【技术实现步骤摘要】
图像传感器和半导体封装
[0001]本公开涉及半导体
,特别是涉及一种图像传感器和半导体封装。
技术介绍
[0002]随着新一轮科技浪潮的到来,5G、大数据、物联网、人工智能、智能终端等技术正以极快的速度向前发展。图像传感器作为智能终端的典型代表,是实现上述技术的核心器件之一。
[0003]在图像传感器的架构方面,较早的平面式结构在同一晶圆上设计和制造像素阵列和功能模块。而改进后的多层堆叠结构在不同的晶圆中设计和制造像素阵列和功能模块,不同的功能模块分别在不同的晶圆中制造,之后通过晶圆级堆叠实现系统整合。
[0004]然而,由于在5G、物联网等应用中,数据获取量增大,并且对图像运算、处理和存储等功能的要求也显著提高,需要将更多晶圆进行堆叠。然而,在使用多层堆叠结构时,通常只能采用相同尺寸的晶圆进行堆叠。此外,随着堆叠的层数增多,对堆叠的工艺要求提高,整体良率下降,综合成本显著提高。
技术实现思路
[0005]提供一种缓解、减轻或者甚至消除上述问题中的一个或多个的机制将是有利的。
[0006]根据本公开的一方面,提供了一种图像传感器,包括:基板,基板包括集成到基板的第一表面上的多个功能芯片,其中,多个功能芯片包括:第一模拟
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数字转换芯片,第一模拟
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数字转换芯片沿基板的第一边缘设置;第一图像信号处理芯片,第一图像信号处理芯片设置在第一模拟
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数字转换芯片的朝向基板的中心的一侧;以及第一存储芯片,第一存储芯片沿基板的与第 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器,包括:基板,所述基板包括集成到所述基板的第一表面上的多个功能芯片,其中,所述多个功能芯片包括:第一模拟
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数字转换芯片,所述第一模拟
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数字转换芯片沿所述基板的第一边缘设置;第一图像信号处理芯片,所述第一图像信号处理芯片设置在所述第一模拟
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数字转换芯片的朝向所述基板的中心的一侧;以及第一存储芯片,所述第一存储芯片沿所述基板的与所述第一边缘相邻的第二边缘设置,或者设置在所述基板的中心位置;第一布线层,所述第一布线层形成在所述多个功能芯片上,其中,所述第一布线层包括:所述第一模拟
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数字转换芯片与所述第一图像信号处理芯片之间的电连接;以及所述第一图像信号处理芯片与所述第一存储芯片之间的电连接;像素阵列;以及第二布线层,所述第二布线层形成在所述像素阵列的背离光线入射面的表面上,其中,所述第一布线层与所述第二布线层混合键合,使得所述第一模拟
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数字转换芯片与所述像素阵列电连接。2.如权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第一存储芯片沿所述基板的与所述第一边缘相邻的第二边缘设置,并且,所述多个功能芯片还包括:计算芯片,所述计算芯片设置在所述基板的中心位置,其中,所述第一布线层还包括:所述第一图像信号处理芯片与所述计算芯片之间的电连接;以及所述计算芯片与所述第一存储芯片之间的电连接。3.如权利要求2中所述的图像传感器,其中,所述多个功能芯片还包括:第二模拟
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数字转换芯片,所述第二模拟
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数字转换芯片沿所述基板的与所述第一边缘相对的第三边缘设置,其中,所述第一布线层与所述第二布线层的混合键合还使得所述第二模拟
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数字转换芯片与所述像素阵列电连接;以及第二图像信号处理芯片,所述第二图像信号处理芯片设置在所述第二模拟
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数字转换芯片的朝向所述基板的中心的一侧,其中,所述第一布线层还包括:所述第二模拟
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数字转换芯片与所述第二图像信号处理芯片之间的电连接;所述第二图像信号处理芯片与所述计算芯片之间的电连接;以及所述第二图像信号处理芯片与所述第一存储芯片之间的电连接。4.如权利要求2
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3中任一项所述的图像传感器,其中,对于所述第一布线层中的电连接,所述计算芯片与所述第一存储芯片之间的电连接为高速信号电连接,所述第一布线层中的其余电连接为低速信号电连接,其中,所述高速信号电连接与每个低速信号电连接之间的距离大于第一距离阈值,所述各低速信号电连接之间的距离大于第二距离阈值,其中,所述第一距离阈值大于所述第二距离阈值。5.如权利要求4所述的图像传感器,其中,所述高速信号电连接与每个低速信号电连接
之间的平行走线长度小于第一长度阈值,所述各低速信号电连接之间的平行走线长度小于第二长度阈值,其中,所述第一长度阈值小于所述第二长度阈值。6.如权利要求4所述的图像传感器,其中,所述第一布线层还包括:设置在所述高速信号电连接两侧的屏蔽地线。7.如权利要求2中所述的图像传感器,其中,所述多个功能芯片还包括:第二模拟
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数字转换芯片,所述第二模拟
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数字转换芯片沿所述基板的与所述第一边缘相对的第三边缘设置,其中,所述第一布线层与所述第二布线层的混合键合还使得所述第二模拟
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数字转换芯片与所述像素阵列电连接;第二图像信号处理芯片,所述第二图像信号处理芯片设置在所述第二模拟
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数字转换芯片的朝向所述基板的中心的一侧,以及第二存储芯片,所述第二存储芯片沿所述基板的与所述第二边缘相对的第四边缘设置;其中,所述第一布线层还包括:所述第二模拟
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数字转换芯片与所述第二图像信号处理芯片之间的电连接;所述第二图像信号处理芯片与所述计算芯片之间的电连接;所述第二图像信号处理芯片与所述第二存储芯片之间的电连接;以及所述计算芯片与所述第二存储芯片之间的电连接。8.如权利要求2中所述的图像传感器,其中,所述多个功能芯片还包括:第二模拟
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数字转换芯片,所述第二模拟
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数字转换芯片沿所述基板的与所述第二边缘相对的第四边缘设置,其中,所述第一布线层与所述第二布线层混合键合还使得所述第二模拟
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数字转换芯片与所述像素阵列电连接;第二图像信号处理芯片,所述第二图像信号处理芯片设置在所述第二模拟
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数字转换芯片的朝向所述基板的中心的一侧,以及第二存储芯片,所述第二存储芯片沿所述基板的与所述第一边缘相对的第三边缘设置;其中,所述第一布线层还包括:所述第二模拟
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数字转换芯片与所述第二图像信号处理芯片之间的电连接;所述第二图像信号处理芯片与所述计算芯片之间的电连接;所述第二图像信号处理芯片与所述第二存储芯片之间的电连接;以及所述计算芯片与所述第二存储芯片之间的电连接。9.如权利要求7
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8中任一项所述的图像传感器,其中,对于所述第一布线层中的电连接,所述计算芯片与所述第一存储芯片之间的电连接和所述计算芯片与所述第二存储芯片之间的电连接为高速信号电连接,所述第一布线层中的其余电连接为低速信号电连接,其中,所述各高速...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴罚,陈世杰,赵建国,黄文军,
申请(专利权)人:联合微电子中心有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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