透光，能够把晶圆的轮廓清晰的显明出来，能够更准确的辨识晶圆的位置。载台上设置吸附气路，能够有效并且均匀的提供吸附力，从而稳固的吸附其上的晶圆。
附图说明
[0014]图1是载台立体图。图2是载盘立体图。图3是第二基座立体图。图4是第一基座立体图。图5是图1俯视图。图6是图5的E部分放大图。图7是图5的A
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A方向剖视图。图8是图7的B部分放大图。图9是带有中间通孔的载台实施例。图10是图9的俯视图。图11是图10的C
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C向剖视图。图12是图11的D部分放大图。图13是图9中载台的基座立体示意图。图14是图13的剖视图。图15是覆膜工作台示意图。图16是图15的主视图。图17是图15的俯视图。图18是激光隐切设备示意简图。
[0015]其中，2是载台、20是透明区，21是第一基座、22是第二基座、23是载盘、24是载盘安装腔、25是光源安装腔、26是基座、27是环形吸附槽、28是径向吸附槽、29是竖负压槽、30是导气孔、31是第一竖向气体通道、32是中心通孔、33是基座横向负压槽、34是第二竖向气体通道、35是环形气体槽、36是中间通孔、37是第一环形板、38是第二环形板、39是第三竖向空气通道、40是吸附通孔、41是分隔槽、42是出气孔、5是光源、6是覆膜工作台、60是升降支柱、61是升降驱动机构、62是底架、63是门型框架、64是压膜气缸、65是压膜辊、7是工作台、70是支撑导轨、71是横梁、72是纵向移动台、73是激光切割机构、74是视觉定位机构、75是安装架。
具体实施方式
[0016]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，本申请使用的技术术语应当为本专利技术所述技术人员所理解的通常意义。术语“相连”“连接”“固定”“设置”等应做广义理解，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连；可以是机械连接、也可以是电连接。除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”或者“上方”或者“上面”等可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”或“下方”或“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。诸如第一、第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另外一个实体或者操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。描述中使用的术语比如“中心”“横向”“纵向”“长度”“宽度”“厚度”“高度”“前”“后”“左”“右”“上”“下”“竖直”“水平”“顶”“底”“内”“外”“轴向”“径向”“周向”“顺时针”“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或者暗示所指的装置或者原件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作。
[0017]以下将结合附图以及具体实施例，对本专利技术的技术方案进行清楚、完整的描述。如
图1
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8所示，一种晶圆激光隐切设备透明载台2，所述载台2上表面设置用于放置晶圆的晶圆放置区，载台2上表面还设置吸附区，所述载台2上设置负压吸附气路，所述负压吸附气路一端设置在吸附区，另一端通过管道连通负压源。所述载台2上表面包括透光材料制成的透明区20，所述透明区20包含并且大于所述晶圆放置区的晶圆轮廓线周边区域。本专利技术晶圆通过负压吸附结构固定在载台2上，但是晶圆放置区靠近晶圆轮廓线的区域以及其外部边缘区域都设置成透明区20，载台2内部或者下部设置光源5后，在设备使用过程中透明区20发亮。晶圆被吸附后，晶圆不发光，晶圆周围的透明区20透光，能够把晶圆的轮廓清晰的显明出来，能够更准备的辨识晶圆的位置。和光学定位机构结合，可以提高晶圆的定位精度，从而提高隐切设备的精度。这里晶圆放置区的面积与晶圆的尺寸对应，实际加工过程中，如果晶圆设置在晶圆框中，那么这里的晶圆尺寸就是包括晶圆框的整个不透光晶圆组件的最大尺寸，晶圆轮廓线就是包括晶圆框的不透光晶圆组件的外轮廓线。负压吸附气路以及管道。这里的周边区域，指靠近外边缘的区域，透明本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆激光隐切设备透明载台，所述载台上表面设置用于放置晶圆的晶圆放置区，载台上表面还设置吸附区，所述载台上设置负压吸附气路，所述负压吸附气路一端设置在吸附区，另一端通过管道连通负压源，其特征在于：所述载台上表面包括透光材料制成的透明区，所述透明区包含并且大于所述晶圆放置区的晶圆轮廓线周边区域。2.根据权利要求1所述一种晶圆激光隐切设备透明载台，其特征在于：所述载盘上距离光源最近的位置为光源接收面，所述光源接收面和载盘的透明区之间为透光材料制成，所述光源接收面和透明区位于所述光源的同侧。3.根据权利要求2所述一种晶圆激光隐切设备透明载台，其特征在于：所述载盘内设置用于放置发光体的光源容纳腔；所述光源容纳腔位于所述透明区的正下方，所述光源容纳腔对应的尺寸大于所述晶圆放置区的尺寸。4.根据权利要求3所述一种晶圆激光隐切设备透明载台，其特征在于：所述载台包括内部中空、上端开口的基座以及设置在基座开口端的载盘，所述基座内设置光源容纳腔以及设置在光源容纳腔上端的载盘安装腔；所述载盘设置在所述载盘安装腔内。5.根据权利要求4所述一种晶圆激光隐切设备透明载台，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶为银，
申请(专利权)人：河南通用智能装备有限公司，
类型：发明
国别省市：