本申请实施例公开了一种环绕栅晶体管及其制作方法、电子设备，包括：设置在衬底上的沟道、源极、栅极和漏极，该栅极环绕该沟道设置，且该沟道一端与该源极连接，另一端与该漏极连接；设置在漏极和该栅极之间的调制电极，该调制电极包括：环绕该沟道设置的调制电极介质层，以及环绕该调制电极介质层设置的调制电极金属层，其中，该调制电极金属层与该漏极和该栅极分离。由此，该环绕栅晶体管采用GAA环绕栅设计，栅极控制能力更强，栅极和漏极之间设置调制电极，该调制电极上产生耦合电荷，对栅极与漏极之间的能带结构进行调制，增大了载流子隧穿的势垒宽度，可以降低载流子的隧穿几率，降低了环绕栅晶体管关态时的漏电。降低了环绕栅晶体管关态时的漏电。降低了环绕栅晶体管关态时的漏电。降低了环绕栅晶体管关态时的漏电。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔宇，孙永生，刘长泽，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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