清洁方法和半导体装置的制造方法制造方法及图纸

关于本公开的一个方式的清洁方法，通过将静电吸盘暴露于等离子体，并将所述静电吸盘的电位与所述等离子体的电位的关系保持为电子电流从所述等离子体朝向所述静电吸盘流入的关系，来清洁静电吸盘。来清洁静电吸盘。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】清洁方法和半导体装置的制造方法


[0001]本公开涉及一种清洁方法和半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]已知如下的技术：通过使由等离子体放电产生的氩离子与静电吸盘碰撞，来对附着于静电吸盘上的污染物质进行等离子体蚀刻(例如参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2002
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280365号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种能够抑制对静电吸盘的表面造成的损伤，并且去除附着于静电吸盘上的附着物的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]关于本公开的一个方式的清洁方法，通过将静电吸盘暴露于等离子体，并将所述静电吸盘的电位与所述等离子体的电位的关系保持为电子电流从所述等离子体朝向所述静电吸盘流入的关系，来清洁静电吸盘。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，能够抑制对静电吸盘的表面造成的损伤，并且去除附着于静电吸盘上的附着物。
附图说明
[0012]图1是示出实施方式的成膜装置的一例的概要图。
[0013]图2是示出实施方式的半导体装置的制造方法的一例的流程图。
具体实施方式
[0014]下面，参照附图来说明本公开的非限定性的例示的实施方式。在所有附图中，对相同或对应的构件或部件标注相同或对应的参照附图标记，并且省略重复的说明。
[0015]〔成膜装置〕
[0016]参照图1来说明实施方式的成膜装置的一例。图1是示出实施方式的成膜装置的一例的概要图。在以下的实施方式中，例示并说明成膜装置是通过等离子体CVD(PECVD：Plasma
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Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积)来在基板上形成钛(Ti)膜的等离子体CVD装置的情况。
[0017]成膜装置1具备由处理容器构成的处理室11，该处理容器是气密地构成的大致圆筒状的容器。在处理室11内，用于水平地吸附保持作为基板的一例的半导体晶圆(以下称为
“
晶圆W”。)的载物台12以被设置于其中央的下部的大致圆筒状的支承构件13支承的状态配置。
[0018]载物台12由氮化铝(AlN)等导电性陶瓷形成。在载物台12的外缘部设置有用于引导晶圆W的引导环14。
[0019]在载物台12嵌入有加热器15。加热器15通过被从加热器电源40供电来将晶圆W加热到规定的温度。在本实施方式中，加热器电源40包括交流电源40a、晶闸管40b以及噪声滤波器(NF)40c。
[0020]在载物台12中，下部电极16埋设在加热器15上。下部电极16与后述的吸盘控制机构70连接，载物台12及下部电极16作为静电吸盘来发挥功能。在本实施方式中，静电吸盘是约翰逊
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拉别克型(JR型：Johnsen
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Rahbek型)。
[0021]在处理室11的顶壁11A隔着绝缘构件19设置有喷淋头20。喷淋头20包括上方的基座构件21以及安装于基座构件21的下方的喷淋板22。在基座构件21埋设有用于加热喷淋头20的加热器23。加热器23通过被从加热器电源41供电来将喷淋头20加热到规定的温度。
[0022]在喷淋板22形成有多个向处理室11内喷出气体的喷出孔24。各喷出孔24与气体扩散空间25连通，该气体扩散空间25形成于基座构件21与喷淋板22之间。在基座构件21的中央部设置有用于向气体扩散空间25供给处理气体的气体导入口26。气体导入口26与后述的气体供给部30的混合气体供给管线38连接。
[0023]气体供给部30包括供给作为Ti化合物气体的TiCl4气体的TiCl4气体供给源31、供给Ar气体的Ar气体供给源32以及供给作为还原气体的H2气体的H2气体供给源33。
[0024]TiCl4气体供给源31与TiCl4气体供给管线31L连接，Ar气体供给源32与Ar气体供给管线32L连接，H2气体供给源33与H2气体供给管线33L连接。在气体管线31L设置有质量流量控制器(MFC)31C以及将质量流量控制器31C夹在中间的2个阀31V，在气体管线32L设置有质量流量控制器(MFC)32C以及将质量流量控制器32C夹在中间的2个阀32V，在气体管线33L设置有质量流量控制器(MFC)33C以及将质量流量控制器33C夹在中间的2个阀33V。
[0025]气体混合部37具有将上述的处理气体混合后供给到喷头20的功能。气体混合部37中的气体流入侧经由各气体管线31L～33L来与TiCl4气体供给源31、Ar气体供给源32以及H2气体供给源33连接。气体混合部37中的气体流出侧经由混合气体供给管线38来与喷淋头20连接。
[0026]在进行处理时，将从TiCl4气体、Ar气体以及H2气体中选择出的一种气体或者多种气体的混合气体经由喷淋头20的气体导入口26和气体扩散空间25从多个喷出孔24导入到处理室11内。
[0027]这样，在本实施方式中，喷淋头20以将处理气体预先混合后供给到处理室11内的所谓的预混合型构成，但也可以以将各处理气体独立地供给到处理室11内的后混合(postmix)型。
[0028]喷淋头20经由匹配器42来与高频电源43连接。在将处理气体供给到处理室11内的状态下，通过从高频电源43向喷淋头20供给例如450kHz的高频电力，来在喷淋头20与下部电极16之间生成等离子体。这样，喷淋头20作为与下部电极相向配置的上部电极来发挥功能。从能够在后述的清洁处理中高效地将电子吸引到静电吸盘侧的观点出发，载物台12的上表面与喷淋板22的下表面之间的距离(一对电极间的距离)优选的是80mm以下。此外，高
频电力不限于450kHz，例如能够适当使用2MHz、13.56MHz、27MHz、60MHz、100MHz等。
[0029]在处理室11的底壁11B的中央部形成有圆形的开口17，在底壁11B以覆盖开口17的方式设置有朝向下方突出的排气室50。排气室50的侧面与排气配管51连接，排气配管51与排气装置52连接。排气装置52使处理室11内减压至规定的真空压力。
[0030]在载物台12以能够相对于载物台12的表面突出或退回的方式设置有用于支承晶圆W并使其升降的多根(例如3根)升降销60。升降销60固定于支承板61。利用气缸等驱动机构62借助支承板61来使升降销60升降。在处理室11的侧壁11C设置有用于进行晶圆W的搬入及搬出的搬入搬出口18以及对搬入搬出口18进行开闭的闸阀G。
[0031]在将晶圆W相对于处理室11进行搬入或搬出时，使升降销60进行升降。具体地说，在将晶圆W向处理室11内搬入时，使升降销60上升。然后，利用搬送臂(未图示)将晶圆W从搬入搬出口18搬入并载置于升降销60。接着，使升降销60下降来将晶圆W载置于载物台12上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种清洁方法，通过将静电吸盘暴露于等离子体，并将所述静电吸盘的电位与所述等离子体的电位的关系保持为电子电流从所述等离子体朝向所述静电吸盘流入的关系，来清洁静电吸盘。2.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，所述静电吸盘是约翰逊
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拉别克型。3.根据权利要求1或2所述的清洁方法，其中，所述等离子体形成于相向配置的一对电极之间。4.根据权利要求3所述的清洁方法，其中，所述一对电极间的距离为80mm以下。5.根据权利要求3或4所述的清洁方法，其中，向所述一对电极中的一方施加高频电力，向另一方施加阳极电压。6.根据权利要求1～5中的任一项所述的清...

【专利技术属性】
技术研发人员：中岛孝一，千田智，千野悟，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：