将高读取数据存储在存储器装置的低影响读取干扰页面处制造方法及图纸

本申请案涉及将高读取数据存储在存储器装置的低影响读取干扰页面处。存储器装置的高读取数据管理器接收在存储器装置的多个字线中的第一字线上执行数据重定位操作的请求，所述存储器装置包括多个多电平存储器单元，其中每一多电平存储器单元包括多个页面；确定所述第一字线包括存储在所述多个页面中的一或多个高读取干扰页面处的数据；确定所述数据是否包括满足与存储在所述多个字线中的额外字线上的额外数据有关的阈值准则的特性；响应于确定所述数据包括满足所述阈值准则的所述特性，识别用于重定位所述数据的目标字线的所述多个页面中的一或多个低读取干扰页面；及响应于识别所述目标字线的所述一或多个低读取干扰页面，将所述数据的至少一部分存储在所述目标字线的所述一或多个低读取干扰页面处。字线的所述一或多个低读取干扰页面处。字线的所述一或多个低读取干扰页面处。

【技术实现步骤摘要】
将高读取数据存储在存储器装置的低影响读取干扰页面处


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体来说，涉及将高读取数据存储在存储器装置的低影响读取干扰页面处。

技术介绍

[0002]存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。所述存储器装置可为例如非易失性存储器装置及易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以将数据存储在所述存储器装置处及从所述存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]根据本申请案的一方面，提供一种方法。所述方法包括：由处理装置接收在存储器装置的多个字线中的第一字线上执行数据重定位操作的请求，所述存储器装置包括多个多电平存储器单元，其中每一多电平存储器单元包括多个页面；确定所述第一字线包括存储在所述多个页面中的一或多个高读取干扰页面处的数据；确定所述数据是否包括满足与存储在所述多个字线中的额外字线上的额外数据有关的阈值准则的特性；响应于确定所述数据包括满足所述阈值准则的所述特性，识别用于重定位所述数据的目标字线的所述多个页面中的一或多个低读取干扰页面；及响应于识别所述目标字线的所述一或多个低读取干扰页面，将所述数据的至少一部分存储在所述目标字线的所述一或多个低读取干扰页面处。
[0004]根据本申请案的另一方面，提供一种方法。所述方法包括：由处理装置接收将数据写入到存储器装置的请求，其中所述请求包括所述数据具有一特性的指示，且其中所述存储器装置包括多个多电平存储器单元，且其中每一多电平存储器单元包括多个页面；由所述处理装置鉴于所述特性来识别所述存储器装置的多个字线中的目标字线；选择所述目标字线的所述多个页面中的一或多个低读取干扰页面；及将所述数据的至少一部分存储在所述目标字线的所述一或多个低读取干扰页面处。
[0005]根据本申请案的又一方面，提供一种系统。所述系统包括：存储器装置；及处理装置，其与所述存储器装置可操作地耦合以执行包括以下的操作：由处理装置接收在存储器装置的多个字线中的第一字线上执行数据重定位操作的请求，所述存储器装置包括多个多电平存储器单元，其中每一多电平存储器单元包括多个页面；确定所述第一字线包括存储在所述多个页面中的一或多个高读取干扰页面处的数据；确定所述数据是否包括满足与存储在所述多个字线中的额外字线上的额外数据有关的阈值准则的特性；响应于确定所述数据包括满足所述阈值准则的所述特性，识别用于重定位所述数据的目标字线的所述多个页面中的一或多个低读取干扰页面；及响应于识别所述目标字线的所述一或多个低读取干扰页面，将所述数据的至少一部分存储在所述目标字线的所述一或多个低读取干扰页面处。
附图说明
[0006]从下文所给出的详细描述及从本公开的各个实施例的附图，将更全面地理解本公
开。然而，附图不应被理解为将本公开限于特定实施例，而是仅用于解释及理解。
[0007]图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。
[0008]图2是根据本公开的一些实施例的用以促进将高读取数据重定位到存储器装置的低影响读取干扰页面的实例方法的流程图。
[0009]图3A
‑
3B说明根据本公开的一些实施例的将高读取数据重定位到存储器装置的低影响读取干扰页面的实例。
[0010]图4是根据本公开的一些实施例的用以基于写入请求来将高读取数据存储在存储器装置的低影响读取干扰页面处的实例方法的流程图。
[0011]图5是本公开的实施例可在其中操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
[0012]本公开的方面涉及加快存储器装置的配置更新。存储器子系统可为存储装置、存储器模块或存储装置与存储器模块的组合。下文结合图1描述存储装置及存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包含一或多个组件的存储器子系统，所述组件例如存储数据的存储器装置。主机系统可提供将存储在存储器子系统处的数据且可请求将从存储器子系统检索的数据。
[0013]存储器子系统可包含高密度非易失性存储器装置，其中当未将电力供应到所述存储器装置时期望保留数据。非易失性存储器装置的一个实例是“与非”(NAND)存储器装置。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它实例。非易失性存储器装置是一或多个裸片的封装。每一裸片可由一或多个平面组成。针对一些类型的非易失性存储器装置(例如，NAND装置)，每一平面由一组物理块组成。每一块由一组页面组成。每一页面由一组存储器单元(“单元”)组成。单元是存储信息的电子电路。取决于单元类型，单元可存储一或多个位的二进制信息，且具有与被存储的位的数目相关的各种逻辑状态。所述逻辑状态可由二进制值，例如“0”及“1”或此类值的组合表示。
[0014]存储器装置可包含多电平存储器单元。每一多电平存储器单元可配置有不同页面级，其中每一页面级可用以存储存储器单元的特定有效位级。例如，配置有多电平单元(MLC)的存储器装置可每单元存储两个位。在此类例子中，MLC可包含用于对MLC的最低有效位进行编程的较低页面及用于对其最高有效位进行编程的较高页面(或上页面)。类似地，配置有三电平单元(TLC)的存储器装置可每单元存储三个位。在此类例子中，TLC可包含用于对TLC的最低有效位进行编程的较低页面及用于对其第二有效位进行编程的多个较高页面
‑
上页面及用于对其最高有效位进行编程的额外页面。
[0015]在常规存储器子系统中，数据可作为块内的一系列字线来读取。通常，当从字线的存储器单元读取数据时，将特定导通电压施加到那个字线以执行读取操作。同时，将较高电压电平施加到与正被读取的字线邻近的字线。这个较高电压致使邻近字线的存储器单元对存储子系统显得透明使得它们不会干扰读取操作。在一些例子中，特定字线可包含比存储在特定数据块中的其它字线中的数据更经常地被读取的数据。此频繁存取的数据通常可被称为“高读取”或“热读取”数据。
[0016]包含高读取数据的字线可能对邻近字线具有寄生效应，因为特定字线的重复读取可能致使较高导通电压到那些邻近字线的重复施加。这可能导致被称为读取干扰的状况。
读取干扰是当一或多个位在读取操作期间被改变从而致使那些位的原始位错误率(RBER)增加时可能发生的错误状况。如上文所述，由于在读取操作期间施加到这些字线的较高电压的重复施加，未选定字线可能经历高读取干扰水平应力。当被重复读取的数据存储在比其它页面(即，“高读取干扰页面”)遭受更大读取应力的存储器单元的页面中时，对邻近字线的读取干扰的严重性可能显著地增加。在常规系统中，这是归因于从某些页面(例如，较低页面(最低有效位)进行数据读取所必需的电压与施加到未选定邻近字线的高导通电压之间的较大差异。未选定页面所经历的读取干扰的显著增加可能导致位错误率在更短时间段内的显著增加。这又可能导致数据可靠性及性能的下降，以及显著缩短的存储器装置使用寿命。
[0017]常规存储器子系统未做出重大尝试来减轻这些问题，而是选择更经常地执行废弃项目收集及/或折叠操作。另外，当执行这些操作时，常规本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，其包括：由处理装置接收在存储器装置的多个字线中的第一字线上执行数据重定位操作的请求，所述存储器装置包括多个多电平存储器单元，其中每一多电平存储器单元包括多个页面；确定所述第一字线包括存储在所述多个页面中的一或多个高读取干扰页面处的数据；确定所述数据是否包括满足与存储在所述多个字线中的额外字线上的额外数据有关的阈值准则的特性；响应于确定所述数据包括满足所述阈值准则的所述特性，识别用于重定位所述数据的目标字线的所述多个页面中的一或多个低读取干扰页面；及响应于识别所述目标字线的所述一或多个低读取干扰页面，将所述数据的至少一部分存储在所述目标字线的所述一或多个低读取干扰页面处。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述数据重定位操作包括废弃项目收集操作或折叠操作中的至少一者。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述一或多个高读取干扰页面比所述一或多个低读取干扰页面遭受更多的读取干扰。4.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述数据是否包括满足所述阈值准则的所述特性包括：识别所述多个字线中的第二字线，其中所述第二字线与所述第一字线邻近；及识别多所述个字线中的第三字线，其中所述第三字线与所述第一字线邻近，且其中所述第一字线在所述第二字线与所述第三字线之间。5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括：确定与所述第一字线的所述存储器单元的至少一部分相关联的第一位错误率；确定与所述第二字线的所述存储器单元的至少一部分相关联的第二位错误率；确定与所述第三字线的所述存储器单元的至少一部分相关联的第三位错误率；确定所述第二位错误率及所述第三位错误率是否满足与高读取干扰条件相关联的阈值准则；响应于确定所述第二位错误率及所述第三位错误率满足所述阈值准则，确定所述第一位错误率是否满足所述阈值准则；及响应于确定所述第一位错误率不满足所述阈值准则，确定所述第一字线包括具有所述特性的数据。6.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述数据是否包括满足所述阈值准则的所述特性包括：确定与所述第一字线相关联的读取计数，其中所述读取计数包括对所述第一字线的所述存储器单元执行的主机读取操作的数目的指示；确定所述读取计数是否满足与高读取数据条件相关联的读取阈值准则；及响应于确定所述读取计数满足所述读取阈值准则，确定所述第一字线包括具有所述特性的数据。7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：识别额外目标字线的一或多个额外低读取干扰页面；及
将所述数据的额外部分存储在所述额外目标字线的所述一或多个额外低读取干扰页面处。8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：识别第二目标字线，其中所述第二目标字线与所述目标字线邻近；确定与所述第二目标字线的所述存储器单元的至少一部分相关联的位错误率；确定所述位错误率是否满足与高错误率条件相关联的阈值准则；及响应于确定所述位错误率满足所述阈值准则，识别用于重定位所述数据的额外目标字线的一或多个额外低读取干扰页面，其中所述额外目标字线不与所述第二目标字线邻近。9.一种方法，其包括：由处理装置接收将数据写入到存储器装置的请求，其中所述请求包括所述数据具有一特性的指示，且其中所述存储器装置包括多个多电平存储器单元，且其中每一多电平存储器单元包括多个页面；由所述处理装置鉴于所述特性来识别所述存储器装置的多个字线中的目标字线；选择所述目标字线的所述多个页面中的一或多个低读取干扰页面；及将所述数据的至少一部分存储在所述目标字线的所述一或多个低读取干扰页面处。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述一或多个低读取干扰页面比所述多个页面中的一或多个高读取干扰页面遭受更少的读取干扰。11.根据权利要求9所述的方法，其中识别所述目标字线包括：识别所述多个字线中的第一字线；确定与所述第一字线的所述存储器单元的至少一部分相关联的第一位错误率；确定所述第一位错误率是否满足与高错误率条件相关联的阈值准则；及响应于确定所述位错误率不满足所述阈值准...

【专利技术属性】
技术研发人员：K，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：